为什么离子注入后要热退火？

08/07 09:00 作者：韭菜笔记1907

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芯片退火工艺是半导体制造中至关重要的一步，主要用于激活离子注入杂质、修复晶格缺陷、调整应力、改善接触界面以及优化电学性能。

以离子注入（ion implantation）为例，离子注入之后出现了较多的晶格位错。退火工艺则可以起到修复晶格缺陷的作用。

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