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近日,基本半导体正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品,产品性能进一步提升,封装形式更加丰富。首发规格包括面向车用主驱等领域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列,面向光伏、储能等领域的1200V/40mΩ系列,以及面向AI算力电源、户储逆变器等领域的650V/40mΩ系列产品。其中650V/40mΩ系列产品通过将元胞间距微缩至4.0μm,在低电压等级下实现了更高性能表现。这一系列新品将显著提升终端应用的系统效率和高温性能,降低能量损耗,助力新能源领域实现更高效、更经济的功率器件解决方案。

与国际竞品开关损耗对比

图1 新一代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET与国际竞品开关损耗对比
开关损耗 Eoff/Etotal 在常温和高温下均优于W*/O*国际竞品,高温下Eon与国际竞品W*接近。

图2 新一代650V 40mΩ SiC MOSFET与国际竞品开关损耗对比
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