芯耀
与非AI
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5月28日，普渡大学发文，宣布与中国台湾格棋化合物半导体股份有限公司（GCCS）达成战略合作。
根据该公告，普渡大学与格棋半导体将在SiC先进封装领域达成合作，此次合作旨在攻克制约下一代高性能计算基础设施的散热、供电及6G通信三大关键瓶颈，推进微电子技术前沿发展，加速SiC商业化进程。
普渡大学表示，随着人工智能算力密度不断提升，传统硅基材料已逼近物理极限，SiC衬底技术将直接突破三大核心硬件壁垒：
散热管理：采用高性能SiC衬底，结合普渡大学基于CoWOS和CoPoS平台的微通道技术，实现高效散热。
电力传输：借助基于SiC的高压直流输电与固态变压器技术，以突破性效率实现电网到服务器的电力转换升级。
6G通信：为支撑下一代通信网络的核心设备提供关键的SiC材料性能保障。
公告还提到，双方签署了为期五年的谅解备忘录（MOU），双方的联合研究将聚焦SiC晶体缺陷控制与SiC材料生长工艺优化，加速向高良率8英寸、12英寸晶圆产线升级。该合作模式将确保散热管理与SiC材料特性领域的学术成果，快速转化为SiC大规模商业化生产能力。
普渡大学究竟会如何采用碳化硅衬底呢？
“行家说三代半”通过查阅普渡大学的论文了解到，他们于2013年获得了美国国防高级研究计划局（DARPA）为期四年、总额约200万美元的资助，目标是为高性能雷达和超级计算机开发"芯片内"微冷却系统。
DARPA定下的指标是芯片的散热能力要达到1000W/cm²，这比传统高性能计算机中的热散热能力高出10倍以上。
2017年普渡大学开发出“分层分流微通道散热器阵列”，实现了超高散热效率（获取论文PDF文件请加许若冰微信：hangjiashuo999）。
据研究提到，他们在5mm×5mm 硅芯片的背面集成电阻加热器与局部温度传感器，在芯片的正面采用 3×3 阵列微通道散热器，散热能力达到910W/cm²。
普渡团队研发的分层分流微通道冷却系统，其微通道材质为硅（Si），直接刻蚀在硅芯片基底上，宽度为15μm，深度分35μm、150μm、300μm 三种规格，宽深比最高达 19.1。
单芯片5mm×5mm 区域集成了3×3 共9个散热单元，每个单元含50 条平行微通道，流体有效流动长度仅 750μm。
微通道与芯片一体化集成、无额外贴合界面，直接嵌入芯片背面发热基底，消除接触热阻，冷却液（绝缘介质液 HFE-7100）通过分层分流器直接通入芯片内部通道，实现零距离冷却。
此次合作的核心落点，或将普渡大学深耕十余年的分层分流微通道散热技术，从硅衬底迁移至高热导率的SiC衬底。一旦SiC衬底与微通道冷却实现一体化集成，不仅散热极限可从1000W/cm²向更高维度突破，更能为AI先进封装中“热、电、通信”三大瓶颈提供碳化硅半导体级别的系统性解决方案。
普渡与格棋的五年联手意味着，SiC衬底进军AI芯片先进封装的旅途又前进了一步。
