FIB / TEM 打样代工平台开放|3nm及以上工艺检测

FIB / TEM 打样代工3nm 节点切片分析，本地化产能，价格更实在

FIB 制样 + TEM 分析一站到底，最快 24 小时出结果——高端工艺切片，不用再排长队、付高价。

做先进制程芯片的朋友，都绕不开这道坎：

器件要做截面分析、失效分析、工艺制程验证，就得靠 FIB 切片 + TEM 观察。

但现实是——能做 5nm / 3nm 节点切片的实验室少、排队长、报价高，样品寄出去几周才有结果，急起来干着急。

这篇说个实在的：我们提供 FIB / TEM 打样代工服务，设备顶配、案例过硬、交付快、价格实在。有样品，直接寄来打样就行。

一、我们能做什么（FIB + TEM 为核心）

▍FIB 聚焦离子束：制样与截面分析

TEM 样品制备（定点 lamella 制样）

截面分析（cross-section），看结构、看界面、看缺陷

定点切割、失效部位精准定位

▍TEM 透射电镜：成像与成分分析

微观形貌观察、晶体结构分析微区成分分析、EDS 元素面分布（mapping）原子级分辨，看清每一层

▍一站到底的闭环

样品前处理 → FIB 制样 → STEM 成像 → EDS mapping，全流程在一个平台内完成，不用在几家之间来回寄样、对接、扯皮。

▍配套能力

SEM 扫描电镜、OM 光学显微镜、失效分析（PFA）等配套，覆盖 FinFET、SRAM、DRAM、硅光芯片、MEMS 等各类器件的切片与失效分析。

二、实力：设备顶配 + 先进制程案例

设备阵容（高端、多台、不排队）4 台 FIB Helios G5（UX / CX）—— 制样与截面产能充足

2 台 Talos F200X G2 TEM—— 高分辨成像与成分分析

整套样品前处理设备（研磨抛光、匀胶、ALD 等），满足全流程需求

技术储备：3nm 及以上工艺制程检测能力

真实案例：5nm SOC 芯片工艺制程切片分析

NMOS X-Cut（Poly on Fin）：样品前处理 + FIB 制样 + STEM + EDS mapping，M0~M7 金属层清晰可辨

PMOS VDD Y-Cut：同样一套流程，Fin、栅、金属层结构与成分一目了然能做 5nm FinFET 的截面 + STEM + EDS，你的器件自然不在话下。

三、为什么选我们：快、稳、价格实在

▍价格更实在

可以做到全网最低的价格——同样的高端分析，花得更少。

▍交付更快

最快 48 小时交付本地化产能，日产能 >120 片，急单也接得住

▍产能足、不排队

4 台 FIB + 2 台 TEM 的多机产能，不用像别处那样排上几周——你的样品，排得上、做得快。

四、来样打样

FIB 制样、TEM 分析、截面切片、失效分析（PFA），V：wafer18