《CoWoS与CoPoS先进异构集成封装中AI-HPC的测试插入点与测试挑战》报告面向AI/HPC 异构集成时代,围绕CoWoS、CoPoS(晶圆级/面板级 2.5D封装),结合HBM、CPO共封装光学,分析Chiplet芯粒异构封装全流程的测试插入点、行业测试痛点与解决方案思路。
一、技术趋势
1.AI 驱动市场爆发:Yole预测未来三年数据中心处理器市场规模将翻倍,超过 3500亿美元,GPU均价持续走高。先进工艺节点演进到3nm-1.4nm,每一代节点对应的测试工程工作量成倍增长。
2.架构切换:从单片大芯片走向Chiplet 异构集成依靠CoWoS/CoPoS 2.5D异构封装,把计算芯粒、HBM 存储、I/O、硅光引擎集成在同一个封装内部。
CoWoS:基于 300mm 硅晶圆中介层的晶圆级封装;
CoPoS:基于大尺寸面板中介层的面板级封装,面板方案面积利用率更高、具备降本潜力。
3.技术同步演进:HBM高带宽内存迭代、CPO 共封装光学、UCIe 芯粒间高速接口成为 AI-HPC 标配,也带来全新测试诉求。
4.功率与散热挑战:AI 封装功率密度持续攀升,已经超出风冷能力边界,液冷成为必选项;对应测试环节需要主动热控,测试功率可达5kW 以上。
二、CoWoS/CoPoS制造流程与多级测试插入点
异构封装不再只有晶圆分选、成品测试两级,中间子组装环节必须新增多处测试插入点,提前筛除不良件,避免把坏 die 投入昂贵的封装工序,减少报废成本。
1.Wafer Sort 晶圆分选:晶圆阶段完成裸片测试;包含计算芯粒晶圆、中介层晶圆、HBM 晶圆分选。
2.Singulated Die Test切割裸片测试:晶圆划片之后,做 KGD 已知好裸片筛选,是芯粒良率的基础。
3.CoW Module Wafer Test CoW子组装晶圆级测试:芯粒、HBM 键合到中介层之后,还未划片,在晶圆上对子组装模块做完整性检测,验证微凸点 μbump、TSV 互连。
4.Singulated CoW Module Test切割后CoW模块测试:将CoW子组装从晶圆/面板切割分离,对子模块整体做模块级测试,这是 CoWoS/CoPoS 新增的关键中间测试步骤,需要升级探针台设备。
5.Package Test 成品封装测试:分为FT最终测试、SLT系统级测试。
三、先进异构封装核心测试挑战
1、高速互连与 3D 堆叠测试
海量高密度微凸点、TSV 互连,互连数量可达十万级别,间距不断缩小,探测难度大;
Die-to-Die 高速接口(UCIe 等),驱动能力弱,对测试夹具信号完整性要求严苛;
非底层芯粒测试访问困难,依靠IEEE 1838 3D 堆叠测试访问架构,实现 INTEST 内部测试、EXTEST 互连测试,EDA 工具已经开始支持该标准。
2、大功率与热管理测试挑战
AI-HPC封装整机功率急剧提升,测试工况电流可达数百安,测试功率突破 5kW;
多功率域、多热区,需要多区独立热控;需要主动热控 ATC 技术,精准控制结温,缩小热保护裕量;
需要支持 Mission-Mode 任务模式测试,复现真实业务负载工况。
3、CPO 硅光混合测试挑战
需要同一套测试系统同时完成电学与光学测试;包含光纤亚微米级对准、双面探测、224Gbps及以上高速信号;多波长、大量光通道;光引擎与计算芯片共封装带来大功率散热耦合问题。
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