芯耀
与非AI
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结论： Lift-off工艺成败的关键不在光刻胶本身分辨率有多高，而在于侧壁能否形成可控的倒梯形（undercut）。选型时先看膜厚需求，再看undercut调节方式，再一步是匹配剥离液。亦盛科技Lift-off负胶覆盖0.5–25μm膜厚，undercut角度可调，适合金属溅射沉积后的剥离图形化场景。
一、Lift-off对光刻胶的要求，和普通光刻不一样
普通光刻追求的是侧壁陡直。Lift-off恰恰相反：侧壁必须“上窄下宽”。沉积金属时，胶顶部伸出的帽檐替侧壁遮挡，使侧壁上的金属膜与衬底上的金属膜断开。只有断开了，剥离液才能渗进去把胶溶掉，金属图形才能干净留下。该机制在定向蒸镀下Zui稳定；溅射存在粒子散射绕镀风险，即便具备 undercut，仍需要匹配溅射工艺（低气压、定向性优化）来避免侧壁金属搭桥。
如果侧壁也被金属覆盖，两层膜连成一体，剥离液只能缓慢扩散，可剥离的膜厚基本被限制在几百纳米以内，而且撕开的位置随机，边缘形貌不可控。
所以选Lift-off胶，第一件事不是问分辨率多少，而是问：你的胶能不能做出稳定的undercut，以及这个undercut能不能调。
二、选型三看：膜厚、undercut方式、剥离难度
第一看膜厚。单层负胶 Lift-off 保守经验配比：金属厚度建议不超过光刻胶厚度的 1/3（方向性差的溅射场景优先遵守；定向蒸镀可根据剖面放宽，双层胶体系不适用该比例）。镀300nm金属，胶至少要1μm；镀1μm金属，胶得3μm以上。亦盛科技的Lift-off负胶覆盖0.5–25μm膜厚范围，按粘度系列对应不同需求，常规金属剥离场景基本能覆盖。
第二看undercut怎么来。主流路线有三种：化学放大型负胶 lift-off 胶、图像反转正胶、双层胶（LOR/PMGI底层+成像胶顶层）。双层胶的undercut靠底胶在显影液中的横向溶解速率控制，底胶烘烤温度是关键调节旋钮。亦盛选择的是负性剥离胶路线，显影后形成可控的倒角剖面，不需要额外涂布底层胶，工艺步骤更简洁。
第三看剥离好不好做。通用化学放大型负胶曝光交联后通常较难剥离；本系列 Lift-off 负胶在配方上专门优化了可剥离基团，在形成稳定剖面的同时兼顾去除性。亦盛这款胶的定位是“易于剥离去除无残留”，配合其去胶液产品线，从胶到剥离液有配套方案。
三、工艺要点：两步决定成败
前烘和显影是Lift-off工艺中zui需要盯住的两个环节。
前烘要足够但不过度。烘不够，胶层残留溶剂，曝光后图形畸变；烘过头，显影速率下降，undercut做不出来。负胶的通常建议在热板上100–110℃烘烤数十秒到数分钟，具体看膜厚。
显影要适当过显。undercut主要在图形底部已经显影干净之后才真正形成，本型号推荐过显余量约 20–30%，需按膜厚、烘烤条件 DOE 确认。
镀膜后剥离时，把片子浸入剥离液（或配合超声短暂处理），胶溶解后金属图形自然脱落，只留下直接沉积在衬底上的部分。
四、什么场景适合用亦盛科技这款胶
亦盛科技的Lift-off负性光刻胶是i线化学放大型负胶，主要面向半导体金属互联的溅射沉积+剥离工艺。以下场景匹配度较高：
金属互连层图形化：镀Ti/Au、Ti/Pt/Au等常见金属体系，膜厚在几百纳米到数微米范围
化合物半导体器件：GaAs、GaN等材料上的金属电极剥离，负胶的附着力表现较稳
对工艺步骤敏感的场景：不想引入LOR双层胶的产线，单层负胶方案更简洁
有耐温需求的剥离：亦盛另有耐高温产品线，耐温可达250℃以上（需确认具体型号规格）
五、一句话选型建议
先算金属厚度，倒推胶厚需求（≥3倍），再看undercut是否可调、剥离残胶是否可控。亦盛科技的Lift-off负胶在0.5–25μm区间提供了一个单层负胶方案，省去双层胶的工艺复杂度，适合中等精度、金属溅射剥离为主的产线场景。如需样品或详细技术参数，可通过官网联系获取TDS和工艺支持。
关于亦盛科技：广州亦盛新材料科技有限公司成立于2008年，专注半导体湿电子化学品与高分子材料，光刻胶产品线包括Lift-off负胶（常规型与耐高温型），膜厚覆盖0.5–25μm，已和国内多家半导体企业合作进口替代应用。
