核心数与架构特性
宽压适配能力:输入电压范围覆盖3.3V~32V,输出电压可从5V拓展至500V,完全覆盖两类升压工况,还支持12V转150V高压输出、隔离型Boost拓扑设计。
外置NMOS灵活架构:内置大电流MOS驱动单元,无需额外驱动放大电路,仅通过更换不同规格的外置NMOS管,就能灵活调整输出电流与功率等级,适配从低压小功率到高压大功率的全场景需求。
低频率设计优势:采用固定75KHz开关频率,大幅降低开关损耗与EMI设计难度,外围可直接使用低成本通用电解电容,无需选用高价高频低阻电容,有效控制BOM成本。
全工况保护机制:集成逐周期峰值限流、可编程软启动、输出过压保护、芯片过热保护、输出短路保护,无需额外外围保护电路即可保障系统长期稳定运行。
两类目标工况实测表现
| 输入条件 | 输出规格 | 实测功率 | 典型适配场景 |
|---|---|---|---|
| 6V直流输入 | 12V/2A输出 | 24W | 便携式设备升压供电、单节锂电升压供电 |
| 12V直流输入 | 48V/0.83A输出 | 40W | 铅酸电池充电、工业辅助电源生成 |
工程设计关键注意事项
外置NMOS选型需预留30%以上耐压余量,避免开关尖峰击穿器件;输出电压越高,对功率管的耐压要求也相应提升。
功率电感的饱和电流需按最大输入电流的1.5倍以上选型,防止电感进入饱和状态导致电流失控。
高压输出场景下输出电容需串联均压电阻,优先选用耐高压的电解电容串联组合,避免单颗电容过压击穿。
功率回路走线尽量短而粗,减少寄生电感,降低开关尖峰电压,进一步提升系统稳定性。
该芯片采用标准SOP-8L通用封装,引脚定义兼容市面主流升压驱动器,PCB Layout可直接复用成熟设计,大幅降低开发门槛,非常适合工业电源、新能源充电、高压照明等场景的升压方案落地。
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