砸422亿！铠侠拟新建NAND工厂

日本领先的半导体公司铠侠（Kioxia）宣布投资超过1万亿日元（约合422亿元人民币），建设一座大型新型存储器工厂，以满足人工智能（AI）领域日益增长的需求。

据《日本经济新闻》8月27日报道，铠侠决定在其位于岩手县北上市的工厂内新建第三座生产工厂。该工厂将大规模生产用于长期数据存储的NAND闪存。

铠侠目前拥有两大核心生产基地：位于三重县四日市的工厂和位于岩手县北上市的工厂。北上工厂的第二座生产厂房已投入运营。铠侠社长太田博夫此前在一次简报会上表示，新工厂的建设讨论已经启动，预计将于2029年或2030年后投产。据报道，该公司已开始与包括半导体制造设备供应商在内的一些合作伙伴洽谈，商讨新工厂的设备采购事宜。

这项大规模投资将以合资企业的形式进行，合作方为与长期合作伙伴美国闪迪（SanDisk）。预计该项目还将利用日本经济产业省的补贴，该部门旨在加强日本国内半导体生产能力，以保障经济安全。

铠侠此次大胆投资的背景是全球人工智能市场快速增长，带动了数据中心对高性能存储器的爆炸式需求。铠侠近期已开始向人工智能数据中心市场提供“第十代NAND闪存”产品的样品，并将于明年开始全面量产。据报道，第十代产品的数据处理速度比上一代产品（3.6 Gbps）提升了30%以上，数据存储密度提高了60%，读取能效提高了约30%。半导体行业普遍认为，铠侠（Kioxia）第十代NAND闪存的量产比三星电子等竞争对手预计的上市时间（2027年中期）提前了大约一年。事实上，日本当地媒体报道称，包括英伟达（Nvidia）在内的全球大型科技公司纷纷向铠侠订购高性能NAND闪存。然而，分析师指出，尽管铠侠在技术研发方面取得了如此积极的进展，但其市场地位仍然岌岌可危。市场研究公司TrendForce的数据显示，今年第一季度，铠侠在全球NAND闪存市场（按价值计）的份额为13.9%，位列第三，落后于行业领头羊三星电子（31.6%）和第二名SK海力士（17.6%）。

与韩国竞争对手之间此前超过两年的技术差距已缩小至约一年。此外，该公司在维持大规模工厂投资的财务能力方面，被认为不如韩国存储器企业。同时，也有观点认为，由于长江存储技术股份有限公司（YMTC）和长信存储（CXMT）等中国半导体公司在政府大力支持下加速发展，该公司陷入了“夹缝”困境。

尽管太田社长一直坚持优先考虑盈利能力而非市场份额，但他似乎已经意识到，强大的技术实力必须辅以稳定的量产能力，才能抵御韩国竞争对手的大规模工厂投资以及中国后起之秀的追赶。