MRF5P20180HR6 1930-1990 MHz, 38 W Avg., 28 V, 2 x W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET

2023/04/25 作者：恩智浦

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MRF5P20180HR6 1930-1990 MHz, 38 W Avg., 28 V, 2 x W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET

Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 1930 to 1990 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN-PCS/cellular

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恩智浦NXP主要提供MCU、MPU、SoC、汽车处理器、连接芯片，核心产品/技术包括Kinetis MCU；在低空经济产业链中覆盖安全芯片、存储与接口芯片、计算与控制芯片、模拟与电源芯片。

恩智浦NXP主要提供MCU、MPU、SoC、汽车处理器、连接芯片，核心产品/技术包括Kinetis MCU；在低空经济产业链中覆盖安全芯片、存储与接口芯片、计算与控制芯片、模拟与电源芯片。收起

MRF5P20180HR6 1930-1990 MHz, 38 W Avg., 28 V, 2 x W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET

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