Flash 模拟 EEPROM 初始化参数、软硬件例程与工程移植要点

1. 例程硬件设计说明

例程硬件由两部分构成：

1. APM32F4xx 片内 Flash 存储；
2. USART 串口电路，PA9 (TX)、PA10 (RX) 外接 ST3232ECTR 芯片，USB‑TTL 转换，用于打印测试结果。

测试串口配置参数：波特率 115200，8 位数据位，1 停止位，无校验，无硬件流控。

资料获取：AN1094_APM32F4xx Flash模拟EEPROM 应用笔记

2. 关键宏定义与初始化参数完整解析

文档示例配置（以扇区 1 作为模拟区域）

#define ADDR_FLASH_SECTOR_1 ((uint32_t)0x08004000)  /*16Kbytes*/
#define ADDR_FLASH_SECTOR_2 ((uint32_t)0x08008000)  /*16Kbytes*/
#define ADDR_FLASH_SECTOR_3 ((uint32_t)0x0800C000)  /*16Kbytes*/
#define FLASH_SECTOR_SIZE ((uint32_t)(1024*16))
#define FLASH_EE_TOTAL_SIZE ((uint32_t)(1024*16*2)) //必须扇区大小整数倍
#define FLASH_EE_START_ADDR ADDR_FLASH_SECTOR_1     //扇区对齐起始地址
#define FLASH_EE_END_ADDR (ADDR_FLASH_SECTOR_1 + FLASH_EE_TOTAL_SIZE)
#define BUFFER_SIZE 64
#define FLASH_EE_TEST_ADDR (uint32_t)0x08007FF0

参数说明：

1. FLASH_SECTOR_SIZE：选用扇区大小，本示例 16KB；
2. FLASH_EE_TOTAL_SIZE：模拟 EEPROM 总容量，必须为扇区大小整数倍；示例取 2 个扇区；
3. FLASH_EE_START_ADDR：起始地址，必须扇区边界对齐；
4. RAM 缓冲区定义：uint8_t Flash_EE_Ram_Buffer[FLASH_SECTOR_SIZE];大小和扇区完全一致；
5. Flash 参数数组通过__attribute__((section(".ARM....")))指定段地址，防止编译链接时应用代码占用模拟 EEPROM Flash 空间。

3. 软件例程整体执行流程

1. 初始化 USART 串口；
2. 填充测试写缓冲区；
3. 调用Flash_EE_Write()写入测试数据；
4. 调用Flash_EE_Read()读出数据；
5. 比对写入、读出缓冲区内容；
6. 串口打印：Test Successful!或者Test Error!。

4. 核心函数逻辑

1. Flash_EE_Write 核心输入：写入地址、数据源指针、写入字节长度。 逻辑：计算扇区内偏移地址；区分地址是否扇区对齐；判断是否跨扇区；拆分调用单扇区写函数Flash_EE_WriteOneSector()。
2. Flash_EE_WriteOneSector ① Flash 解锁 FMC_Unlock； ② 扫描扇区判断是否需要擦除； ③ 需要擦除：读取整个扇区到 RAM 缓冲区，修改缓冲区对应偏移，擦除 Flash 扇区，把缓冲区完整回写； ④ 不需要擦除：直接字节编程写入； ⑤ Flash 上锁 FMC_Lock。
3. Flash_EE_Read / Flash_EE_ReadByte 直接指针解引用读取 Flash 地址字节，循环批量读取，无擦除操作。

5. 工程移植、链接脚本配置要点

1. 扇区选择：仅允许扇区 1、2、3，禁止扇区 0、5‑11；
2. 内存约束：RAM 必须预留等于扇区大小的全局缓冲区；使用 16KB 扇区，RAM 至少多出 16KB；
3. 链接脚本 sct 修改：通过__attribute__((section))或者修改 scatter 文件，把模拟 EEPROM Flash 区域排除出代码编译区间，防止编译器把程序代码覆盖数据扇区；
4. 起始地址必须严格扇区对齐，总容量必须是扇区尺寸整数倍；
5. 不要使用 OTP、选项字节来存储业务参数。

6. 调试验证方法

1. 编译下载例程；
2. 串口工具配置 115200‑8‑1‑N；
3. 观察打印输出；
4. 可修改FLASH_EE_TEST_ADDR跨扇区地址，验证跨扇区读写稳定性。