氧化镓

• 超宽禁带新突破：氧化镓实现高质量金刚石薄膜直接生长

  美国德克萨斯州立大学研究团队提出利用Q-carbon中间层实现β-Ga₂O₃表面高质量金刚石薄膜直接生长的新方案，通过优化激光能量密度和控制熔体再生长速度，形成具有良好界面结合能力和高成核密度的Q-carbon层，进而促进高质量金刚石薄膜的生长并降低应力，提高附着力和晶体质量。此方法为β-Ga₂O₃基高功率器件的前侧热管理提供了有效解决方案，有望推动相关器件性能提升。

  DT半导体

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  05/18 17:42

  金刚石 氧化镓
• 9000V 突破之后，别再走碳化硅的老路！

  武汉九峰山实验室成功研制出击穿电压高达9.02kV的氧化镓横向MOSFET，标志着国内在超高压氧化镓功率器件领域达到国际先进水平。此次突破不仅展示了高性能的器件结构设计，还强调了使用国产材料的重要性，提升了自主可控能力。此外，九峰山实验室在氧化镓器件的专利申请量领先全球，并对外提供衬底、外延片和流片服务，推动行业共同发展。 然而，国内氧化镓产业仍面临诸多挑战，包括材料量产难题、器件研发滞后、产业链配套不足以及资本投入不足等问题。尽管如此，氧化镓具有巨大的市场潜力，尤其是在超高压领域的应用前景广阔。因此，应吸取碳化硅的经验教训，注重材料工艺、产业链配套和应用场景的全面发展，以实现氧化镓的商业化成功。

  碳化硅内参

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  04/11 09:55

  MOSFET 氧化镓

  
• 宁波材料所团队：氧化镓与金刚石的异质集成方法及应用进展综述

  氧化镓是一种带隙约4.9 eV的超宽禁带半导体，具备极高的击穿电场强度（约10 MV/cm）和优异的Baliga优值，使其在高压功率器件领域具有显著优势。相比传统硅材料，其性能潜力可提升数千倍，因此被认为是实现10 kV以上高压器件的重要候选材料。同时，氧化镓在深紫外探测等光电子领域同样展现出良好的应用前景。 然而，氧化镓也存在两个关键瓶颈：一是其本征热导率较低（通常小于30 W/m·K），在高功

  DT半导体

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  04/04 18:36

  金刚石 氧化镓
• 国际首次！12英寸氧化镓单晶问世

  富加镓业在氧化镓领域取得重大突破，成功制备出12英寸氧化镓单晶，刷新全球纪录，推动了我国超宽禁带半导体材料的发展。氧化镓因其独特的物理和化学性质，在功率电子和深紫外光电领域展现出巨大潜力。随着国内外企业的不断努力和技术进步，氧化镓的应用场景日益丰富，正逐渐走向产业化。

  DT半导体

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  04/04 18:34

  氧化镓
• 【第四代半导体】深度分析氧化镓（Ga2O3）差异化技术路线与商业应用前景

  氧化镓作为一种新兴的第四代半导体材料，因其出色的电学性能和潜在的应用前景受到广泛关注。本文详细介绍了氧化镓的物理特性、四大主流技术路线及其商业化优劣，并探讨了国内外产业格局和技术站位。预计在未来几年内，氧化镓将在特定领域实现快速渗透，尤其是在成本敏感和可靠性要求较低的市场中。尽管面临技术和可靠性方面的挑战，氧化镓仍有潜力成为下一代功率半导体的关键材料。

  半导体产业研究

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  03/23 09:49

  氧化镓 第四代半导体材料

  
• 氧化镓再迎突破：名古屋大学首次实现氧化镓硅基外延生长

  在 2026年日本应用物理学会春季会议 上，来自名古屋大学低温等离子体科学中心的研究团队联合大学孵化企业 NU-Rei Co Ltd，公布了氧化镓（Ga₂O₃）材料生长技术的六项重要进展。其中最受关注的成果是首次在硅衬底上实现氧化镓薄膜的外延生长，为降低器件成本并改善散热性能提供了新的技术路径。 氧化镓是一种具有超宽禁带的半导体材料，在理论上可实现更高耐压功率器件，同时其原材料储量相对丰富、成本较

  DT半导体

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  03/19 22:47

  氧化镓
• 首次打通！我国氧化镓全产业链迈入器件验证阶段

  杭州光机所孵育企业富加镓业联合上海功成半导体科技有限公司，围绕第四代半导体氧化镓的产业化关键技术，开展“材料—器件—应用”全产业链协同攻关，目前项目已推进至器件验证阶段。这一实践被认为是我国在氧化镓领域首次尝试打通全产业链，对推动超宽禁带半导体从研发走向应用具有标志性意义。 此次技术攻关紧密契合《中华人民共和国国民经济和社会发展第十五个五年规划纲要》中关于“加快宽禁带半导体产业提质升级，推动氧化镓

  DT半导体

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  03/19 22:44

  氧化镓
• 超宽禁带半导体突围战：能源革命的“高压”引擎

  当全球能源转型进入深水区，电力电子正面临一场新的革命——硅基器件的物理极限已成为能效提升的硬约束。在碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）崭露头角之际，一个更具颠覆性的选手——氧化镓（Ga₂O₃）悄然登场。

  安富利

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  03/18 13:17

  SiC GaN
• 8英寸氧化镓同质外延，镓仁半导体再破纪录

  杭州镓仁半导体公司在氧化镓材料领域取得重大进展，成功实现了高质量8英寸氧化镓同质外延生长，相关指标达到国际领先水平。外延层厚度超过10μm，载流子浓度分布适于高压功率器件设计，为高耐压氧化镓功率器件奠定材料基础。此技术突破有助于推动氧化镓在新能源汽车、电网设备等多个领域的应用，加速超宽禁带半导体的发展。

  DT半导体

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  03/18 11:08

  氧化镓
• 第四代半导体突围：中国氧化镓技术“全链条”破局

  半导体产业摩尔定律正逐渐逼近物理极限，寻找新材料成为延续算力与能效革命的重要选择。如果说碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）是当下功率半导体领域“宠儿”，那么氧化镓则是正在冉冉升起的“第四代半导体”新星。

  化合物半导体市场

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  02/25 10:16

  氧化镓 第四代半导体材料

  
• 【对话前沿专家】香港科技大学黄文海教授谈氧化镓器件的突破与展望

  在超宽禁带半导体领域，氧化镓器件凭借其独特性能成为研究热点。我们有幸与香港科技大学电子及计算机工程教授黄文海教授，围绕氧化镓器件的研究现状、应用前景及测试测量挑战展开深入交流。 香港科技大学在氧化镓研究领域取得了显著的成果，涵盖了材料生长、器件设计、性能优化和应用开发等多个方面。通过与国际科研机构和企业的合作，港科大团队不仅推动了氧化镓技术的发展，也为相关领域的应用提供了重要的技术支持。 黄文海教

  与非网编辑

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  2025/04/25

  电力电子 宽禁带半导体

  
• 第四代半导体，破晓时刻

  3nm，是半导体市场的 “热搜关键词”。光刻机，是众人争抢的 “香饽饽”。第三代半导体，一出现就在资本市场掀起波澜。而现在，这类技术的突破，给半导体赛道开启新一轮热潮。

  半导体产业纵横

  1436

  2025/04/08

  半导体材料 氧化镓

  
• 第四代半导体，初露锋芒

  今年，镓、锗相关物出口管制触发多股涨停，第四代半导体发展初露锋芒。公开资料显示，镓和锗都是新兴的战略关键矿产，均已被列入国家战略性矿产名录中。两种 金属矿产无论是在储量还是在出口上，中国均在全球占据领先地位。2022 年我国镓产品的出口数量大幅增长。海关总署数据表明，2022 年 1 至 11 月，我国累计出口镓产品 89.35 吨，比 2021 年 同期增加 44.1%。

  半导体产业纵横

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  2024/11/12

  半导体材料 氧化镓

  
• 【“源”察秋毫系列】下一代半导体氧化镓器件光电探测器应用与测试

  氧化镓（Ga2O3）探测器是一种基于超宽禁带半导体材料的光电探测器，主要用于日盲紫外光的探测。其独特的物理化学特性使其在多个应用领域中展现出广泛的前景。探测器性能由于材料不同、结构不同、制备工艺以及应用场景的不同的区别会有较大的性能差异。而性能指标之间往往存在制约，例如暗电流和输出电流、灵敏度和响应度、可靠性和灵敏度等需要权衡和折中。对于性能表征也是如此，高响应度一定无法和高精度电流表征同时进行。

  与非网编辑

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  2024/11/12

  探测器 氧化镓

  
• 半导体全面分析（九）：四代半，氧化镓，2025衬底外延，2030器件应用！

  一般用禁带宽度来区分半导体代际，不知道禁带是啥的请移步半导体全面分析（一）：两大特性，三大政策，四大分类！

  史晨星

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  2024/09/21

  半导体材料 氧化镓
• 第四代半导体材料龙头又有新突破！

  近日，日本NCT（novel crystal technology）公司宣布全球首次采用垂直布里奇曼（VB）法成功制备出6英寸β型氧化镓单晶。据了解，NCT成立于2015年6月， 是一家专注研发和生产新一代半导体技术的公司。其由Tamura Corporation和AGC等合资成立，公司的主要研究方向为氧化镓材料。

  化合物半导体市场

  860

  2023/12/27

  半导体材料 氧化镓

  
• 产业调研：氧化镓产业链现状与未来趋势分析

  引言 在数字化和智能化趋势的推动下，半导体市场的发展热度持续攀升。特别是随着量子信息、人工智能等高新技术的不断发展，半导体新体系及其微电子等多功能器件技术也在迅速更新迭代。为了满足新的高性能和低成本的需求，行业内开始关注第四代半导体，其中最引人瞩目的就是氧化镓。 这种材料具有许多优越的特性，被视为可能颠覆目前的化合物半导体市场，并让国产芯片商实现弯道超车的材料。但氧化镓也有不少挑战需要面对和克服。

  李坚

  3018

  2023/08/08

  SiC 碳化硅

  
• 第四代半导体氧化钾，被忽略的商机

  三菱电机公司于7月30日宣布，它已入股Novel Crystal Technology, Inc.（以下简称“NCT”），一家开发和销售氧化镓晶圆的日本公司。以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料，凭借耐高温、抗高压、开关速度快、效率高、节能、寿命长等特点，近年来业界热度一路飙升。然而，在宽禁带半导体材料发展势如破竹的同时，学术界和科研界不约而同地展望下一代半导体材料——氧化镓（Ga₂O₃），并将其视为“替代碳化硅和氮化镓”的新一代半导体材料的代表。

  全球半导体观察

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  2023/07/31

  氧化镓

  
• 碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发

  近期，媒体报道进化半导体完成近亿元人民币融资。据悉，进化半导体是以国际首创无铱工艺制备超宽禁带材料氧化镓为特色的化合物半导体衬底企业，创立于2021年5月，专注于以创新技术制备氧化镓为代表的新一代半导体材料。

  全球半导体观察

  379

  2023/04/16

  SiC 碳化硅
• 热点丨“第四代半导体” 迎重大突破！能否改变行业新技术？

  随着信息时代的发展，量子信息、人工智能等高科技领域对于半导体的需求也是有更高要求，体积小、低功耗的第四代半导体将成为主力军。更为重要的是，目前第四代半导体领域全球国家都还在同一起跑线，因此，我国在第四代半导体的重大突破，有望助力芯片实现弯道超车，从而掀起一场资本盛宴。

  AI芯天下

  485

  2023/03/21

  半导体材料 氧化镓

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