士兰微、平湖实验室：8英寸SiC项目迎来关键节点

在碳化硅领域，大尺寸晶圆的研发与应用始终是推动产业变革的关键力量。近日，国内又有两个8英寸项目迎来突破，有望为产业发展注入强劲动力：

士兰微：8吋项目首台设备提前搬入

6月23日，据中建三局一公司官微透露，由他们承建的厦门士兰微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目（一期），已提前搬入首台设备。

文章进一步透露，该项目位于福建省厦门市，总建筑面积 23.45万平方米，历时110天顺利实现阶段性目标，建成后将极大提升士兰微碳化硅芯片制造能力。

据“行家说三代半”此前报道，今年3月，士兰微在官微宣布厦门士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目（一期）顺利封顶。

士兰微电子董事会秘书、副总裁陈越表示，他们总投资70亿元的一期项目，将尽最大努力争取在今年年底实现初步通线，明年一季度投产，到2028年底最终形成，年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。

6月27日，深圳平湖实验室在官微透露，他们联合深圳市鹏进高科技有限公司，成功攻克1200V沟槽栅SiC MOSFET芯片的核心技术难题，构建了8英寸工艺平台，实现了自主知识产权的高性能1200V沟槽栅SiC MOSFET芯片流片成功。

据了解，此次核心发明专利（专利公开号：CN118610269A）已经获得授权，其突破性成果具有诸多亮点：

静态性能指标实现了业内领先的低比导通电阻（<2.1mΩ·cm²），优于国际主流高可靠厂商的技术水平（如 Bosch G2）。

本芯片反向击穿电压大于1500V，阈值电压稳定在3.3V，在8英寸晶圆上实现了具有商业价值的良率展示。

成功在8英寸晶圆上攻克包括MeV级高能离子注入、定晶向刻蚀、栅氧区域厚度分布调制、低缺陷高温退火、低电阻欧姆接触、高可靠性钝化等多项SiC沟槽工艺难题，达到量产级工艺控制力。

成功建成国内领先、国际先进水平的全流程自主可控8英寸沟槽栅SiC MOSFET工艺平台，1200V 40mΩ等级沟槽栅SiC MOSFET晶圆CP良率90%以上，单片最高达到96%。

该工艺平台的仿真制造对齐工作已基本完成，从核心元胞结构到终端保护结构，全套动静态仿真与实测数据吻合度>95%

据了解，深圳平湖实验室建有全国首条集8吋SiC/GaN科研和中试于一体的功率半导体开放共享平台，覆盖第三代功率半导体衬底、外延、器件制备、封装测试、失效分析、可靠性验证全链条，建成先进的8英寸工艺平台，具备向下兼容能力。

本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。