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HBM

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  • 存储巨头掀桌！SK海力士的新杀招
    NAND闪存供应紧张，价格上涨显著影响消费电子产品出货量。AI基础设施推动NAND需求增长，全球五大供应商营收环比增长16.5%。SK海力士提出AI存储战略，重点布局定制化HBM、AI DRAM和AI NAND。HBM方面，SK海力士计划推出HBM4和定制化HBM，提升能效和减少功耗。DRAM领域，推出LPDDR5R和AI DRAM，优化性能和降低成本。NAND方面，推出PCIe Gen6和UFS 5.0，提升存储密度和带宽。未来存储市场将继续受AI影响，供需关系更加紧密。
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    12/25 11:48
    HBM NAND闪存
    存储巨头掀桌！SK海力士的新杀招
  • IO资本赵占祥：绕开HBM依赖，国产AI芯片正在走哪些新路线？
    赵占祥在第八届GAIR全球人工智能与机器人大会上发表演讲，强调国产AI芯片在云端、边缘、端侧和IoT末端的应用前景，并详细介绍了多种技术路线，如TPU、Hybrid Bonding、大容量SRAM推理芯片以及分布式互联方案。他认为端侧芯片市场潜力巨大，尤其是AI眼镜，预计明年将迎来销量增长。他还指出，端侧芯片发展面临的挑战包括功耗和生态系统整合，以及如何实现商业闭环。
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    12/21 09:55
    AI芯片 HBM
    IO资本赵占祥：绕开HBM依赖，国产AI芯片正在走哪些新路线？
  • 国产半导体设备，大举进军HBM
    在AI算力需求爆发的驱动下，高带宽存储器（HBM）成为大算力芯片的“性能基石”，迎来黄金发展期。HBM凭借TSV、3D堆叠及先进封装等关键技术，实现了容量、带宽与功耗的最优平衡，成为AI时代的存储核心。然而，HBM的高度复杂制造工艺对半导体设备提出了严苛要求，但也为国产设备商打开了战略切入窗口。随着AI驱动HBM扩产，相关设备迎来机遇，国内多家半导体设备企业在刻蚀、沉积、键合、检测等领域取得突破，助力国产HBM芯片产业化进程。尽管国产设备在工艺精度和技术代差上仍有差距，但在政策、产业和技术的协同发力下，国产设备商有望在全球HBM市场竞争中占据重要地位，推动我国半导体产业的高质量发展。
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    12/15 11:33
    半导体设备 HBM
    国产半导体设备，大举进军HBM
  • TrendForce集邦咨询发布2026年十大科技市场趋势预测: 锚定AI驱动下的产业新路径
    TrendForce集邦咨询发布的“2026十大科技市场趋势预测”，涵盖了AI芯片、HBM与光通讯、NAND Flash、储能系统、第三代半导体、2nm GAAFET、人形机器人、笔电显示、近眼显示及辅助驾驶等多个领域的最新发展趋势和技术突破。这些趋势反映了AI、半导体、储能和显示技术在未来的快速发展，以及它们对数据中心、数据中心储能、AI芯片散热、人形机器人、折叠屏手机、AR眼镜和自动驾驶等领域的影响。
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    11/28 10:00
    AI AI芯片
    TrendForce集邦咨询发布2026年十大科技市场趋势预测: 锚定AI驱动下的产业新路径
  • 突发！苹果首次招聘HBM工程师
    苹果招聘HBM DRAM工程师，推动下一代内存封装技术研发，与三星、SK海力士等供应商合作。
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    11/20 13:49
    苹果 HBM
    突发！苹果首次招聘HBM工程师
  • HBM、晶圆代工、机器人…谁将是2026年科技产业的“黑马”？TrendForce将发布十大趋势预测
    AI浪潮加速科技变革，芯片与封装技术竞争激烈；人形机器人有望迎来爆发式增长，重塑劳动力市场；TrendForce集邦咨询将于11月27日发布“2026十大科技市场趋势预测”，揭示未来科技变革的关键领域与机遇。
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    11/12 11:37
    半导体 机器人
    HBM、晶圆代工、机器人…谁将是2026年科技产业的“黑马”？TrendForce将发布十大趋势预测
  • 《元器件动态周报》——存储需求激增、交期延长与价格普涨的三重考验
    核心观点 AI推理驱动全球存储市场出现结构性缺货，技术迭代与需求升级正推动产业进入长期成长周期。 原厂产能向高利润产品倾斜，HBM4等先进技术加速布局，供应链整体维持紧平衡状态。 服务器需求爆发引发全产业链涨价潮，原厂强势定价与渠道供应紧张推动价格持续上行。 三大维度解读存储器件最新供需动态 市场需求分析 今年全球存储市场出现30年来首见的结构性缺货，涵盖NAND、HDD、DRAM及HBM等多类产
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    11/11 08:32
    AI dram
    《元器件动态周报》——存储需求激增、交期延长与价格普涨的三重考验
  • DRAM供应吃紧推高DDR5合约价，2026年获利有望超越HBM3e
    2025年第四季Server DRAM合约价受惠于全球云端供应商(CSP)扩充数据中心规模，涨势转强，并带动整体DRAM价格上扬。尽管第四季DRAM合约价尚未完整开出，供应商先前收到CSP加单需求后，调升报价的意愿明显提高。TrendForce集邦咨询据此调整第四季一般型(Conventional DRAM)价格预估，涨幅从先前的8-13%，上修至18-23%，并且很有可能再度上修。 展望2026
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    10/30 07:08
    dram HBM
    DRAM供应吃紧推高DDR5合约价，2026年获利有望超越HBM3e
  • 【大会议程】中国半导体封装测试技术与市场大会
    CSPT 2025 10月28-29日  中国·淮安国联奥体明都酒店 金秋十月，淮安这座历史悠久的文化名城将迎来一场半导体封测领域的行业盛宴——中国半导体封测技术与市场大会将于10月28日至29日在这里隆重举办。中国半导体封测大会已在南通、江阴、天水、无锡等地成功举办过22届，本届大会以“集聚封测智慧，赋能AI 新时代”为主题，包含1场高峰论坛，5场技术研讨会，1个专业主题展。论坛聚焦全球半导体封
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    10/27 07:14
    HBM 半导体封测
    【大会议程】中国半导体封装测试技术与市场大会
  • 全球存储技术多赛道迭代，HBM、CXL、HBF等集体 “狂飙”
    在AI算力爆发、移动终端性能升级、数据中心存储需求激增的多重驱动下，全球存储产业正迎来技术迭代的密集期。内存作为数据处理与传输的核心枢纽，其性能直接决定了终端设备、服务器及AI加速器的运行效率。
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    10/23 15:33
    存储器 dram
    全球存储技术多赛道迭代，HBM、CXL、HBF等集体 “狂飙”
  • HBM暴涨背后：中国厂商的机会来了
    HBM作为AI算力的关键配套器件，因供需紧张、扩产困难导致价格飙升。中国厂商可通过切入中低端DRAM、定制化HBM、异构路线或国家政策支持来抓住机遇，重塑半导体产业格局。
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    10/21 15:38
    HBM
    HBM暴涨背后：中国厂商的机会来了
  • 紫光国芯存储芯片国产替代方案：打破DDR5/HBM芯片供应链瓶颈
    贞光科技作为紫光国芯核心代理商，主推其DDR5/HBM国产替代方案。紫光国芯的高性能存储产品已广泛应用于信创及数据中心，贞光科技提供全线产品供应与技术服务，助力打破供应链垄断，保障关键基础设施的自主可控。 市场需求与供应链现实：DDR5及HBM的技术价值与挑战 AI大模型、智能计算等应用场景的爆发，对数据处理的通量和效率提出了极为苛刻的要求，这直接推动了存储技术向DDR5和HBM的代际演进。DDR
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    10/11 09:55
    存储芯片 国产替代
  • HBM芯片工艺神秘又复杂？一文为你全解析
    咱最近老听说HBM，为啥它突然就爆火了呢？这主要是因为现在像人工智能训练、数据中心这些领域发展太快了，对数据处理和传输的要求越来越高。以前的普通内存，像DRAM，速度跟不上，数据传输的带宽也有限，就好比马路太窄，车一多就堵得不行，根本满足不了现在这些“大胃口”应用的需求。
    3130
    10/09 11:40
    HBM 芯片工艺
    HBM芯片工艺神秘又复杂？一文为你全解析
  • 这三类芯片，或将迎来爆发式增长!
    半导体行业未来三大热门方向：超低功耗MCU、AI ASIC和HBM高带宽存储。超低功耗MCU市场预计五年间规模翻倍，主要应用于消费电子、智能家居和汽车领域；AI ASIC因算力需求增长迅速，预计2024至2026年出货量年复合增长率可达70%；HBM存储芯片受益于AI服务器需求激增，市场供需紧张，价格显著上涨。这些趋势反映了AI、智能设备和汽车电子领域的快速发展。
    1688
    09/24 11:05
    半导体行业 HBM
    这三类芯片，或将迎来爆发式增长!
  • 英伟达尝试调升HBM4规格，预期2026年SK海力士仍是最大供应商
    因应AMD（超威）将于2026年推出MI450 Helios平台，近期NVIDIA（英伟达）积极要求Vera Rubin server rack的关键零组件供应商提高产品规格，包括HBM4的Speed per Pin须调升至10Gbps。尽管规格能否提升仍有变量，预计SK hynix（SK海力士）在HBM4量产初期将维持其最大供应商的优势。 HBM4作为AI Server的关键零组件，其传输速度及
    605
    09/19 07:15
    AMD NVIDIA
  • 马斯克：HBM不是万能药!
    特斯拉首席执行官埃隆·马斯克的言论引发关注，他表示“高带宽内存 (HBM) 并非许多人认为的万能药”。HBM 是英伟达 GPU（图形处理器）中使用的内存，而 GPU 是目前最强大的 AI 半导体。 据业内人士 9跃17 日报道，马斯克在其社交媒体账号上宣布了这一消息，他表示：“AI6 将在三星电子位于德克萨斯州的代工厂生产，但 HBM 的具体用途尚未确定。” AI6 是特斯拉的下一代 AI 半导体
    792
    09/18 15:00
    GPU 特斯拉
    马斯克：HBM不是万能药!
  • HBM市场“三国争霸”，HBM4成关键角色
    AI时代，高带宽内存（HBM）作为关键技术，推动了人工智能的发展。美光介绍HBM与先进封装发展，强调堆叠技术进步；三星加速HBM4产能布局，计划向英伟达供货；SK海力士、三星和美光三巨头争夺HBM4市场份额，市场预测2026年HBM4将成为主流。
    2794
    09/12 16:03
    存储器 dram
    HBM市场“三国争霸”，HBM4成关键角色
  • 2Q25 DRAM营收季增17.1%，SK海力士市占
    2025年第二季DRAM产业因一般型DRAM (Conventional DRAM)合约价上涨、出货量显著增长，加上HBM出货规模扩张，整体营收为316.3亿美元，季增17.1%。平均销售单价(ASP)随着PC OEM、智能手机、CSP业者的采购动能增温，加速DRAM原厂库存去化，多数产品的合约价也因此止跌翻涨。 观察主要供应商第二季营收表现，SK hynix（SK海力士）位元出货量优于目标计划，
    377
    09/02 15:15
    dram HBM
    2Q25 DRAM营收季增17.1%，SK海力士市占
  • HBM，挑战加倍
    高带宽内存（HBM）凭借其独特的3D堆叠结构，实现了远超传统内存的带宽和低延迟，成为AI大模型训练与推理的关键组件。SK海力士凭借第五代HBM3E产品在全球DRAM市场取得领先地位，尤其是在HBM领域超越三星。然而，面对SK海力士的强势，其他厂商如三星重启Z-NAND，NEO Semiconductor推出X-HBM架构，Saimemory开发堆叠式DRAM，以及闪迪与SK海力士推进HBF高带宽闪存，都在探索HBM的替代方案。 为了降低对HBM的依赖，厂商们还提出了存算一体架构，通过在存储单元内集成计算功能来优化数据传输路径，提高能效比。未来，AI内存市场将呈现多层次架构，包括HBM、PIM内存、专用片上内存等，以适应不同应用场景的需求。
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    08/20 09:40
    HBM
    HBM，挑战加倍
  • 存储芯片Q2对局，谁是真赢家？
    Q2，存储芯片市场是炙热的。在今年第二季度的第一天，也就是 4 月 1 日开始，存储芯片的涨价信号正式释放。市场此前的消极、低迷情绪随之改变。受原厂减产推动，其价格持续上行。NAND芯片价格开始回温，DDR4价格一涨再涨，HBM市场的竞争也步入白热化。
    1918
    08/13 09:05
    存储芯片 HBM
    存储芯片Q2对局，谁是真赢家？

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