芯耀
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SK海力士高管近日在一场电话会中坦言：“今年我们无法满足所有客户的需求。”这家全球存储三巨头之一的库存仅剩四周，2026年HBM产能已提前售罄。这不是单一公司的困境，而是整个存储产业正在经历的“15年来最严重短缺”。
2026年开年，存储市场就进入了前所未有的涨价通道。TrendForce最新数据显示，第一季度通用DRAM合约价涨幅从最初预估的55%-60%上修至90%-95%，NAND Flash从33%-38%上调至55%-60%。服务器DRAM涨幅接近90%，PC DRAM更是超过100%，双双创下历史新高。
价格飙涨的背后，是一场由AI主导的供需重构。高盛报告指出，2026年全球DRAM将出现约4.9%的供需缺口，为近15年来最紧张水平。需求增长26%，供应仅增21%，这一剪刀差正在改写存储产业的游戏规则。
01 趋势：AI“虹吸效应”打破传统周期
过去存储产业的周期性波动，往往遵循“产能过剩—降价去库存—减产—涨价—扩产—再过剩”的循环。但这一轮行情，路径变了。
变化的起点是AI。HBM作为AI服务器标配内存，价格一度达传统DRAM数倍，订单排期超过一年。高盛预计，2026年HBM市场规模将达540亿美元，2027年进一步攀升至750亿美元。
更关键的是，HBM的需求正在产生强烈的“产能虹吸效应”。SK海力士新增产能多被HBM占据，三星P5厂量产要等到2027年下半年。与此同时，DDR5的高获利又吸引供应商将传统DRAM产线转向DDR5，进一步压缩成熟制程产能。
这就形成了一个前所未有的局面：三大产品线——DRAM、NAND、HBM——同步告急。供给端没有喘息空间，而需求端，北美、中国各大云服务商仍在积极洽谈年度长期供货合约，买方竞争激烈。
长江证券在一份研报中将此定义为“超级周期”——其特点是需求刚性强、持续时间长，由AI算力爆发驱动，而非传统的库存回补。
02 挑战：产能挤压下的“隐形受害者”
当所有人的目光都聚焦在HBM和DDR5的暴涨时，一个容易被忽视的问题正在浮现：产能向高端产品倾斜，正在挤压中低端存储的供给。
SK海力士将部分产线转为生产DRAM，压缩了NAND Flash新增产能；三星、美光加速退出DDR3、MLC NAND等旧世代产品，导致这些“非热点”市场供给缺口扩大。摩根士丹利测算，2026年DDR4供给缺口由原估20%扩大至26%，MLC NAND缺口超过30%。
这意味着，哪怕你的产品不需要HBM、不需要DDR5，只要你还用得上存储芯片，就躲不开这轮涨价。
另一个深层挑战是：价格暴涨正在扭曲终端市场的成本结构。集邦咨询测算，以当前主流的8GB内存+256GB存储配置为例，其预估合约价较2025年同期上涨近200%。存储器在智能手机整体成本中的占比，已从过往的10%-15%攀升至30%-40%。这将直接抑制终端需求，2026年全球手机产量可能下降10%以上。
供需失衡的传导链条，比表面看起来复杂得多。
03 破局：从“抢产能”到“挖效率”
面对持续全年的涨价预期和供给紧张，下游厂商该如何应对？
短期来看，锁定长期供货协议（LTA）成为共识。SK海力士透露，产业链已启动长期合约谈判以锁定未来供应。但长期合约只能解决“有没有”的问题，解决不了“贵不贵”和“好不好用”的问题。
中期来看，提高每一颗芯片的利用效率，成为比抢产能更现实的策略。这就回到了半导体制造后端一个常被低估的环节——测试与烧录。
一颗存储芯片从晶圆到成品，要经历CP测试（晶圆测试）、FT测试（最终测试）、老化筛选等多道关卡。在供给宽松的时代，这些环节被视为“必要成本”；在产能紧缺的当下，它们直接决定良率和产出效率。
测试环节的精度，决定了你能否把一颗接近规格边界的芯片判定为合格品。测量单元的分辨率、信号完整性、抗干扰能力，直接影响测试结果的可信度。测试误差大一个数量级，就可能把良品误判为坏品——在产能紧张的当下，这种浪费是不可接受的。
烧录环节同样关键。UFS、eMMC、LPDDR……不同接口、不同协议的存储芯片，需要不同的烧录算法和时序配置。烧录稳定性直接关系最终产品的可靠性，一次烧录失败，整颗芯片报废；一批数据错乱，可能导致批量召回。
高盛将2026年称为“15年来最紧张的年份”，SK海力士判断“涨价将贯穿全年”。无论你是芯片设计公司、模组厂，还是终端品牌，这轮存储风暴都绕不开。
当产能成为稀缺资源，谁能把既有产能的利用效率提到最高，谁就能在竞争中多一分底气。而测试与烧录，正是那个决定“效率”的关键变量。
您所在的企业如何应对这轮存储涨价？是加大备货、锁定长约，还是在生产端精打细算？欢迎在评论区分享您的实战经验与思考。
