芯耀
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2025年12月29日，据“常州发布”消息，银河微电高端集成电路分立器件产业化基地项目于当日正式开工。
据介绍，该项目规划建设先进半导体车规级分立器件以及第三代半导体功率模块线，达产后预计年产5000万只IGBT及碳化硅功率模块、5.5亿只车规级分立器件、80亿只小信号及功率器件、25亿只光电器件。
开工仪式现场，银河微电董事长杨森茂表示，该项目将极大缓解公司当前紧张的产能瓶颈，更将推动公司产品结构向 “更高可靠性、更高技术附加值” 的战略目标全面升级。
结合银河微电的公告发现，该项目位于江苏常州市新北区，总投资约3.1亿元，项目总用地189亩。其中，一期项目建设周期预估为30个月，预计将为银河微电新增年销售额10亿元。
对于该项目的必要性，银河微电在相关公告中明确表示，“近年来，受益于新能源汽车、工业自动化、5G通信等下游需求的强劲驱动，我国半导体分立器件行业市场规模持续扩大。公司需抓住这一发展机遇，新建厂房、引入先进生产设备，扩大生产规模，实现业务扩张。”
另据公开信息显示，银河微电的产能布局主要以常州新北为核心。围绕常州新北，银河微电现有产线情况如下：
4英寸芯片线+封测线，年产能260亿只，主要生产小信号器件与常规功率器件；
车规级6英寸线，新增年产60亿只，专注车规级功率器件（MOSFET、二极管）生产；
高端集成电路分立器件产业化基地项目，已于2025年12月29日开工，专注车规级分立器件以及第三代半导体功率模块线。
官网显示，银河微电于2006年成立，于2021年1月27日在上交所上市，专注于半导体器件研发、芯片设计与制造、封装测试、销售及服务，并具备IDM模式下的一体化经营能力，是国内首家成为AEC国际汽车电子协会会员的半导体分立器件制造商。
银河微电的产品涵盖功率器件芯片、MOSFET、IGBT、桥式整流器、光电子器件、IPM智能模块、SiC器件、GaN器件、模拟IC等，广泛应用于汽车电子、能源动力、工业控制、智能家居、网络通信、计算机及周边设备等领域。
业绩方面，2025年前三季度，银河微电营收为7.45亿元，同比增长16.72%；归母净利润为4629.21万元，同比增长3.02%。其中第三季度，银河微电营收为2.68亿元，同比增长20.81%；归母净利润为1907.10万元，同比增长88.94%。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
