湾芯会客室 | 十余年技术沉淀，破局半导体靶材赛道

先进制程卡脖子的难题中，有一个极易被忽视却又不可或缺的“关键角色”——半导体靶材。它直接决定芯片良率，却长期被国际巨头垄断，国产化替代迫在眉睫。在全球半导体产业格局重塑的关键节点，谁能打破技术壁垒？

本期湾芯会客室，我们特别邀请到光微半导体材料（宁波）有限公司（以下简称“光微半导体”）联合创始人兼副总经理邵振亚先生，揭秘企业如何以十余年技术沉淀破局，在这片硬核赛道上撕开一道国产缺口。

1、十余年深耕筑基，全链能力破局

光微半导体成立于2021年，但其技术根基可追溯至2013年。在此之前，核心团队已深耕半导体领域近十年，专注于靶材高纯原材料供应与靶材代工服务，服务过国内外众多知名靶材企业。

2017年至2020年，团队深度参与台积电3纳米制程配套产品的开发与验证，于2020年成功通过台积电认证，打通了从原材料提纯到成品制造的全技术链条。

“正是基于技术链条的全面贯通，我们希望将成熟的技术与产品服务于更多国内企业。”邵振亚介绍道。如今，光微半导体已形成两大核心业务板块：一是持续为靶材企业提供超高纯金属材料及代工服务；二是实现半导体靶材全产业链布局，从原材料到成品制造的全流程均自主完成，直接对接Fab端客户，构建起独特的产业竞争优势。

光微半导体的核心团队汇聚了全球行业精英，既有来自TOSOH东曹、JX日矿等海外知名靶材企业的技术骨干，也有深耕细分领域的国内顶尖专家——中南大学的湿法冶金提纯团队、稀土领域的磁悬浮熔炼设备专家、沈阳有色的成品制造与焊接专家，全方位支撑起靶材制造全流程的技术攻坚。

2、核心技术突围，性能对标国际顶尖

靶材的纯度与微观结构直接决定芯片的良率与性能，光微半导体在这两大关键维度实现了重大突破。邵振亚详细解读了靶材纯度的行业标准：“N代表百分比中的一个9，5N至9N的纯度梯度对应不同的应用场景。5N纯度适用于TGV封装环节，6N、7N主要用于130纳米及以下制程的晶圆PVD镀膜，而14纳米以下先进制程则需要8N级高纯铜，这也是三星、台积电等国际巨头的核心选择。”

依托深耕多年的提纯技术，光微半导体已实现5N-9N全纯度梯度覆盖。而真正奠定其国际竞争力的，是两大核心技术创新：磁悬浮熔炼系统与IPAS弯角挤压技术。磁悬浮熔炼通过让熔融态金属与坩埚完全不接触，从根源上杜绝二次污染，有效降低镀膜RS值，减少particle数量，保障芯片良率；IPAS弯角挤压技术则精准优化靶材微观结构，可将铜锰靶材的晶体尺寸控制在极高精度，大幅提升镀膜均匀度、溅射速率与靶材使用寿命。

“我们的铜锰靶材直接对标霍尼韦尔，在particle管控、晶粒尺寸等核心指标上已达到国际先进水平，同时依托大陆生产基地，具备显著的成本优势。”邵振亚表示，目前光微半导体的产品已成功进入台湾市场，在先进制程靶材领域打破了国际巨头的长期垄断。

3、全球市场拓展，构建安全供应链

凭借全产业链能力与技术优势，光微半导体早已开启全球化布局，海外营收占比达五成，研发团队中30%为海外人才。其海外业务主要通过OEM模式为欧美靶材企业提供配套服务，同时抓住全球芯片产能扩张带来的供应链缺口，成功切入海外非头部Fab客户市场。

“霍尼韦尔、JX日矿等传统供应商的供应能力已难以满足快速增长的市场需求，尤其是在供应链安全与地缘政治不确定性加剧的背景下，海外客户迫切需要更多可靠的供应商选择。”邵振亚分享道，光微半导体的核心价值在于为全球客户提供“性能对标、成本优化、供应稳定”的解决方案，帮助客户构筑更安全的供应链体系，这也是中国半导体企业出海的核心竞争力所在。

4、布局先进封装，抢占超摩尔时代机遇

随着超摩尔时代来临，先进封装成为提升芯片性能的关键路径，TSV、TGV等新兴工艺市场增长迅猛。光微半导体提前布局这一赛道，目前已成为国内主流TSV、TGV设备厂商及产线布局企业的核心靶材供应商。

“虽然先进封装对靶材纯度要求低于先进制程，但对材料内部微观缺陷、氧化物含量的管控标准极高。”邵振亚解释道，依托在材料提纯与微观结构控制上的深厚积累，光微半导体的靶材能有效提升通孔工艺的良率与效率。目前，公司已感受到客户量产需求的快速释放，预计明年将实现明显增长，2027年有望迎来爆发式突破。