2家企业SiC器件出货突破3000万颗

在新能源汽车、光伏储能等市场的强劲拉动下，国内SiC 功率器件企业出货量持续攀升。

最近方正微和飞锃半导体对外宣布，他们的SiC MOSFET均突破3000万颗级的规模化交付，标志着国产SiC器件正加速迈向成熟。

方正微：主驱级SiC MOSFET突破3000万颗

4月8日，方正微发文预告，其车规SiC MOSFET G3新平台产品即将发布。同时，该公司对外披露了，他们的车规主驱SiC MOSFET的出货量。

据介绍，方正微于2023年实现主驱SiC MOSFET芯片量产，并于2024年开始实现规模化上车，目前已经累计交付了超3000万颗车规主驱SiC MOSFET。

该公司此前在2025年10月透露，预计2025年，方正微车规SiC MOSFET芯片将完成20万辆车应用的跨越。

除了车规级产品外，方正微的工规级SiC MOS/ SiC SBD 1200V系列产品已于2023年一季度开始大规模量产，广泛应用在光伏、储能、充电、UPS、工业电源等领域，截至2024年10月已出货SiC晶圆超4万片。

产能方面，方正微曾在2025年10月对外表示，他们已建成两个碳化硅晶圆厂。FAB1主要生产6英寸晶圆，月产能达14000片。FAB2则有两条产线，分别是中试线和量产线。其中中试线以8英寸产品为主，月产能3000片，量产线则兼容6英寸与8英寸产品，月产能达到9000片。

4月3日，飞锃半导体发文称，他们荣获利普思颁发的“精诚合作奖”。据介绍，飞锃半导体主要为利普思供货 1200V SiC MOSFET 产品，覆盖多电压等级、多规格方案的产品矩阵。

飞锃半导体在文章中提到了他们的碳化硅器件出货量数据。“飞锃半导体长期深耕碳化硅器件研发与产业化，已实现 1200V 碳化硅器件累计出货超 3500 万颗，技术积累与市场口碑行业领先。”

据了解，2015年飞锃半导体启动6吋碳化硅产品研发；2017年实现符合JEDEC规范的碳化硅二极管商业化量产；2018年完成首片碳化硅MOSFET工程样片。

据飞锃半导体公开信息，该公司SiC器件的出货量呈现持续快速增长态势，具体数据如下：

2022年10月：自2019年以来已交付超过860万颗1200V碳化硅二极管；

2023年底：1200V碳化硅器件累计出货超过2400万颗；

2026年4月：1200V碳化硅器件累计出货已超3500万颗。

在8英寸碳化硅方面，2025年9月，飞锃半导体联合国内头部代工厂，正式发布了8英寸车规级碳化硅主驱MOSFET晶圆（GEN4 1200V/10mΩ）。该产品Rspon低至1.8mΩ·cm²，综合性能比肩国际先进水平，预计于2026年正式投入量产。

随着方正微与飞锃半导体碳化硅器件实现规模化交付突破，国产SiC功率器件正加速从"技术验证"迈向"规模商用"，标志着中国碳化硅产业链在产能爬坡、车规认证和市场渗透等关键环节已具备与国际巨头同台竞技的硬实力，为下游应用端的成本优化与供应链安全提供了坚实支撑。