芯耀
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近期，“行家说三代半”发现，博世、浙江晶瑞、香港微电子研发院在8英寸SiC产线建设方面相继取得新进展：
博世：今年年中8英寸SiC产线将大规模生产，计划实现SiC超结技术的商业化；
浙江晶瑞：马来西亚8吋SiC工厂主体结构封顶，一期年产能为24万片；
香港微电子研发院：8英寸SiC/GaN中试线年内投运，投资超23亿元。
博世：8吋SiC产线即将量产
2月25日，据“日经科技”消息，博世汽车电子事业部功率半导体和模块工程高级副总裁Ralf Bornefeld透露，他们正在位于德国罗伊特林根的生产基地进行大规模生产第二代沟槽栅碳化硅MOSFET，位于加利福尼亚州罗斯维尔的8英寸SiC生产基地将于2026年年中开始大规模生产。
据“行家说三代半”此前报道，2024年12月，美国商务部与博世集团达成初步协议，将为其提供高达 2.25 亿美元（约合人民币16.38亿）的补贴及约 3.5 亿美元（约合人民币25.48亿）的拟议政府贷款，用于碳化硅功率半导体工厂改造及产能提升。通过这笔资金，博世集团将改造其位于加利福尼亚州罗斯维尔的8英寸硅晶圆厂，从而建设碳化硅晶圆产线，并计划在2026年生产首批8英寸碳化硅芯片。
如今，博世正在加速碳化硅及氮化镓功率半导体的研发和生产进程。根据规划，从2027年起，博世将以约每两年一次的频率推进SiC产品的更新换代，并计划于2031年实现SiC超结技术的商业化。此外，他们还将致力于实现垂直氮化镓技术的商业化。
浙江晶瑞：马来西亚工厂封顶
2月26日，据槟城媒体“Buletin Mutiara”报道，浙江晶瑞的马来西亚新制造工厂已实现主体结构封顶。一期工程项目建成后，将重点提升8英寸碳化硅衬底的规模化供应能力，预计可实现年产24万片的高效产能，以满足第三代半导体应用的需求。
据“行家说三代半”此前报道，浙江基地和马来西亚槟城基地由晶盛机电旗下子公司浙江晶瑞进行建设，主要负责衬底片加工环节。2025年7月，晶盛机电下属公司宁夏创盛新材料科技有限公司举行年产60万片8英寸碳化硅衬底片配套晶体项目开工仪式，将形成“国际国内”的战略联动、产能协同。
香港微电子研发院：8吋SiC中试线年内投运
近期，中国香港政府发布的“2026年至27财政年度政府财政预算案”公告披露，香港微电子研发院的第三代半导体芯片技术研发与试产的中试线，年内将投入运作，有望加速本地芯片研发和产业升级。
公告进一步提及，中国香港政府的“新型工业加速计划”已支持两家发展半导体芯片技术及设备的企业，总投资超过十五亿元。
据“行家说三代半”此前报道，2025年3月，香港微电子研发院（MRDI）开始设立两条8英寸第三代半导体中试线，分别负责碳化硅及氮化镓研发和生产，原计划在2025年完成安装及调试。
资料显示，香港微电子研发院（MRDI）成立于2024年9月，其建设资金为28.38亿港元（约合人民币26.4亿），来源于香港立法会财务委员会批准的“创新及科技基金”。其中，24.78亿元（约合人民币23亿）用于建立中试线，其余资金为5年内的运营开支。
业务方面，该研究院专注于第三代半导体的研发，包括碳化硅及氮化镓，计划在元朗微电子中心设置中试线平台，将协助中小企业解决研发痛点、进行试产，推动科研成果实现产业化落地。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
