MHPA18010N 1805-1880 MHz, 10 W, 24.5 dB RF High Power LDMOS Amplifier - Archived

2023/04/25 作者：恩智浦

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MHPA18010N 1805-1880 MHz, 10 W, 24.5 dB RF High Power LDMOS Amplifier - Archived

Designed for Class AB amplifier applications in 50 ohm systems operating in the 1800 to 1900 MHz frequency band. A silicon FET design provides outstanding linearity and gain.

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恩智浦NXP主要提供MCU、MPU、SoC、汽车处理器、连接芯片，核心产品/技术包括Kinetis MCU；在低空经济产业链中覆盖安全芯片、存储与接口芯片、计算与控制芯片、模拟与电源芯片。

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