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HBM

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  • 存储大厂又扩产
    三星电子近日决定将其位于平泽园区的最新生产线（P4）二期（Ph，生产空间）改建为第六代（1c）高带宽内存（HBM4）DRAM生产线。 该决定最初被认为是晶圆代工生产线，但最终确认为内存生产线。此举是为了应对包括英伟达、谷歌、亚马逊和微软在内的全球客户对HBM的激增需求。由于HBM行业在未经客户验证的情况下难以启动大规模量产，三星的这一决定被解读为直接响应全球客户的需求压力和产量要求。 据业内人士1
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    02/06 08:57
    三星电子 HBM
  • 赶超HBM，英特尔与软银合作开发AI存储
    英特尔正式宣布与软银旗下子公司赛美内存（Saimemory）展开合作。两家公司计划共同开发下一代内存技术。 据《日经新闻》2月3日报道，英特尔和赛美内存当天在东京举行的一场技术活动上宣布，双方计划共同开发一项名为“ZAM”（Z-Angle Memory，Z角内存）的创新内存技术。 英特尔将提供核心堆叠技术。赛美内存计划在2027财年之前投资80亿日元用于开发原型，并力争在2029财年实现该技术的商
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    02/04 09:35
    英特尔 HBM
  • 存储器、面板、贵金属涨价影响电视品牌获利，2026年全球出货量恐下调
    2026年电视产业面临存储器、面板、贵金属价格同时上涨，生产成本随之攀高，品牌在获利与市占间的拉锯将更加明显，预估全年电视出货量将由先前预计的年减0.3%，下调至年减0.6%，降至约1亿9,481万台。此外，因现有成本结构已难以支撑过往的低价策略，新机种零售价调涨已势在必行。 TrendForce集邦咨询表示，自2025年初开始，受国际形势变化的不确定性影响，电视品牌商启动提前备货，而同年第二季下
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    01/30 07:12
    存储器 HBM
    存储器、面板、贵金属涨价影响电视品牌获利，2026年全球出货量恐下调
  • 芯耀要闻 | 美国对 H200 出口附加三项前提；中国电子企业海外扩张提速
    AI推动半导体产业增长至1万亿美元，存储厂商因HBM短缺价格上涨；台积电先进制程表现强劲，集中供应格局不变。中美就H200贸易争端达成妥协，但仍需严格管控。亚洲制造业表现稳健，中国电子企业加快海外扩张步伐。工业AI加速落地，成为2026年的技术主线。
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    01/19 09:35
    AI 与非观察
    芯耀要闻 | 美国对 H200 出口附加三项前提；中国电子企业海外扩张提速
  • 2026年，处理器、存储器与第三代半导体掀起新浪潮！
    CES 2026国际消费电子展上，AI技术不再仅是概念，而是深入到了算力基础设施与边缘终端的每一个角落。从数据中心到AI PC，科技大厂们在性能与能效上的角逐愈发激烈。与此同时，AI推动之下，具身智能、AI眼镜、智能汽车等应用蓬勃发展。
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    01/12 09:10
    处理器 存储器
    2026年，处理器、存储器与第三代半导体掀起新浪潮！
  • ESD中HBM、MM、CDM模型区别与不同领域设计应用指南
    因近期很多工程师朋友想了解HBM、MM、CDM有什么区别？想弄明白先看下名字， HBM（Human Body Model）、MM（Machine Model）和CDM（Charged Device Model）是三种用于评估集成电路（IC）静电放电（ESD, Electrostatic Discharge）标准模型。它们模拟了不同场景下静电放电对芯片造成的损害，因此在芯片设计、封装和制造过程中都具
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    01/12 08:43
    HBM TVS二极管
  • HBM4受规格提升与英伟达策略调整影响，预估量产时程延至2026年第一季度末
    NVIDIA（英伟达）于2025年第三季调整Rubin平台的HBM4规格，上修对Speed per Pin的要求至高于11Gbps，致使三大HBM供应商需修正设计。此外，AI热潮刺激NVIDIA前一代Blackwell产品需求优于预期，Rubin平台量产时程顺势调整。两项因素皆导致HBM4放量时间点延后，预期最快于2026年第一季末进入量产。 TrendForce集邦咨询表示，SK hynix（S
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    01/08 14:31
    AI NVIDIA
  • SK海力士预计：今年内存市场将超4400亿美元
    SK海力士强调将持续领先高带宽内存（HBM）市场，预计2026年全球内存半导体市场规模超4400亿美元，其中HBM3E将成为主要产品，SK海力士计划凭借HBM4继续占据领先地位。
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    01/07 11:26
    HBM 内存
    SK海力士预计：今年内存市场将超4400亿美元
  • HBF、HMC等四大存储，谁能力敌HBM
    HBM（高带宽内存）作为当前AI加速器GPU的核心配置，凭借垂直堆叠的薄DRAM芯片结构，以超高数据带宽为AI训练与推理提供了关键支撑，成为AI算力爆发的重要基石。
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    01/06 12:49
    HBM 高带宽
    HBF、HMC等四大存储，谁能力敌HBM
  • 存储巨头掀桌！SK海力士的新杀招
    NAND闪存供应紧张，价格上涨显著影响消费电子产品出货量。AI基础设施推动NAND需求增长，全球五大供应商营收环比增长16.5%。SK海力士提出AI存储战略，重点布局定制化HBM、AI DRAM和AI NAND。HBM方面，SK海力士计划推出HBM4和定制化HBM，提升能效和减少功耗。DRAM领域，推出LPDDR5R和AI DRAM，优化性能和降低成本。NAND方面，推出PCIe Gen6和UFS 5.0，提升存储密度和带宽。未来存储市场将继续受AI影响，供需关系更加紧密。
    2965
    2025/12/25
    HBM NAND闪存
    存储巨头掀桌！SK海力士的新杀招
  • IO资本赵占祥：绕开HBM依赖，国产AI芯片正在走哪些新路线？
    赵占祥在第八届GAIR全球人工智能与机器人大会上发表演讲，强调国产AI芯片在云端、边缘、端侧和IoT末端的应用前景，并详细介绍了多种技术路线，如TPU、Hybrid Bonding、大容量SRAM推理芯片以及分布式互联方案。他认为端侧芯片市场潜力巨大，尤其是AI眼镜，预计明年将迎来销量增长。他还指出，端侧芯片发展面临的挑战包括功耗和生态系统整合，以及如何实现商业闭环。
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    2025/12/21
    AI芯片 HBM
    IO资本赵占祥：绕开HBM依赖，国产AI芯片正在走哪些新路线？
  • 国产半导体设备，大举进军HBM
    在AI算力需求爆发的驱动下，高带宽存储器（HBM）成为大算力芯片的“性能基石”，迎来黄金发展期。HBM凭借TSV、3D堆叠及先进封装等关键技术，实现了容量、带宽与功耗的最优平衡，成为AI时代的存储核心。然而，HBM的高度复杂制造工艺对半导体设备提出了严苛要求，但也为国产设备商打开了战略切入窗口。随着AI驱动HBM扩产，相关设备迎来机遇，国内多家半导体设备企业在刻蚀、沉积、键合、检测等领域取得突破，助力国产HBM芯片产业化进程。尽管国产设备在工艺精度和技术代差上仍有差距，但在政策、产业和技术的协同发力下，国产设备商有望在全球HBM市场竞争中占据重要地位，推动我国半导体产业的高质量发展。
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    2025/12/15
    半导体设备 HBM
    国产半导体设备，大举进军HBM
  • TrendForce集邦咨询发布2026年十大科技市场趋势预测: 锚定AI驱动下的产业新路径
    TrendForce集邦咨询发布的“2026十大科技市场趋势预测”，涵盖了AI芯片、HBM与光通讯、NAND Flash、储能系统、第三代半导体、2nm GAAFET、人形机器人、笔电显示、近眼显示及辅助驾驶等多个领域的最新发展趋势和技术突破。这些趋势反映了AI、半导体、储能和显示技术在未来的快速发展，以及它们对数据中心、数据中心储能、AI芯片散热、人形机器人、折叠屏手机、AR眼镜和自动驾驶等领域的影响。
    1795
    2025/11/28
    AI AI芯片
    TrendForce集邦咨询发布2026年十大科技市场趋势预测: 锚定AI驱动下的产业新路径
  • 突发！苹果首次招聘HBM工程师
    苹果招聘HBM DRAM工程师，推动下一代内存封装技术研发，与三星、SK海力士等供应商合作。
    1038
    2025/11/20
    苹果 HBM
    突发！苹果首次招聘HBM工程师
  • HBM、晶圆代工、机器人…谁将是2026年科技产业的“黑马”？TrendForce将发布十大趋势预测
    AI浪潮加速科技变革，芯片与封装技术竞争激烈；人形机器人有望迎来爆发式增长，重塑劳动力市场；TrendForce集邦咨询将于11月27日发布“2026十大科技市场趋势预测”，揭示未来科技变革的关键领域与机遇。
    1422
    2025/11/12
    半导体 机器人
    HBM、晶圆代工、机器人…谁将是2026年科技产业的“黑马”？TrendForce将发布十大趋势预测
  • 《元器件动态周报》——存储需求激增、交期延长与价格普涨的三重考验
    核心观点 AI推理驱动全球存储市场出现结构性缺货，技术迭代与需求升级正推动产业进入长期成长周期。 原厂产能向高利润产品倾斜，HBM4等先进技术加速布局，供应链整体维持紧平衡状态。 服务器需求爆发引发全产业链涨价潮，原厂强势定价与渠道供应紧张推动价格持续上行。 三大维度解读存储器件最新供需动态 市场需求分析 今年全球存储市场出现30年来首见的结构性缺货，涵盖NAND、HDD、DRAM及HBM等多类产
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    2025/11/11
    AI dram
    《元器件动态周报》——存储需求激增、交期延长与价格普涨的三重考验
  • DRAM供应吃紧推高DDR5合约价，2026年获利有望超越HBM3e
    2025年第四季Server DRAM合约价受惠于全球云端供应商(CSP)扩充数据中心规模，涨势转强，并带动整体DRAM价格上扬。尽管第四季DRAM合约价尚未完整开出，供应商先前收到CSP加单需求后，调升报价的意愿明显提高。TrendForce集邦咨询据此调整第四季一般型(Conventional DRAM)价格预估，涨幅从先前的8-13%，上修至18-23%，并且很有可能再度上修。 展望2026
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    2025/10/30
    dram HBM
    DRAM供应吃紧推高DDR5合约价，2026年获利有望超越HBM3e
  • 【大会议程】中国半导体封装测试技术与市场大会
    CSPT 2025 10月28-29日  中国·淮安国联奥体明都酒店 金秋十月，淮安这座历史悠久的文化名城将迎来一场半导体封测领域的行业盛宴——中国半导体封测技术与市场大会将于10月28日至29日在这里隆重举办。中国半导体封测大会已在南通、江阴、天水、无锡等地成功举办过22届，本届大会以“集聚封测智慧，赋能AI 新时代”为主题，包含1场高峰论坛，5场技术研讨会，1个专业主题展。论坛聚焦全球半导体封
    1516
    2025/10/27
    HBM 半导体封测
    【大会议程】中国半导体封装测试技术与市场大会
  • 全球存储技术多赛道迭代，HBM、CXL、HBF等集体 “狂飙”
    在AI算力爆发、移动终端性能升级、数据中心存储需求激增的多重驱动下，全球存储产业正迎来技术迭代的密集期。内存作为数据处理与传输的核心枢纽，其性能直接决定了终端设备、服务器及AI加速器的运行效率。
    4378
    2025/10/23
    存储器 dram
    全球存储技术多赛道迭代，HBM、CXL、HBF等集体 “狂飙”
  • HBM暴涨背后：中国厂商的机会来了
    HBM作为AI算力的关键配套器件，因供需紧张、扩产困难导致价格飙升。中国厂商可通过切入中低端DRAM、定制化HBM、异构路线或国家政策支持来抓住机遇，重塑半导体产业格局。
    3097
    2025/10/21
    HBM
    HBM暴涨背后：中国厂商的机会来了

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