在功率电子驱动领域,稳定可靠的栅极驱动芯片是电路高效运行的核心。如果你正在寻找 FD2203 的高性价比替代方案,杰盛微半导体推出的JSM2203STR绝对值得关注!这款 4A250V 集成自举半桥高同低反栅极驱动芯片,不仅兼容 FD2203 的核心功能,更在性能、可靠性和应用灵活性上实现升级,为电机控制、逆变器、充电桩等场景提供强力支持。
一、产品概述
JSM2203S是一款高压、高速功率 MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。JSM2203S采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL 逻辑输出电平,输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。JSM2203S其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率 MOSFET,浮地通道最高工作电压可达250V。JSM2203S采用SOP-8封装,可以在-40℃至 125℃温度范围内工作。
二、核心特性
作为 FD2203 的理想替代型号,JSM2203STR 在关键性能指标上全面覆盖需求,确保替换后电路无需大幅调整即可稳定运行:
-高压驱动能力:浮地通道最高工作电压达 250V,与 FD2203 的高压驱动需求完美匹配,可直接驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET。
-宽电压兼容:逻辑输入电平兼容 3.3V、5V 和 15V CMOS/LSTTL 信号,适配主流主控 IC 的 PWM 输出,无需额外电平转换电路。
-强大输出能力:输出级拉电流 / 灌电流均达 4A,能快速为 MOSFET 栅极充放电,降低开关损耗,提升电路效率。
-可靠保护机制:内置防直通死区逻辑(死区时间 250ns),避免高低侧输出重叠导致的短路风险,与 FD2203 的直通保护功能一致且参数稳定
三、引脚功能描述
四、关键电气规格
4.1极限工作范围(TA=25℃,以 VSS 为参考)
4.2 推荐工作范围(TA=25°C)
4.3 电气特性(TA=25°C,VCC=VB=15V,CL=1nF)
五、应用场景全覆盖,设计更灵活
JSM2203STR 继承了 FD2203 的广泛适用性,同时凭借优化的特性拓展了更多应用可能:
-电机控制领域:适配伺服电机、无刷电机等驱动场景,精准的死区控制和高效驱动能力提升电机运行平稳性。
-电源转换场景:在 DC-DC 转换器、通用逆变器中,高电压兼容和低损耗特性助力电源效率提升。
-新能源设备:充电桩等高压设备中,250V 高压耐受和可靠保护功能保障功率变换安全。
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