Supplyframe Supplyframe XQ Datasheet5 芯耀 Findchips 与非AI
关注我们
设计助手
电子硬件助手 电子硬件助手
元器件查询 元器件查询

加入星计划，您可以享受以下权益：

  • 创作内容快速变现
  • 行业影响力扩散
  • 作品版权保护
  • 300W+ 专业用户
  • 1.5W+ 优质创作者
  • 5000+ 长期合作伙伴
立即加入

氧化镓

加入交流群
扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

氧化镓是一种无机化合物，化学式为Ga2O3。别名三氧化二镓，是一种宽禁带半导体，Eg=4.9eV，其导电性能和发光特性长期以来一直引起人们的注意。Ga2O3是一种透明的氧化物半导体材料，在光电子器件方面有广阔的应用前景 ，被用作于Ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片。它还可以用作O2化学探测器。

氧化镓是一种无机化合物，化学式为Ga2O3。别名三氧化二镓，是一种宽禁带半导体，Eg=4.9eV，其导电性能和发光特性长期以来一直引起人们的注意。Ga2O3是一种透明的氧化物半导体材料，在光电子器件方面有广阔的应用前景 ，被用作于Ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片。它还可以用作O2化学探测器。收起

查看更多
类型
新鲜 热门

文章

查看更多
  • 9000V 突破之后，别再走碳化硅的老路！
    武汉九峰山实验室成功研制出击穿电压高达9.02kV的氧化镓横向MOSFET，标志着国内在超高压氧化镓功率器件领域达到国际先进水平。此次突破不仅展示了高性能的器件结构设计，还强调了使用国产材料的重要性，提升了自主可控能力。此外，九峰山实验室在氧化镓器件的专利申请量领先全球，并对外提供衬底、外延片和流片服务，推动行业共同发展。 然而，国内氧化镓产业仍面临诸多挑战，包括材料量产难题、器件研发滞后、产业链配套不足以及资本投入不足等问题。尽管如此，氧化镓具有巨大的市场潜力，尤其是在超高压领域的应用前景广阔。因此，应吸取碳化硅的经验教训，注重材料工艺、产业链配套和应用场景的全面发展，以实现氧化镓的商业化成功。
    901
    04/11 09:55
    MOSFET 氧化镓
    9000V 突破之后，别再走碳化硅的老路！
  • 宁波材料所团队：氧化镓与金刚石的异质集成方法及应用进展综述
    氧化镓是一种带隙约4.9 eV的超宽禁带半导体，具备极高的击穿电场强度（约10 MV/cm）和优异的Baliga优值，使其在高压功率器件领域具有显著优势。相比传统硅材料，其性能潜力可提升数千倍，因此被认为是实现10 kV以上高压器件的重要候选材料。同时，氧化镓在深紫外探测等光电子领域同样展现出良好的应用前景。 然而，氧化镓也存在两个关键瓶颈：一是其本征热导率较低（通常小于30 W/m·K），在高功
    667
    04/04 18:36
    金刚石 氧化镓
  • 国际首次！12英寸氧化镓单晶问世
    富加镓业在氧化镓领域取得重大突破，成功制备出12英寸氧化镓单晶，刷新全球纪录，推动了我国超宽禁带半导体材料的发展。氧化镓因其独特的物理和化学性质，在功率电子和深紫外光电领域展现出巨大潜力。随着国内外企业的不断努力和技术进步，氧化镓的应用场景日益丰富，正逐渐走向产业化。
    2458
    04/04 18:34
    氧化镓
  • 【第四代半导体】深度分析氧化镓（Ga2O3）差异化技术路线与商业应用前景
    氧化镓作为一种新兴的第四代半导体材料，因其出色的电学性能和潜在的应用前景受到广泛关注。本文详细介绍了氧化镓的物理特性、四大主流技术路线及其商业化优劣，并探讨了国内外产业格局和技术站位。预计在未来几年内，氧化镓将在特定领域实现快速渗透，尤其是在成本敏感和可靠性要求较低的市场中。尽管面临技术和可靠性方面的挑战，氧化镓仍有潜力成为下一代功率半导体的关键材料。
    4163
    03/23 09:49
    氧化镓 第四代半导体材料
    【第四代半导体】深度分析氧化镓（Ga2O3）差异化技术路线与商业应用前景
  • 氧化镓再迎突破：名古屋大学首次实现氧化镓硅基外延生长
    在 2026年日本应用物理学会春季会议 上，来自名古屋大学低温等离子体科学中心的研究团队联合大学孵化企业 NU-Rei Co Ltd，公布了氧化镓（Ga₂O₃）材料生长技术的六项重要进展。其中最受关注的成果是首次在硅衬底上实现氧化镓薄膜的外延生长，为降低器件成本并改善散热性能提供了新的技术路径。 氧化镓是一种具有超宽禁带的半导体材料，在理论上可实现更高耐压功率器件，同时其原材料储量相对丰富、成本较
    865
    03/19 22:47
    氧化镓
热门作者 换一换
相关标签