存储大厂又扩产

三星电子近日决定将其位于平泽园区的最新生产线（P4）二期（Ph，生产空间）改建为第六代（1c）高带宽内存（HBM4）DRAM生产线。

该决定最初被认为是晶圆代工生产线，但最终确认为内存生产线。此举是为了应对包括英伟达、谷歌、亚马逊和微软在内的全球客户对HBM的激增需求。由于HBM行业在未经客户验证的情况下难以启动大规模量产，三星的这一决定被解读为直接响应全球客户的需求压力和产量要求。

据业内人士12月11日透露，三星电子近期最终敲定了一项中长期计划，将二期改造成一条专门用于供应HBM4的DRAM生产线。管理层此前一直在考虑如何利用该空间，而鉴于今年HBM的需求远超预期，最终做出了这一决定。

二期工程的主体建设计划于2026年第二季度启动，目标竣工日期为2027年上半年。与此同时，三星电子近期决定将五期工程的竣工日期提前一年至2027年5月。一位知情人士表示：“此举旨在满足HBM4的产能需求。”并补充道：“这是为了应对市场对下一代产品快速增长的需求。”

鉴于业内普遍预测HBM4和HBM4E的产能将在2026年至2028年间达到峰值，三星此举被视为一项先发制人的措施。摩根士丹利此前曾预测：“在人工智能的推动下，存储器行业正进入一个超级周期，需求的激增将加剧供应短缺，导致半导体周期在2027年左右达到峰值。”

近期的市场趋势也进一步印证了三星的战略转变。随着谷歌、亚马逊、微软等主要云服务提供商（CSP）以及英伟达等公司直接提出下一代人工智能服务器对HBM的需求，全球内存供应商的稳定供应变得愈发关键。特别是HBM4，由于其良率和封装难度远高于当前一代产品，因此需要快速扩充产能和稳定开发工艺。这就要求企业尽早扩充产能并开发稳定工艺，以应对市场需求。

竞争对手也在加速为半导体超级周期做准备。SK海力士已在HBM3E供应领域占据领先地位，目前正在扩建工厂，目标是实现HBM4的量产。美光今年也加入了竞争，扩大了其HBM3E的外部供应。与此同时，三星似乎选择了基于其1c DRAM工艺的策略，为尽早供应HBM4做好准备。

一位业内人士表示：“HBM需求正在迅速增长，产能至关重要。他们似乎正计划最大限度地提高产能，以应对巨大的需求压力。”

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