公开资料显示,7nm full mask set 常见估算大约在 1000万—1500万美元以上,折合人民币大约就是7000万—1亿多元;如果是非常复杂的大芯片、DUV多重图形化层数多、EUV mask占比高,成本还可能更高。
一、一颗芯片不是一张mask,而是一整套mask
很多人一听“一套mask上亿”,会误以为是一张掩膜版卖上亿。
不是。
贵的是一整套mask set。
芯片不是一层结构,而是很多层堆出来的。晶体管层、栅极层、接触孔层、金属互连层、通孔层、钝化层,每一层都需要不同的图形。每一层图形都要有对应的mask。
先进芯片会用到60多个独立光刻层,每一层都需要独立photomask,所有这些mask合在一起才叫mask set;并且每一个独特芯片设计都需要自己的mask set。
到了先进节点,层数更多,图形更复杂。
N28典型设计大约是52张mask,N14大约是66张mask,而N7早期预测如果只用光学多重图形化,可能超过80张mask。
所以7nm为什么贵?
因为它不是买一张mask,而是买几十张,甚至七八十张mask。
二、7nm最贵的是多重图形化
7nm早期如果不用EUV,主要靠193nm ArF浸没式光刻继续往下做。
问题是:193nm波长已经远大于7nm这个工艺节点所对应的关键图形尺度。
怎么办?
只能用多重图形化。
也就是把一层本来想一次曝光完成的图形,拆成两次、三次、四次,甚至更多次曝光和刻蚀。
比如双重图形化、三重图形化、四重图形化,或者自对准双重图形化、自对准四重图形化。
这样做的结果是:
同一层电路,不一定只需要一张mask。
原来一层金属线,一张mask就能做;到了先进节点,可能要拆成line mask、cut mask、block mask等多张mask组合完成。
这就是7nm mask数量暴涨的核心原因。
EUV出现以后,理论上可以减少一部分多重图形化。但EUV不是免费降低成本。
它减少了一些DUV多重图形化层数,但单张EUV mask更贵。
EUV mask按约50万美元/张估算,而ArF wet mask约16.5万美元/张,KrF/ArF dry mask约6.5万美元/张。也就是说,一张EUV mask的成本大约可以按多张ArF mask来理解。
所以7nm有一个很微妙的现象:
不用EUV,mask数量多;用了EUV,mask数量可能少一些,但单张EUV mask贵。
这就是7nm mask set成本居高不下的原因。
三、7nm一套mask真实成本大概多少?
这里要说清楚:
7nm mask set没有一个全行业统一价格。
不同晶圆厂、不同工艺版本、不同客户、不同芯片复杂度、不同EUV层数、不同mask shop报价,价格都会变。
但我们可以用公开资料给出一个比较靠谱的区间。
90nm到45nm mask set大约是几十万美元级别,28nm超过100万美元,到了7nm则超过1000万美元,3nm会向4000万美元量级推进。
但也要注意,客户实际支付多少,还取决于Foundry报价、是否是full mask、是否是MPW、是否只改部分mask、是否有长期客户折扣,以及是不是内部mask shop计价。
四、为什么单张mask也这么贵?
一张先进mask贵,主要贵在四个环节。
第一是基板和膜层。
普通DUV mask通常是石英基板加铬膜、相移膜等结构。到了EUV,mask就变成反射式结构,不再是简单透射式结构。
EUV mask常见结构包括Mo/Si多层反射膜、Ru保护层、Ta系吸收层等。相关研究中对EUV mask stack的描述,就是Mo/Si multilayer加Ru保护层,再加TaBN/TaBO吸收层。
这意味着EUV mask blank本身就很难做。
第二是图形写入。
mask上的图形不是普通曝光印刷出来的,而是用高精度电子束写入设备写出来。
先进芯片版图经过OPC以后,图形会变得非常复杂。原始设计里一条简单线,到了mask数据里可能被修成各种辅助图形、锯齿边、补偿结构。
这样做的目的是抵消光学邻近效应,让最终投到晶圆上的图形更接近设计目标。
图形越复杂,数据量越大,电子束写入时间越长,成本越高。
第三是检测和修复。
晶圆上的随机颗粒,可能只影响一颗die或者一片区域。
但mask上的缺陷,如果处在有效图形区域,每曝光一次都会重复出现。
所以mask必须进行极严格的检查。
第四是验证和风险成本。
mask不是做完就完事,还要和光刻工艺、光刻胶、OPC模型、刻蚀工艺、量测数据一起验证。
一张mask如果有问题,轻则返修,重则重做。
如果整套mask里关键层出错,可能导致整批试产晶圆报废,甚至导致芯片项目延期。
所以mask价格里包含的不只是材料和加工费,还有极高的检测、验证、良率风险和交期风险。
五、为什么7nm mask比28nm贵这么多?
28nm已经不便宜,但7nm比28nm贵很多,主要有几个原因。
第一,mask数量更多。
28nm一套mask可能几十张。7nm因为FinFET结构、多层互连、多重图形化,mask数量明显增加。
第二,关键层更贵。
不是每张mask价格一样。
有些非关键层图形相对宽松,mask价格低一些。
但关键层,比如fin、gate、contact、via、metal critical layer,要求极高,OPC复杂,检查更严格,价格也更高。
第三,OPC和计算光刻更复杂。
节点越先进,mask图形越不像原始电路图形。
为了让晶圆上最终图形正确,mask上要加大量补偿。
这导致mask data preparation、OPC、ILT、fracturing、verification都变得更贵。
第四,多重图形化增加了mask和验证成本。
如果一层拆成三四张mask,不只是mask数量增加,还增加了mask之间的套刻要求和工艺验证难度。
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