思瑞浦新一代通用隔离栅极驱动全面出击！

聚焦高性能模拟与数模混合产品的供应商思瑞浦3PEAK（股票代码：688536）依托自有COT工艺平台设计，在12寸晶圆上，开发出隔离耐压更高、绝缘性能更强、使用寿命更长、封装及功能更为全面的新一代隔离栅极驱动产品，包括带米勒钳位功能的电压输入型单通道及双通道隔离栅极驱动芯片、以及兼容光耦的电流输入型单通道隔离栅极驱动芯片等，在工业、储能、光伏、汽车、通信等应用中广泛使用。公司在驱动方向持续大力投入，包括低边栅极驱动、半桥/多路栅极驱动、隔离栅极驱动等，2026年上半年栅极驱动产品营收同比增长112%。

思瑞浦栅极驱动产品线涵盖低边、半桥及隔离等多种类型，100多款高性能栅极驱动产品，旨在为MOSFET、SiCFET、GaNFET 和IGBT等功率器件提供稳定可靠的驱动解决方案。产品广泛应用于HVDC、机器人、先进制造、储能及电力系统等领域，已获得超过千家客户的长期信任，积累了超过亿片芯片的市场应用经验。思瑞浦栅极驱动器的关键特性包括低传输延迟、高共模瞬态抑制（CMTI）、增强隔离耐压以及大电流驱动能力。第二代隔离栅极驱动进一步优化CMTI超过150V/ns，EMI通过CISPR25 Class5最高标准。

第二代隔离栅极驱动依托自有COT工艺平台设计，具备增强型隔离能力，隔离耐压更高，绝缘性能更强。包括带米勒钳位功能的电压输入型单通道及双通道隔离栅极驱动芯片，以及光耦兼容性单通道隔离栅极驱动芯片等多款产品，具备欠压锁定、米勒钳位、分离输出、死区可调等不同功能。多重特性协同作用，提升电源系统效率，全方位保障系统高可靠运行。

增强型隔离栅，保障系统长期可靠运行

思瑞浦新一代隔离产品全系集成增强型隔离栅，15KV TDDB测试通过，失效率小于1ppm，预估使用寿命超30年，12kV surge测试通过。

高CMTI能力（共模瞬态抗扰度）

CMTI是衡量栅极隔离驱动在强电磁干扰环境下维持信号完整性能力的核心参数。在新能源汽车光伏储能、工业电机驱动等场景，半桥、全桥的SiC/GaN高频开关运行，浮地侧的源极电位会随功率器件通断快速跳变，dv/dt可达几十甚至上百V/ns，对驱动信号会有强烈共模干扰。思瑞浦新一代栅极隔离驱动实测±150KV/us动态CMTI通过，能够充分满足氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等宽带隙半导体材料的高频工作要求，有效抵御共模干扰，为高速驱动信号保驾护航。

多封装选择，适配多样化场景

思瑞浦新一代栅极隔离驱动可以提供WSOP、SOP、DFN等多种封装，适配不同场景的隔离电源产品。其中，WSOP6封装引脚完全兼容传统光耦方案，无需改板即可完成方案迁移； SOP封装适配通用量产场景，在保证安规隔离间隙的同时兼顾制造便利性；DFN封装热阻低、寄生参数极小，在高功率密度场景，可将驱动回路占板面积大幅压缩，支撑MHz级高频开关可靠运行，在极小体积内实现高CMTI和大电流驱动的双重需求，保障极端工况下的系统稳定运行。

多档位欠压锁定，适配不同功率管

欠压锁定功能能够实现供电异常时的输出自动封锁，规避功率管因驱动不足进入线性区过热烧毁。思瑞浦新一代栅极隔离驱动的欠压锁定功能涵盖6-V、8-V、12-V以及 18-V等多个档位，适配SiC/Mosfet等不同规格功率管。

死区时间可调，大幅降低开关损耗

思瑞浦新一代双通道栅极驱动产品TPM2155x、TPM2133X、TPM21231、TPM2x225等产品集成可编程死区时间功能。通过外围电阻精准调配死区时间，可根据SiC/GaN/硅MOS的开关特性精准设置上下管间隔，在完全避免桥臂直通的前提下将开关损耗压至最低。

电动化、智能化推动功率器件向着高频化、高压化演进，推动SiC/GaN的加速渗透，HVDC、光伏储能、智能计算、OBC等应用让隔离驱动变成系统的“刚需”。

从低边、半桥到补齐新一代隔离驱动产品矩阵，思瑞浦已经推出100多款栅极驱动相关产品，公司依托自有COT工艺平台与12寸晶圆推进平台化迭代，驱动电流将覆盖更多档位，5A、10A、15A，满足多管并联的需求；封装形式上，从窄体、宽体、超宽体的不同封装类型来满足更高的爬电距离要求；隔离耐压等级进一步提升，覆盖基础绝缘、加强绝缘；集成更多的保护功能，米勒钳位、去饱和保护、主动短路保护、软关断等。未来思瑞浦将加大研发投入，持续深耕驱动产品与技术，不断扩展栅极驱动产品系列，推出更多有竞争力的栅极驱动产品，助力光伏储能，智能计算等产业的高速发展！