英特尔CEO：明年内存短缺加剧，价格已飙升5-7倍

随着AI基础设施的扩张导致内存半导体供应短缺加剧，预测显示，明年的供应紧张和价格上涨态势可能会进一步恶化。

由于产能大量集中于高带宽内存（HBM），导致通用内存供应趋紧；与此同时，确保数据中心基础设施（如电力和冷却系统）的供应也正成为新的瓶颈。

当地时间9月15日，在加州圣克拉拉举行的“2026年AI基础设施峰会”上，英特尔首席执行官陈立武（Lip-Bu Tan）指出，内存短缺是AI基础设施行业面临的严峻挑战，并预测“情况将会恶化”。

在此次活动中，英特尔重点讨论了构建涵盖芯片、系统及软件的AI基础设施生态系统，以及深化行业合作等议题。

“当我在去年初提到内存可能成为主要瓶颈时，似乎很多人并未意识到这一点，”陈立武说道，“如今情况确实如此，而且还会进一步恶化。”他补充道：“内存产能极其有限；许多项目因无法获得足够的内存而延期，价格也已飙升了5到7倍。”他还指出，对于中低端智能手机和笔记本电脑的生产而言，获取内存正变得日益困难。

AI数据中心的投资是导致内存供应紧张的核心原因。随着HBM（能够配合GPU快速处理海量数据集）在提升AI计算性能方面的重要性日益凸显，三星电子、SK海力士和美光等主要内存制造商纷纷调整产能，优先生产HBM。HBM需求的激增使得生产线和设备资源向其倾斜，从而影响了通用DRAM等传统内存产品的供应，并导致整体内存供需平衡趋紧。市场分析师指出，HBM4与服务器内存需求的同步增长，正导致DRAM和NAND闪存的库存进一步吃紧。

陈立武指出，除了内存问题外，电力和冷却技术也是AI基础设施扩张过程中必须解决的关键挑战。他解释称，AI数据中心大规模部署计算硬件正推动电力需求激增，与此同时，如何利用冷却技术高效处理高密度半导体产生的热量也变得愈发重要。

他指出，除了风冷技术外，还可以采用液冷和微流体冷却等方案，并补充道英特尔（Intel）正在投资这些技术。他还强调了改进半导体架构与互连技术以降低功耗的重要性。

他进一步指出，AI半导体市场的竞争正从单一芯片性能的较量转向系统层面的竞争。英伟达（Nvidia）和AMD等公司将GPU、CPU、网络组件及软件整合为统一的机架级系统，便是这一趋势的典型例证。

“审视系统机架、管理工作负载、根据客户需求定制解决方案并与客户展开合作至关重要，”首席执行官Tan说道，以此强调了采取系统级策略的必要性。英特尔计划采取一种既与英伟达竞争、又在各自具备竞争优势的领域展开合作的策略。

在存储芯片供应紧张的背景下，各大企业正加速扩大产能并实现供应链多元化。

与此同时，路透社9月16日援引多位消息人士的话报道称，SK海力士（SK Hynix）正就美国本土生产存储半导体事宜与英特尔进行商谈。据报道，SK海力士正考虑通过租赁英特尔在俄亥俄州长期建设的半导体制造设施的一部分，来生产存储芯片。

另据报道，各方还在商讨建立一家由SK海力士、英特尔及主要云服务提供商共同参与的合资企业（JV）。不过，这些谈判的具体细节以及最终能否达成协议，目前尚未得到证实。

随着近期AI数据中心的扩张，市场对HBM（高带宽内存）及通用服务器内存的需求均在增长，确保供应链安全已成为决定竞争力的关键因素。因此，预计存储芯片制造商在扩大产能的同时，也将着手在美国等主要市场建立本地生产与采购体系。