芯耀
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1 、引言
晶圆作为半导体器件制造的核心基材，其表面质量直接决定芯片制备良率与器件性能。在晶圆切割、抛光、清洗等制程中，易产生划痕、凹陷、凸起、残留颗粒等纳米级缺陷，这些缺陷会导致后续光刻图案转移失真、薄膜沉积不均，进而引发器件漏电、功能失效。传统二维测量方法难以精准捕捉纳米级缺陷的三维轮廓特征，无法满足先进制程晶圆的严苛质量管控需求。3D白光干涉仪凭借非接触测量特性、亚纳米级分辨率及全域三维形貌重建能力，可快速精准获取晶圆表面纳米级缺陷的完整光学3D轮廓，为晶圆制程优化与质量筛选提供可靠数据支撑。本文重点探讨3D白光干涉仪在晶圆表面纳米级缺陷光学3D轮廓测量中的应用。
2、 3D白光干涉仪测量原理
3D白光干涉仪以宽光谱白光为光源，经分束器分为参考光与物光两路。参考光射向固定参考镜反射，物光经高数值孔径物镜聚焦后照射至晶圆表面，反射光沿原路径返回并与参考光汇交产生干涉条纹。因白光相干长度极短（仅数微米），仅在光程差接近零时形成清晰干涉条纹。通过压电陶瓷驱动装置带动参考镜进行精密扫描，高灵敏度探测器同步采集干涉条纹强度变化，形成干涉信号包络曲线，曲线峰值位置精准对应晶圆表面及缺陷各点的三维坐标。结合全域扫描拼接与缺陷轮廓拟合技术，可完整重建晶圆表面纳米级缺陷的全域光学3D轮廓，精准提取缺陷深度、宽度、高度、体积等核心参数，其垂直分辨率可达0.1 nm，适配纳米级缺陷的高精度测量需求。
3、 3D白光干涉仪在晶圆纳米级缺陷测量中的应用
3.1 纳米级缺陷光学3D轮廓精准重建与参数提取
针对晶圆表面纳米级缺陷（尺寸范围5 nm-500 nm）的光学3D轮廓测量需求，3D白光干涉仪可通过优化测量策略实现精准表征。测量时，根据晶圆尺寸（8英寸/12英寸）与缺陷预估尺寸，选取适配物镜倍率与扫描范围，对晶圆表面进行全域或局部高精度扫描，通过三维点云拼接技术重建缺陷完整的光学3D轮廓。采用缺陷特征提取算法，自动区分划痕、凹陷、凸起等缺陷类型，精准计算划痕的深度、长度、宽度，凹陷/凸起的高度/深度、体积等核心参数。实验数据表明，其缺陷深度测量误差≤0.5 nm，宽度测量误差≤2 nm，可有效捕捉抛光压力、清洗工艺参数波动导致的缺陷形态变化，为制程优化提供精准量化依据，同时支持整片晶圆的缺陷分布与密度统计。
3.2 微小缺陷的高效识别与筛选
晶圆表面的微小缺陷（如10 nm级残留颗粒、浅划痕）易被传统测量方法遗漏，却可能对先进制程芯片造成致命影响。3D白光干涉仪凭借高灵敏度干涉信号检测能力，可实现微小缺陷的高效识别。通过设定缺陷阈值（如深度≥5 nm、宽度≥10 nm），系统可自动筛选出不合格缺陷，并标记其位置坐标。结合缺陷形态分析，可追溯缺陷来源：如浅划痕多与抛光垫磨损相关，残留颗粒则与清洗工艺洁净度不足有关。例如，当检测到晶圆表面密集的10-20 nm级残留颗粒时，可反馈调整清洗工艺的超声功率与清洗剂配比，提升晶圆表面洁净度。
相较于扫描电子显微镜的破坏性测量与真空环境限制，3D白光干涉仪的非接触测量模式可避免损伤晶圆表面，且适配大气环境下的快速检测；相较于原子力显微镜的点扫描低效率缺陷，其具备更快的全域扫描速度（12英寸晶圆局部重点区域测量时间≤10 s），可满足半导体产业化批量检测需求。通过为晶圆表面纳米级缺陷提供全面、精准的光学3D轮廓测量数据及高效筛选功能，3D白光干涉仪可助力构建先进制程晶圆的严格质量管控体系，提升芯片制备良率，为半导体产业向更高精度制程发展提供关键技术支撑。
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实测验证硬核实力
1）硅片表面粗糙度检测：凭借优于 1nm 的超高分辨率，精准捕捉硅片表面微观起伏，实测粗糙度 Ra 值低至 0.7nm，为半导体制造品质把控提供可靠数据支撑。
（以上数据为新启航实测结果）
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新启航半导体，专业提供综合光学3D测量解决方案！
