芯耀
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一、产品定位：传统4056的实测性能飞跃
SM5056是针对单节锂电池充电应用设计的高性能线性充电芯片，在传统4056基础上实现了三大核心升级。海川实验室在相同测试条件下（环境温度25℃、输入电压5V、相同测试板及测量设备）对SM5056与主流4056方案进行了对比测试，结果显示性能全面提升：
| 对比项 | 传统4056 | SM5056（实验室实测） | 升级优势 |
|---|---|---|---|
| 最大充电电流 | 典型1000mA | 可达1268mA（RPROG=1kΩ） | 提升26.8%，更快充满大容量电池 |
| 涓流充电 | 传统1/10C方案 | 1/5C（200mA以上） | 充电效率提升40%，加速激活过放电池 |
| 输入端耐压 | 典型9V（易损坏） | 静态耐压高达12.1V（步进0.1V测试） | 提升34.4%，抗浪涌能力更强，适应USB瞬态过冲 |
| 防倒灌电路 | 需外部隔离二极管 | 内部PMOSFET集成防倒充 | 省去二极管，降低BOM成本与PCB面积 |
| 热调节功能 | 无，过热可能损坏 | 内置145℃热反馈降流 | 高温环境下自动降低充电电流，确保芯片安全 |
| 待机功耗 | 几十μA | 电池漏电流<2μA，待机模式45μA | 极低功耗，适合电池供电设备 |
| 引脚兼容性 | 标准引脚定义 | PIN TO PIN兼容市面上大部分同类产品 | 无需改动PCB，直接替换升级 |
二、核心参数（基于规格书V1.03及实验室实测数据）
注：实测数据为海川实验室在相同条件下（25℃、5V输入、同款测试板）测得，供设计参考。
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 规格书典型值 | 实验室实测 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 输入电压范围 | VCC | 正常工作 | 4.0~6.0 | - | V |
| 输入最大耐压 | VCC_MAX | 静态测试，步进0.1V | 绝对最大7V | ≥12.1V | V |
| 浮充电压 | VFLOAT | 0℃≤TA≤85℃，IBAT=40mA | 4.2 | 4.2 | V |
| 充电电流 | IBAT | RPROG=1.2kΩ | 1000mA | 1020mA | mA |
| RPROG=1.0kΩ | - | 1268mA | mA | ||
| 涓流充电电流 | ITRIKL | VBAT<2.9V，RPROG=1.2kΩ | 200mA | 210mA | mA |
| 涓流充电阈值 | VTRIKL | VBAT上升 | 2.9V | 2.9V | V |
| C/10终止电流 | ITERM | RPROG=1.2kΩ | 150mA | 150mA | mA |
| 待机模式电流 | IQ_STBY | 充电终止 | 45μA | 42μA | μA |
| 电池漏电流 | IBAT_STBY | 待机模式，VBAT=4.2V | -2.5μA | -2.3μA | μA |
| 再充电阈值 | ΔVRECHRG | VFLOAT - VRECHRG | 150mV | 150mV | mV |
| UVLO阈值 | VUV | VCC从低到高 | 3.7V | 3.7V | V |
| 热调节温度 | TLIM | 芯片内部温度 | 145℃ | 145℃ | ℃ |
三、应用电路设计要点
3.1 典型应用电路
输出电容 COUT：1~10μF陶瓷电容，靠近BAT引脚放置
充电电流设定电阻 RPROG：根据所需电流计算，建议使用1%精度电阻
输入串联电阻 R5：1~4.7Ω，可选，用于抑制输入浪涌
3.2充电状态指示逻辑
| 充电器状态 | CHRG引脚（红色LED） | STDBY引脚（绿色LED） |
|---|---|---|
| 充电中 | 下拉（亮） | 高阻（灭） |
| 充电完成 | 高阻（灭） | 下拉（亮） |
| 欠压闭锁、电池温度异常 | 高阻（灭） | 高阻（灭） |
| 特殊状态：BAT接10μF电容且不接电池，TEMP=GND | 红绿灯以1~4秒周期交替闪烁 |
3.3电池温度检测设计（TEMP引脚）
TEMP引脚电压阈值：
高端翻转电压：80% VCC（典型值）
低端翻转电压：45% VCC（典型值）
推荐NTC选型：10kΩ NTC热敏电阻（如103AT）
分压电阻设计：
上拉电阻R1接VCC到TEMP引脚
NTC电阻RNTC接TEMP引脚到地
常温下使TEMP电压在45%~80% VCC之间
若不使用温度监测：将TEMP引脚直接接地，关闭该功能
四、充电工作流程与实测优势
4.1 正常充电循环
涓流充电模式：VBAT < 2.9V时，以约1/5设定电流（实测>200mA）预充，较传统1/10C方案充电效率提升40%，快速激活过放电池。
恒流充电模式：VBAT ≥ 2.9V后，以设定电流恒流充电，实测最高可达1268mA（RPROG=1kΩ），较主流4056方案提升26.8%，缩短充电时间。
恒压充电模式：VBAT达到4.2V后，电压恒定，电流逐渐下降。
充电终止：电流降至设定值的1/10（C/10），且持续TTERM（典型1.8ms）后，终止充电。
待机模式：充电终止后，电池漏电流<2μA，极大延长电池存放寿命。
自动再充电：电池电压降至4.05V以下，自动启动新充电循环。
4.2 耐压优势实测
静态输入端耐压测试：步进0.1V加压，SM5056可承受高达12.1V输入电压而不损坏，较竞品典型9V耐压阈值提升34.4%，为USB供电设备提供更强的抗浪涌和热插拔保护。
五、PCB布局与散热设计要点
5.1 关键布局要求
输入/输出电容：必须尽可能靠近芯片引脚放置，地线走粗短
PROG引脚走线：尽量短，避免寄生电容过大；如需滤波，串联10k电阻后再加电容
散热设计：
芯片底部的Thermal PAD必须焊接到地平面
在地平面增加过孔阵列，增强散热
建议铜箔面积≥15mm×15mm，以支持1.2A满电流充电
5.2 稳定性考虑
PROG引脚极点频率：应保持在100kHz以上
若PROG引脚存在容性负载CPROG，则：
RPROG≤12π×100kHz×CPROGRPROG≤2π×100kHz×CPROG1
输出电容建议：
若使用大数值低ESR陶瓷电容，建议串联1Ω电阻抑制振铃
若使用钽电容，无需串联电阻
六、封装信息与订货型号
| 封装形式 | 封装尺寸 | 热阻θJA（典型） | 订货型号 |
|---|---|---|---|
| ESOP8 | 4.9mm×6.0mm | 40~50℃/W | SM5056ESOP8 |
| EMSOP8 | 3.0mm×3.0mm | 50~60℃/W | SM5056EMSOP8 |
| DFN2x2-8 | 2.0mm×2.0mm | 60~70℃/W | SM5056DFN2x2-8 |
引脚兼容性：SM5056脚位与市面上大部分同类产品PIN TO PIN兼容，无需更改PCB即可直接替换升级，是产品量产替代及新品开发的优选芯片。
七、原厂技术支持优势
泉州海川半导体有限公司 提供：
完整技术文档：规格书、参考设计、应用指导
工程支持：应用工程师一对一协助解决设计问题
样品支持：提供免费样品和评估板
定制服务：可根据客户需求调整浮充电压、涓流阈值等参数
稳定供货：国产原厂，交期可控，技术支持无缝对接
注：以上内容基于规格书V1.03及实验室实测数据，实际应用以实际最新说明为准，如需最新规格书、样品申请或技术支持，请联系泉州海川半导体有限公司销售代表。
