芯耀
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英特尔正式宣布与软银旗下子公司赛美内存（Saimemory）展开合作。两家公司计划共同开发下一代内存技术。
据《日经新闻》2月3日报道，英特尔和赛美内存当天在东京举行的一场技术活动上宣布，双方计划共同开发一项名为“ZAM”（Z-Angle Memory，Z角内存）的创新内存技术。
英特尔将提供核心堆叠技术。赛美内存计划在2027财年之前投资80亿日元用于开发原型，并力争在2029财年实现该技术的商业化。
软银将为该项目出资约30亿日元，富士通和理研也将共同投资10亿日元。日本经济产业省也正在考虑通过其下属的新能源产业技术综合开发机构（NEDO）提供数十亿日元的财政支持。
据《日经新闻》报道，ZAM计划旨在将功耗降低一半，以应对人工智能（AI）和高性能计算（HPC）普及带来的数据处理量快速增长的需求。
英特尔在美国国防高级研究计划局（DARPA）的支持下开发了这项内存技术。与传统的芯片平铺排列不同，ZAM采用垂直堆叠的方式排列功能芯片。这既提高了AI半导体的内存容量，又通过缩短计算单元和内存之间的距离来降低功耗。
Cymemory公司总裁山口秀也表示：“这项技术将解决散热、性能和供电等诸多问题。”他补充道：“从某种意义上说，这是一项突破性的挑战。”英特尔公共部门首席技术官Joshua Fryman表示，他希望“我们能够开发出比目前主流的高带宽内存（HBM）价格低得多的内存。”
HBM（高密度内存）目前主要用于人工智能半导体，拥有高容量和高速数据传输能力。韩国的三星电子和SK海力士以及美国的美光科技几乎垄断了从设计到生产的所有环节。
弗莱曼强调：“现有的标准内存架构无法满足人工智能的需求”，“下一代DRAM键合技术（NGDB）是一种全新的方法，将在未来十年加速创新。”
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