大族激光助力8吋SiC破局！已用于量产

随着SiC衬底向8英寸大尺寸方向发展，传统的线切割方式的短板会越来越显著，面临着高损耗、加工时间长等缺点，不利于SiC衬底的快速交付和降本。因此，创新性的碳化硅晶锭加工方法——激光剥离备受看好，该方法通过激光在晶锭内部形成改质层，实现晶圆的剥离，有效降低材料损耗率至60%以上，提高加工效率，并增加出片数量，有望显著降低碳化硅衬底成本，促进SiC衬底的快速交付。

最新消息，国产激光剥离技术先行者——大族半导体已正式确认出席6月14日在上海举办的“汽车&光储充与SiC技术大会”，届时，大族半导体产品线总经理巫礼杰将出席，并带来《激光切片技术助力8inch SiC衬底降本增效》的主题报告。

大族半导体认为，传统主流的线切割技术仍存在材料耗损大、加工效率低、出片率低等技术痛点，特别是面对大尺寸8英寸SiC衬底切片以及薄片切片，传统切片技术已无法胜任；而新型激光切片技术，具有材料耗损小、出片率高、效率高等巨大优势。

目前，大族半导体QCB激光切片技术已成功应用于8英寸SiC衬底量产，同时，形成具有自主知识产权的新一代激光切片关键技术及装备，助力8英寸SiC衬底降本增效。

早在2022年5月，大族半导体首次发布了激光切片(QCB技术)。据悉，该技术最高可提升270%的产能，并同期发布了SiC晶锭激光切片机、SiC超薄晶圆激光切片机两款全新设备，并在客户处做量产验证。

近年来，大族半导体也在持续推进与行业龙头客户的合作，为规模化生产SiC激光切片设备做准备，并不断推出SiC激光退火设备等新产品，致力于推动国产SiC行业的进一步发展。