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JSM9958 高密度沟槽双 P‑channel MOSFET

7小时前
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在消费电子、工业小功率电源设计中,双 P 沟道 MOSFET是电源路径管理、负载开关、电池保护电路的核心器件。SOP‑8 封装内置两路独立 P‑MOS,单颗器件实现双路电源控制,既简化 PCB 布局,又能够根据需求并联扩流,长期以来是硬件工程师常用的经典器件方案。

但在实际项目推进过程中,不少研发与采购团队会遇到老牌进口型号交期长、供货不稳定、成本持续上涨等现实难题。寻找引脚完全兼容、性能指标对标、可靠性经过完整验证的国产替代型号,已经成为硬件设计阶段的重要工作。

今天为大家带来杰盛微(JSMSEMI)全新推出的JSM9958 高密度沟槽双 P‑channel MOSFET,该型号实现与 FDS9958‑NL 引脚定义完全兼容,SOP‑8 标准封装,可直接兼容原有 PCB,无需修改版图,为广大工程师提供稳定可靠的国产选型方案。

一、工艺内核:高密度沟槽技术打造高性能双 P‑MOS

杰盛微 JSM9958 采用自研先进高密度 Trench 沟槽工艺,这也是该型号性能表现的底层技术支撑。沟槽工艺通过优化芯片内部元胞密度,在芯片面积有限的条件下,兼顾低导通电阻 RDS (on)与超低栅极电荷 Qg两大核心指标,打破二者互相制约的痛点,同时实现导通损耗与开关损耗的双向优化。

JSM9958 为 SOP‑8 封装内部集成两路完全独立的 P 沟道 MOSFET,两路管子互不干涉。硬件设计上有两种实用用法:第一,两路分开独立使用,实现双路负载开关,管控两组供电回路;第二,两路 MOS 管引脚并联,提升整体通流能力,降低导通发热,适配更大电流工况。

引脚排布和参考对标型号保持一致:1 脚 S1、2 脚 G1 为第一路源极、栅极;3 脚 S2、4 脚 G2 为第二路源极、栅极;5、6 脚共 D2,7、8 脚共 D1 分别为两路漏极。工程师直接沿用原有硬件原理图与 PCB,不用重新改板,极大缩短国产化替换的项目周期。

器件严格遵循 RoHS 绿色产品规范,完成全套可靠性验证,满足消费类、工业类产品环保物料要求,可直接用于量产项目。同时器件具备优异的 CdV/dt 抑制能力,改善 MOS 管在高频开关工况下的干扰问题,提升整机系统抗干扰性能,降低 EMI 调试难度。

二、核心参数解读,看清器件硬实力

JSM9958 关键电气参数与对标型号保持对齐,下面针对选型重点参数做拆解,方便工程师快速评估适配性。

表格

参数
规格
说明
通道配置
双P‑沟道 MOSFET
SOP‑8 封装,两路管子相互独立
漏源耐压 BVDSS
-60V
适合最高 48V 以内的低压电源系统
连续漏极电流 ID(25℃)
-8.0A
单管直流额定电流
连续漏极电流 ID(70℃)
-6.2A
高温环境下降额电流,实际设计务必参考高温参数
脉冲漏极电流
-16.2A
应对上电、感性负载冲击电流
导通电阻 RDS (on)
典型 70mΩ@VGS=-10V
导通电阻越低,回路发热越小,转换效率越高
栅源电压 VGS
±20V
兼容常规‑4.5V、‑7V、‑10V 驱动电平
单脉冲雪崩能量 EAS
69.7mJ
具备雪崩耐受能力,应对感性负载电压尖峰
总耗散功率 PD
6.1W(25℃)
功耗受结温限制,最高结温 150℃
工作温度范围
-55℃~+150℃
覆盖民用、工业级宽温工作场景
包装规格
SOP‑8,3000PCS / 卷
标准编带,适合 SMT 自动化贴片生产

设计小提示:手册标称电流为标准测试板条件下的参数,实际整机应用,PCB 铜箔大小、散热条件、环境温度都会影响器件实际通流能力,电路设计需要预留充足降额余量,不要直接满参数运行。

从电气特性来看,JSM9958 拥有较低的栅极电荷,栅源电荷 Qgs、总栅电荷 Qg 控制优秀,开关速度表现亮眼,开通上升时间 Tr、关断延迟参数满足中小功率高频开关场景。器件内置寄生体二极管,在电机、继电器等感性负载场景,可提供续流通路,吸收反向电动势,保护功率回路。

器件完整输出全套典型特性曲线:输出伏安特性曲线、导通电阻随栅压变化曲线、体二极管正向特性、栅极电荷曲线、阈值电压随结温变化、导通电阻温度特性、电容特性、安全工作区 SOA、瞬态热阻抗、开关时序波形、非钳位感性雪崩 EAS 波形。全套曲线可以给到硬件工程师仿真、环路计算、温升评估充分的数据支撑,方便前期方案评估。

这里有一个非常关键的设计要点:P 沟道 MOSFET 导通电阻 RDS (on) 会随着结温升高而增大。系统长时间大电流工作,芯片温度上升,导通损耗会进一步变大,形成正反馈。所以在高温工况下,一定要重视 PCB 散热铜箔设计,充分利用 SOP‑8 焊盘进行散热,必要时做降额使用。同时栅极阈值 VGS (th) 也会随温度漂移,做逻辑电平驱动设计时,要兼顾低温、高温全温域的导通条件。

三、丰富落地场景,覆盖多类电源开关需求

凭借‑60V 耐压、双路独立 P‑MOS、优秀开关性能,JSM9958 适合大量中小功率电源管理场景。

✅ 负载开关与电源路径管理这是双 P‑MOS 最经典的应用。使用单颗 JSM9958 实现两路供电通路控制,实现模块上电、断电、电源切换。P 沟道 MOS 作为高边开关,驱动电路简单,无需复杂自举电路,MCU 电平即可完成控制,简化 BOM 物料。常见于工控板卡外设供电、智能家电主板、便携设备电源分配。

✅ 电池保护与充放电回路适用于多串锂电池、铅酸电池低压系统,用于充放电通路开关,低导通电阻减少电池回路压降,降低电量损耗。同时可以配合外围电路做防反接、电源热插拔保护。

✅ 小功率 DC‑DC、隔离辅助电源低压开关电源辅助回路,作为功率开关器件,低栅电荷特性保障开关效率,减少开关损耗,提升电源整体转换效率。

✅ 微型电机、风扇、继电器驱动回路小功率有刷电机、散热风扇控制,感性负载下依靠内部体二极管吸收反向电压尖峰。双管可以搭建简易 H 桥,实现电机正反转控制,应用于智能家居、小型电动设备。

✅ 工业控制板、安防设备、物联网终端各类工业终端、摄像头、网关设备内部多路电源管控,‑60V 耐压可以应对 48V 总线系统,耐受电源浪涌冲击。

使用提醒:JSM9958 两路 MOS 虽然集成在同一个封装,但是两路电气互相独立,设计时注意引脚不要出现短路;感性负载应用,要充分评估雪崩应力,尽量不要让器件长期工作在雪崩状态。

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