碳化硅MOSFET

• 碳化硅MOS新型负压关断驱动设计

  基于碳化硅(SiC)材料的第三代宽禁带功率器件的出现，推动着电力电子变换器朝着高频化、高功率密度、小型化方向发展。但随着开关速度的提高，电路中寄生参数的影响越来越大，导致桥式变换器存在严重的串扰问题。文中根据 SiC 金属–氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxidesemiconductor field-effect transistor，MOSFET)的工作特性，在 RCD(电阻-电容-二

  碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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  12/02 15:17

  SiC MOSFET SiC功率模块
• SiC MOS + 800V HVDC为新一代AI数据中心带来变革

  800V HVDC是新一代AI数据中心高压直流供电技术，通过提升电压等级实现能效跃升，已成为英伟达等科技巨头推动的行业标准方案。 为什么是800V HVDC、为什么是碳化硅MOSFET，以及两者结合为AI数据中心带来的核心优势三个方面进行详细分析。 一、 背景：AI数据中心面临的挑战与800V HVDC的必然性 传统的AI数据中心普遍采用480V交流或48V直流配电。但随着AI算力（特别是GPU集

  碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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  11/25 08:21

  第三代半导体 SiC功率器件
• SiC MOS功率模块的并联均流技术

  采用多芯片并联的方法可提高 sic MOSFET 功率模块的应用电流等级，但由于并联支路的杂散参数差异导致流过各并联芯片的电流不一致，这将影响功率模块的可靠性 建立了典型的三芯片并联半桥模块电路模型，分别改变功率回路和驱动回路的杂散参数并计算其不均衡度，使用双脉冲测试方法测试相应的开、关电流，计算其电流不均衡度。研究了模块内部各杂散参数对多芯片并联均流能力的影响，结果表明，功率模块的瞬态均流能力受

  碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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  11/20 08:38

  电机驱动 SiC MOSFET
• 碳化硅MOS特性产品介绍及驱动研究

  碳化硅MOSFET因其独特的性能优势，如宽带隙、高击穿电场强度、快速开关速度等，在电力电子、光伏逆变器和高频电子等领域广泛应用。本文介绍了碳化硅MOSFET的基本特性和主要应用场景。 **碳化硅MOSFET的主要特点：** - **宽带隙**：提供更高的工作温度和更低的导通电阻。 - **高击穿电场强度**：增强器件的耐压能力和可靠性。 - **快速开关速度**：适合高频操作，减少开关损耗。 - **低导通电阻**：在高温下保持较低的导通电阻，利于节能和散热。 - **快速恢复性能**：体二极管恢复速度快，减少开关损耗。 **应用场景：** - **电力电子**：提高器件的功率密度和效率。 - **光伏逆变器**：改善系统性能和稳定性。 - **高频电子**：适用于高频开关应用，简化被动元件设计。 **驱动电路设计要点：** - 使用驱动能力较强的驱动芯片。 - 减少驱动电路寄生电感的影响。 - 采用负压关断以避免噪声干扰。 - 配备退饱和保护、故障信号反馈等功能。 **结论：** 碳化硅MOSFET凭借其卓越的性能，成为现代电子设备的理想选择，尤其在高频和高功率应用中展现出显著优势。合理设计驱动电路是充分发挥其潜力的关键。

  碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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  11/17 15:14

  碳化硅 SiC MOSFET
• 碳化硅SiC MOS短路特性研究

  碳化硅 ；MOSFET ；短路特性 ；短路保护，di／dt；SiC功率器件

  碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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  11/11 16:43

  DC-DC 新能源
• 具有快前沿的10kV纳秒级脉冲电源研制

  随着 SiC MOSFET 器件快速开关特性的发展，其在需要高速、灵活高压脉冲输出的电路系统中得到广泛应用。研究表明，SiC MOSFET 的导通时间主要受栅极驱动技术及其实现方式的影响，因此相关研究多聚焦于其栅极驱动方法优化。该研究通过对 SiC MOSFET 栅极驱动回路进行参数测试与优化设计，并将其应用于超快导通型 SiC MOSFET 器 件，以实现导通时间的显著缩减。为验证优化效果，研究

  碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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  10/24 09:40

  SiC功率器件 碳化硅MOSFET
• 大功率 SiC 逆变器研制

  大功率 SiC 逆变器设计 图片来源：碳化硅MOS与SiC模块技术漫谈 将 SiC 器件应用于逆变器系统中能显著提高系统的开关频率，从而减小滤波电感等无源元件体积，使得 SiC 逆变器更适用于体积和重量受限的应用场景。从系统成本的角度看，虽然使用 SiC 器件相比于 Si 器件会使得器件成本增加，但是无源元件、散热器等成本都会大幅下降[4]。 由于 SiC 器件的优异性能，使用全 SiC 器件的三

  碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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  10/17 11:33

  逆变器 DCDC
• 分立器件并联的高功率密度碳化硅电机控制器设计

  1、分立器件并联高功率密度SiC控制器设计 1.1 控制器电气架构设计 该系统选择了 SiC MOSFET 双管并联的方法，主回路原理如图 1 所示。采用的是常用的三相全桥的电路结构拓扑，为了扩大通流能力，6 路开关管均采用了 SiC MOSFET 管并联的形式，并联的管子数量为 2，封装为 TO247-4。整个系统共采用了 12只 SiC MOSFET 管。母线电压正极 UDC+与母线电压负极 

  碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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  10/14 08:16

  电机控制 电机驱动
• 基于半桥结构的双极性脉冲电源的研究

  为了满足脉冲电场消融的应用需求，解决单极性脉冲电场分布不均匀的问题，研制了一台基于半桥结构的主电路、具有纳秒级前沿的高重复频率双极性亚微秒高压脉冲电源。该脉冲电源由 FPGA 提供控制信号，经过驱动芯片放大控制信号后，利用光耦隔离驱动多个 SiC MOSFET。驱动电路所需元器件较少，信号控制时序简单，可提供负压偏置，使开关管可靠关断，提高了电路的抗电磁干扰能力，使电源能稳定运行。通过电阻负载实验

  碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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  10/10 15:42

  工业电源 碳化硅MOSFET
• 新品推荐 | 基本半导体推出新一代碳化硅MOSFET

  核心技术优势/方案详细规格/产品实体图/PCB/方块图Datasheet/测试报告/Gerber/Schematics/User manual +一键获取 近日，基本半导体正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，产品性能进一步提升，封装形式更加丰富。首发规格包括面向车用主驱等领域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、储能等领域的1200V/40mΩ系列，以及面向AI算

  大大通

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  08/07 09:24

  车规级 碳化硅MOSFET

  
• 碳化硅MOS四开关 Buck-Boost DC-DC 变换器

  碳化硅MOS四开关 Buck-Boost DC-DC 变换器，双脉冲，碳化硅模块，SiC MOSFET,新能源，光伏，储能，工业电源。

  碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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  07/14 08:45

  SiC MOSFET SiC功率模块
• Boost+Buck+LLC+三电平的双向变换器方案

  双向变换器，Boost+Buck+LLC+三电平，宽运行范围，制式兼容，碳化硅MOS，碳化硅模块，SiC功率器件，第三代半导体

  碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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  07/07 09:52

  SiC MOSFET 光伏逆变器
• SiC MOSFET高效又安全 选好栅极驱动器很重要

  SiC MOSFET高效又安全，选好栅极驱动器很重要 隔离驱动在新能源应用中扮演了非常重要的角色，将直接或间接影响新能源产品的安全性、可靠性、寿命、效率以及成本等，本期从5个方面解读隔离驱动的重要参数； 1.安规方面 2.时间相关的介电击穿（TDDB） 3.共模瞬态抗扰度（CMTI） 4.传输延时（Tpd） 5.驱动能力(Isink&Isource) 1.安规方面 隔离耐压（Viso） 隔

  碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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  1评论

  07/02 09:42

  SiC SiC MOSFET
• 碳化硅高速电机控制器设计及效能分析

  高速电机，碳化硅模块，永磁同步电机，碳化硅mos，SiC

  碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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  07/01 16:48

  SiC MOSFET SiC功率模块
• 基于碳化硅的双向PCS设计

  双向储能变流器；T型三电平逆变电路；碳化硅；控制策略，碳化硅MOS，碳化硅模块，SiC,第三代半导体

  碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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  1评论

  06/30 16:09

  SiC MOSFET 功率模块
• 2个晶圆厂新进度：正式投片；车规SiC MOS亮相

  近日，国内2家碳化硅IDM厂商实现了晶圆厂和车规级SiC MOS产品方面的突破：9月20日，昕感科技官微宣布，他们于当日顺利完成晶圆厂首批投片，标志着昕感晶圆厂正式进入全面营运阶段。

  行家说三代半

  1380

  2024/09/24

  晶圆厂 SiC-MOSFET

  
• 58.97亿元！芯联集成并购碳化硅相关业务子公司

  今年6月20日晚间，芯联集成曾发布公告称，其拟收购控股子公司芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司（以下简称：芯联越州）剩余72.33%股权。历时2个多月后，芯联集成收购芯联越州剩余72.33%股权的并购案迎来了最新进展。9月4日晚间，芯联集成发布公告称，其收购芯联越州剩余72.33%股权的重组草案通过了董事会决议。

  化合物半导体市场

  1207

  2024/09/06

  碳化硅 碳化硅MOSFET

  
• 国家队加持，芯片制造关键技术首次突破

  据南京发布近日消息，国家第三代半导体技术创新中心（南京）历时4年自主研发，成功攻关沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造关键技术，打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。据悉这是我国在这一领域的首次突破。

  全球半导体观察

  1364

  2024/09/03

  芯片制造 第三代半导体

  
• 国产SiC实现3大技术突破：沟槽MOS/8英寸/SiCOI量产

  近期国内多家SiC企业均获得了最新技术突破，涉及沟槽技术、大尺寸制备等：● 青禾晶元：实现了高质量晶圆级SiCOI（6寸，SiC膜厚1μm±100nm）的规模化生产。● 国家第三代半导体技术创新中心（南京）：成功攻关沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造关键技术● 上海汉虹：使用自行研发制造的碳化硅长晶炉成功拉制出高品质8英寸碳化硅晶体。

  行家说三代半

  2058

  2024/09/03

  SiC 碳化硅MOSFET

  
• 4家SiC相关企业获融资

  近日，“行家说三代半”发现，国内又有4家SiC相关企业获得融资：新沥半导体：完成A轮融资，已量产1200V 80毫欧碳化硅MOS；矽迪半导体：完成数千万天使轮融资，将新建试产线工厂；盈鑫半导体：完成天使轮投资，加速CMP进口替代；盖泽科技：完成数千万融资，SiC设备已量产交付。

  行家说三代半

  1227

  2024/04/06

  SiC 碳化硅

  

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