晶圆制造CMP工程师面试干货小结

感谢国内某知名Fab厂工作6年的张工对CMP面试问题的解答。CMP（化学机械抛光）工艺是半导体制造中的关键步骤之一，它结合了化学腐蚀和机械磨削，旨在实现晶圆表面的全局平坦化。

一、基础知识和原理

1、CMP工艺的基本原理和关键步骤：

CMP是一种将化学腐蚀和机械磨削结合在一起的工艺，用于去除晶圆表面的材料。基本原理是通过抛光垫和浆料在晶圆表面施加机械力，同时浆料中的化学成分与晶圆表面的材料发生化学反应，从而软化和去除材料。关键步骤包括：

抛光垫与晶圆接触：抛光垫通过机械磨削作用对晶圆表面进行物理去除。

浆料供应：浆料提供化学腐蚀作用，同时润滑抛光垫与晶圆之间的接触。

终点检测：实时监控材料去除情况，确保达到预定的抛光终点。

2、化学和机械作用在CMP过程中的作用：

化学作用：浆料中的化学成分与晶圆材料发生反应，形成容易去除的表面层。

机械作用：抛光垫对晶圆表面施加压力，结合浆料的磨料颗粒，机械去除已经软化的材料。