采用多芯片并联的方法可提高 sic MOSFET 功率模块的应用电流等级,但由于并联支路的杂散参数差异导致流过各并联芯片的电流不一致,这将影响功率模块的可靠性 建立了典型的三芯片并联半桥模块电路模型,分别改变功率回路和驱动回路的杂散参数并计算其不均衡度,使用双脉冲测试方法测试相应的开、关电流,计算其电流不均衡度。研究了模块内部各杂散参数对多芯片并联均流能力的影响,结果表明,功率模块的瞬态均流能力受
随着 SiC MOSFET 器件快速开关特性的发展,其在需要高速、灵活高压脉冲输出的电路系统中得到广泛应用。研究表明,SiC MOSFET 的导通时间主要受栅极驱动技术及其实现方式的影响,因此相关研究多聚焦于其栅极驱动方法优化。该研究通过对 SiC MOSFET 栅极驱动回路进行参数测试与优化设计,并将其应用于超快导通型 SiC MOSFET 器 件,以实现导通时间的显著缩减。为验证优化效果,研究
大功率 SiC 逆变器设计 图片来源:碳化硅MOS与SiC模块技术漫谈 将 SiC 器件应用于逆变器系统中能显著提高系统的开关频率,从而减小滤波电感等无源元件体积,使得 SiC 逆变器更适用于体积和重量受限的应用场景。从系统成本的角度看,虽然使用 SiC 器件相比于 Si 器件会使得器件成本增加,但是无源元件、散热器等成本都会大幅下降[4]。 由于 SiC 器件的优异性能,使用全 SiC 器件的三
为了满足脉冲电场消融的应用需求,解决单极性脉冲电场分布不均匀的问题,研制了一台基于半桥结构的主电路、具有纳秒级前沿的高重复频率双极性亚微秒高压脉冲电源。该脉冲电源由 FPGA 提供控制信号,经过驱动芯片放大控制信号后,利用光耦隔离驱动多个 SiC MOSFET。驱动电路所需元器件较少,信号控制时序简单,可提供负压偏置,使开关管可靠关断,提高了电路的抗电磁干扰能力,使电源能稳定运行。通过电阻负载实验