存储双雄今年利润将超2万亿！

继去年创纪录的盈利之后，三星电子和SK海力士预计今年业绩将再创新高。由于人工智能和数据中心的需求不断增长，内存价格飙升，两家公司对营业利润增长的预期也随之提高。与此同时，在HBM4市场占据领先地位正成为决定未来业绩差距的关键因素，两家公司之间的竞争预计将会加剧。

据业内人士2月3日透露，市场研究公司TrendForce在近期发布的一份报告中表示，其对第一季度DRAM平均价格涨幅的预测已从原先的55-60%上调至90-95%。NAND闪存价格涨幅也从33-38%上调至55-60%。

此次价格上涨归因于去年第四季度PC出货量高于预期，从而带动了对PC DRAM的需求。据报道，主要PC OEM厂商目前正面临内存库存短缺的问题。

作为高附加值产品的服务器DRAM，预计其价格也将继续上涨。由于供应短缺，服务器DRAM价格预计在第一季度环比上涨90%，创下有史以来最高的季度涨幅。低功耗DRAM（例如智能手机中使用的LPDDR5X）的合约价格预计也将环比上涨90%。

由于内存厂商将重心转向DRAM生产，NAND闪存价格预计也将上涨。企业级固态硬盘（eSSD）价格预计在第一季度上涨53%至58%，而所有NAND产品的价格预计上涨55%至60%。

因此，市场普遍预期三星电子和SK海力士将受益于内存价格上涨，从而提升今年的业绩。摩根士丹利近期预测三星电子和SK海力士的营业利润分别为245万亿韩元和179万亿韩元，两家公司合并后的营业利润将达到424万亿韩元（2.0182万亿元人民币），均高于韩国国内证券机构的平均预期，比2025年增长366%。

摩根士丹利预测，三星电子和SK海力士明年的营业利润将分别达到317万亿韩元（营业利润率为49%）和225万亿韩元（营业利润率为74%）。分析预测，两家公司合并后的营业利润将达到542万亿韩元（2.5799万亿元人民币），比去年（约91万亿韩元）增长近六倍。

三星电子被认为正在解决其疲软的HBM业务和DRAM利润率差距问题，这些问题此前一直被认为是其面临的一大难题。SK海力士的整个产品线的盈利能力也显著提升。

业内人士预测，能否在HBM4市场占据领先地位将是决定今年谁能获得最大营业利润增长的关键因素。三星电子的目标是成为首家采用NVIDIA超高带宽技术的HBM4量产公司，从而重夺市场份额。三星电子采用台积电第六代10nm级DRAM（1c）工艺和三星晶圆代工的4nm制程芯片来生产HBM4。

SK海力士则采用台积电的12nm制程芯片和第五代10nm级D-Lab（1b）工艺。这项决定被解读为对采用最新尖端工艺所带来的风险（例如成本增加和初始良率降低）的考量。

祥明大学系统半导体系李钟焕教授表示：“由于HBM是基于DRAM生产的，HBM比例的增加必然会限制通用DRAM的供应，从而推高存储器价格。”他补充道：“这种双重效应有望提升半导体公司今年的盈利能力，在HBM4竞争中占据优势的公司也将从营收方面受益。”

芯片说——知识星球欢迎您