韩国HBM龙头宣布HBM5 全面拥抱混合键合 这是为何？

7月22日，韩国半导体产业协会在京畿道城南市召开"商用半导体技术创新论坛"。三星电子DS事业部半导体研究院未来技术组执行副总裁金大宇在演讲中指出："当HBM堆叠层数突破16层时，传统热压键合（TC）技术将面临瓶颈"，并透露"公司计划自16层HBM产品起采用混合键合方案"。

HBM作为新一代高性能存储器，通过垂直堆叠多个DRAM芯片来显著提升数据传输效率。其中键合工艺是实现DRAM互联的关键制程环节，而TC键合设备则是HBM生产的核心装置。

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面对HBM技术迭代带来的层数增加挑战，业界亟需解决芯片堆叠间距缩小的技术难题。在此背景下，混合键合技术因其独特的结构优势受到广泛关注。该技术摒弃了传统的微凸点连接方式，转而采用铜对铜直接互连，能有效降低HBM模组的整体厚度。

据三星电子披露，其第七代HBM产品"HBM4E"（16层）将采用TC键合与混合键合并行的技术路线，而到第八代"HBM5"（20层）时将全面转向混合键合量产方案。

当前市场主流产品为第五代"HBM3E"，最高支持12层堆叠。行业分析认为，现有技术路线将延续至第六代16层"HBM4"，而革命性的技术升级将从第七代产品正式启动。

副总裁金大宇强调："当互联间距缩小至15微米以下时，无焊料混合键合将成为必然选择"，并补充道"该技术还具有优异的散热性能，目前我们正在加快推进相关研发工作。"

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