有人问HOYA光掩膜基板的制造难点是在玻璃镀膜上吗？

先给结论：HOYA 光掩膜基板（Photomask Blank）的核心制造难点，不只是“玻璃镀膜”，而是在

① 超高纯度低缺陷石英玻璃本体 + ② 原子级均匀、低应力、多层镀膜 + ③ 缺陷控制与检测体系的系统工程。

下面我从半导体工艺角度把 HOYA 的技术难点拆开说明。

一、先厘清：HOYA 做的“光掩膜基板”是什么？

HOYA 提供的是 Photomask Blank，不是最终掩膜。

典型结构（以 EUV / ArF 为例）：

超高纯度合成石英玻璃基板
│
├─（可选）缓冲层
├─ 遮光层（Cr / MoSi / Ta-based）
├─（EUV 还有 40~50 层 Mo/Si 多层反射镜）


这类产品用于 先进制程（28nm → 3nm / EUV）。

二、难点①：真正的“护城河”在石英玻璃本体，不是镀膜

1、HOYA 最强的是“合成石英玻璃（Synthetic Fused Silica）”

关键指标包括：

问题在于：

光刻机是“像差放大器”

掩膜基板任何不均匀，都会被 4x / 8x 投影放大到晶圆上

玻璃体本身的缺陷是不可逆的
镀膜再好，也救不了基板内的缺陷

HOYA 与 Corning、AGC 的差距，首先就在玻璃母材工艺积累

三、难点②：镀膜本身极难，但不是“普通镀膜”

你问到的重点：是不是难在玻璃镀膜？

答案是：镀膜是难点之一，但难的是“光掩膜级镀膜”，不是工艺难度本身。

2、光掩膜镀膜 vs 普通半导体镀膜

HOYA 的难点在于：

大面积原子级一致性

膜应力不能引起基板弯曲（< 数十 nm）

长期稳定性（多年不漂移）

四、EUV 掩膜：HOYA 的真正技术巅峰

如果谈 EUV（13.5nm），那难度指数级上升。

3、EUV Mask Blank 的极限难点

40~50 层 Mo/Si 多层反射膜

单层厚度 ≈ ~3 nm

层间界面粗糙度 < 0.2 nm

总反射率 > 65%

任何问题都会导致：

反射率下降

相位误差 → 线宽失控

随机缺陷（目前 EUV 最大瓶颈）

HOYA、AGC、Zeiss 是全球唯三能稳定量产 EUV Mask Blank 的厂商

这不是简单镀膜，而是 原子级材料工程 + 缺陷物理

五、真正卡人的不是“会不会镀”，而是“缺陷与检测体系”

4、光掩膜行业的终极门槛：缺陷控制

允许缺陷密度：接近 0

检测精度：~20 nm 以下

EUV 缺陷：“埋藏缺陷”无法修复

这要求：

原材料 → 熔融 → 成型 → 抛光 → 镀膜 → 清洗
全流程无缺陷控制

检测设备（e-beam / actinic inspection）

很多公司不是做不出膜，而是：不知道缺陷从哪来，更消不掉

六、总结一句话回答你的问题

❌ HOYA 光掩膜基板的制造难点，不只是玻璃镀膜
✅ 真正难的是：

1️⃣ 超高均匀、低缺陷的合成石英玻璃
2️⃣ 原子级一致性、低应力的大面积功能镀膜
3️⃣ 接近“零缺陷”的材料与制程控制体系
4️⃣ EUV 时代的多层反射镜工程能力

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