盘点：四十余家企业，金刚石散热真实进度

01、单晶金刚石热沉片

企业：中兵红箭（中南钻石）、四方达（天璇半导体）、沃尔德、力量钻石、国机精工、化合积电、Element Six、Orbray、Diamond Foundry、住友电工

技术：以 CVD 同质外延在 HPHT 籽晶上逐层生长，室温热导率 2000 至 2200W/(m・K)，热膨胀系数约 1.1ppm/K，接近硅的 2.6ppm/K。受籽晶尺寸约束，主流规格 2 至 4 英寸；生长速率以微米每小时计，大尺寸厚度均匀性与切磨抛精度为主要障碍，表面粗糙度需达纳米级方可键合。中兵红箭在机构调研中称其研发的单晶散热片热导率可达 2000W/(m・K)；沃尔德公开口径为已研发出 12 英寸钻石散热晶圆；四方达的 4 至 12 英寸全覆盖说法出自券商梳理。

02、多晶金刚石热沉片与柔性薄膜

企业：黄河旋风（风优创）、四方达、惠丰钻石、沃尔德、国机精工、国机金刚石（河南）、化合积电

技术：柱状晶粒堆积生长，热导率约 1500W/(m・K)，低于单晶，但沉积面积大、速率高、单位成本可控。主流规格 6 至 8 英寸、厚度 0.1 至 1 毫米。黄河旋风子公司风优创的 8 英寸线于 2026 年 2 月 28 日投产，配置 50 台 MPCVD，一期投资 3.6 亿元，年产约 2 万片，产品覆盖 6 至 8 英寸多晶柔性薄膜及 0.1 至 1 毫米热沉片；惠丰钻石称已实现 8 英寸多晶热沉片规模化制备，其包头 CVD 项目总投资 10 亿元、原计划 7 月初投产。工艺关键在于大腔体 MPCVD 与温度场均匀性，成品须过翘曲控制与平坦化，国机团队称 2 英寸片翘曲度可压至 10 微米以内。

03、硅基金刚石复合基板

企业：化合积电（厦门）

技术：以硅为衬底原位生长大尺寸多晶金刚石薄膜，通过界面种晶设计调控厚度均匀度与界面热阻，将金刚石 — 硅异质键合转化为成熟的硅 — 硅键合体系。工程价值在于兼容现有硅基产线，下游无需大改工艺即可导入。公司称该硅基金刚石复合散热基板已通过海外头部 GPU、CPU 厂商全套封测验证，峰值结温可降约 24℃，计划 2026 年下半年批量供应，并称其为全球首款量产落地的硅基金刚石复合基板 —— 后一表述尚无第三方独立核实。该公司已完成六轮融资，贺利氏曾投资数百万欧元并取得董事席位。

04、金刚石铜复合材料

企业：南京瑞为新材、河南碳真芯材、宁波赛墨科技、哈尔滨一盛新材、长沙升华微电子、苏州思萃热控、苏州三帝精密、斯莱克、博敏电子、宏昌科技、九州一轨、有研工研院、Element Six、Plansee、住友电工

技术：铜基体中复合体积分数 30% 至 50% 的金刚石颗粒，行业区间热导率 600 至 800W/(m・K)，为纯铜的 1.5 至 2 倍，热膨胀系数可调至 5 至 7×10⁻⁶/K。工艺分粉末冶金、液相浸渗、气压熔渗、放电等离子烧结与粘结剂喷射 3D 打印等分支。核心障碍是金刚石与铜本征不浸润，界面过渡层不达标将使实测热导率低于纯铜。

企业口径的关键数据：瑞为新材称通过表面金属化改性与铜基合金化将界面热阻降低 80%，并称是国内首家实现金刚石散热材料批量供货的企业；河南碳真芯材称金刚石铜热导率 600 至 800W/(m・K)、年产能 1000 万平方厘米，2026 年 4 月实现规模化商用；宁波赛墨称其金刚石铜微通道产品在曙光数创 C8000 V3.0 兆瓦级相变浸没液冷整机柜中规模化落地；哈尔滨一盛称金刚石 / 铜热导率 750 至 980W/(m・K)；苏州三帝称粘结剂喷射工艺金刚石掺杂最高 70%、核心热阻较传统工艺降约 50%，中期规划微通道产线年产 50 万片以上。斯莱克于 2025 年 12 月设立斯莱克热控（常州），2026 年 3 月与北京科技大学签订装备开发技术合同，5 月 17 日称已开发出金刚石复合材料热沉结构件，目前在客户处测试验证。

05、金刚石铝复合材料

企业：南京瑞为新材、哈尔滨一盛新材、长沙升华微电子。

技术：铝基体替代铜基体，密度与原料成本更低，热导率 550 至 750W/(m・K)，低于铜基体系，但适配重量敏感的封装壳体、车载功率模块与微波组件。工艺以真空或气压浸渗为主，要点在于金刚石表面金属化与铝基体合金化的配比设计，抑制界面脆性相。一盛称其金刚石 / 铝热导率 550 至 750W/(m・K)、金刚石 / 铜 750 至 980W/(m・K)，并称高于住友电工、Plansee 同类产品，属企业口径。

06、金刚石 — 碳化硅复合材料

企业：黄河旋风

技术：金刚石与碳化硅两种高热导、低膨胀材料复合，公司披露该复合材料热导率突破 700W/(m・K)，热膨胀系数向 SiC 靠拢，以匹配碳化硅功率模块封装工况。难点在固相烧结致密化与界面反应控制。

07、CVD 金刚石涂层与 GaN-on-Diamond

企业：杰美特（戴尔蒙德）、化合积电；应用端华为

技术：涂层路线将纳米或微米金刚石膜沉积于器件、模具或工具表面，评价指标为附着力、膜厚均匀性与残余应力，不以块体热导率为目标。杰美特子公司戴尔蒙德拥有 CVD 纳米金刚石涂层产业化基地一说，出自行业媒体梳理，未见公司公告确认。GaN-on-Diamond 在 GaN 外延层上直接生长金刚石或低温键合贴附，可显著降低 HEMT 结温，但界面热阻、热失配应力与良率未解。据 36 氪报道，华为对昇腾高端训练卡背面低温键合 CVD 金刚石热沉，并在封装上下层加入金刚石散热层配合层间微米级液冷通道 —— 该细节为媒体报道口径。

08、MPCVD 设备与后道加工

企业：国机精工、宁波晶钻科技、深圳优普莱、四方达、黄河旋风、力量钻石、恒盛能源、惠丰钻石、英诺激光、楚江新材

技术：核心部件为微波源、谐振腔与高真空气路系统。915MHz 大腔体机型对应 6 至 8 英寸大尺寸片，2.45GHz 机型适用于小尺寸高均匀性。据媒体测算，单台设备配套投资约 700 万元量级、每万片年产能对应约 1.8 亿元资本开支，该测算非公司披露。

可核实的数据：国机精工已有约 500 台 MPCVD，2026 年计划增至约 700 台，并对外销售设备；恒盛能源已完成 200 台新一代 MPCVD 安装调试，称培育钻石良品率 80%、功能性金刚石材料良品率 90%，远期规划 260 万克拉年产能；惠丰钻石包头项目规划 500 台；黄河旋风规划 3 年投资 20 亿元、配置 300 台，目标年产大尺寸热沉片 15 万片。后道方面，英诺激光做金刚石晶圆切割与抛光设备、楚江新材量产 6N 超高纯碳粉（并有供货长电科技、通富微电一说），均出自券商与行业媒体梳理。

09、系统集成与冷板

企业：曙光数创、联想、纬颖、Akash Systems、Frore Systems、Coherent

技术：将材料热导率转化为整机层面的结温与能效指标。可核实的落地案例：曙光数创 C8000 V3.0 兆瓦级相变浸没液冷整机柜首次规模化应用金刚石铜导热材料，系统导热率提升 80%、芯片性能提升约 10%；Akash Systems 于 2026 年 2 月向印度云服务商交付首批搭载金刚石冷却技术的 H200 服务器，实测 GPU 与 HBM 温度降 10%、能效提升 22%；纬颖在 COMPUTEX 2026 首发金刚石复合材料服务器冷板方案，配套 Vera Rubin NVL72。联想搭载金刚石铜散热模组一事，不同来源分别写作 YOGA Air 14 Ultra 与 Yoga Slim 7i，型号口径不统一，需以公司披露为准。Coherent 的 Thermadite 800 液冷板热导率为 800W/(m・K)，出自券商研报。

海外参照

Element Six 官网产品按热导率分 TM100 至 TM220 六档，覆盖 1000 至 2200W/(m・K)，另有 Cu-Diamond 复合材与 Diafilm ETC700 导电级散热片，并与 Orbray 合作 WSC 单晶金刚石晶圆用于晶圆级直接键合；Orbray 采用蓝宝石基铱异质外延做 KENZAN Diamond，已实现 2 英寸、正向 4 英寸推进。Element Six 占 CVD 金刚石份额约四成一说出自券商研报，非公司披露。台积电已完成单晶金刚石与碳化硅 AI 芯片散热对比测试、单晶方案热阻低 60% 以上一说，仅见行业媒体梳理，未见台积电公开确认。

结论：九个方向中，金刚石铜复合材料的参与企业最多，且已形成可查证的批量交付案例；单晶路线性能指标最高，受限于尺寸与加工；多晶承担大尺寸热沉片主要供给；硅基复合与 GaN-on-Diamond 参与企业最少。四十余家企业中，能明确对应 “批量供货或规模化商用” 表述并见诸公司披露或权威媒体报道的，集中在金刚石铜环节，其余多数处于送样验证、产线建设或股权布局阶段。

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