加入星计划,您可以享受以下权益:

  • 创作内容快速变现
  • 行业影响力扩散
  • 作品版权保护
  • 300W+ 专业用户
  • 1.5W+ 优质创作者
  • 5000+ 长期合作伙伴
立即加入
  • 正文
  • 推荐器件
  • 相关推荐
  • 电子产业图谱
申请入驻 产业图谱

Arasan宣布为格芯12nm FinFET工艺节点提供MIPI D-PHY(SM) IP

2022/03/09
252
阅读需 3 分钟
加入交流群
扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

面向当今片上系统(SoC)行业的Total IPTM解决方案领先提供商Arasan Chip Systems今天宣布,立即为GlobalFoundries 12nm FinFET制造节点提供其超低功耗的独立MIPI D-PHYSM仅Tx IP和仅Rx IP。利用D-PHY IP作为独立Tx和Rx可节省面积和功耗,特别是在有多个相机接口的片上系统中。

用于GlobalFoundries 12nm FinFET制造节点的独立MIPI D-PHY仅Tx IP和仅Rx IP基于Arasan硅验证(Silicon Proven)的第二代MIPI D-PHYSM IP架构,该架构在优化面积的同时,还专注于实现超低功耗。因此,我们的D-PHYSM IP非常适合可穿戴设备、物联网显示器等功耗至关重要的应用,以及汽车片上系统等需要多个相机接口的应用。这款具有耐故障能力的D-PHYSM IP已被汽车片上系统供应商快速采用。

Arasan的MIPI D-PHYSM仅Tx和仅Rx经过了12nm工艺的硅验证。利用PHY协议接口Arasan MIPI D-PHYSM与Arasan MIPI CSI IP和显示接口(DSI)无缝集成。它与MIPI D-PHYSM v1.2兼容,提供每通道高达2.5GBps的速度。它支持比特率为80 - 1500 Mb/s(不带偏斜校正)和高达2500 Mb/s(带偏斜校正)的高速模式下的同步传输,以及比特率为10 Mb/s的低功耗模式下的异步传输。它还带有一个片上时钟发生器,可配置用于仅Tx或仅Rx功能。

推荐器件

更多器件
器件型号 数量 器件厂商 器件描述 数据手册 ECAD模型 风险等级 参考价格 更多信息
C2012X5R1V226M125AC 1 TDK Corporation of America Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 35V, 20% +Tol, 20% -Tol, X5R, 15% TC, 22uF, Surface Mount, 0805, CHIP, ROHS COMPLIANT

ECAD模型

下载ECAD模型
$0.94 查看
66597-2 1 TE Connectivity III+ PIN,18-14,30AU/FL,STRIP

ECAD模型

下载ECAD模型
$0.97 查看
BAS70-04,215 1 Nexperia BAS70-04 - General-purpose dual Schottky diode@en-us TO-236 3-Pin

ECAD模型

下载ECAD模型
$0.21 查看

相关推荐

电子产业图谱