两大闪存大厂今年利润将超5300亿！

三星电子和SK海力士预计今年将从其NAND闪存业务中获得巨额利润。这主要得益于NAND闪存销量的激增，而固态硬盘（SSD）的需求也因人工智能数据中心的扩张而增长。顺应这一趋势，两家公司计划在今年迅速将其NAND产品线转向高性能产品。

根据证券行业的普遍预期，两家公司今年NAND闪存业务的合并营业利润预计将达到约116万亿韩元（5359亿元人民币）。其中，三星电子预计约为72万亿韩元，SK海力士预计约为44万亿韩元。与去年相比，两家公司的利润分别增长了26.8倍和12.6倍。

自今年第一季度以来，NAND闪存业务一直保持着可观的利润。 7日公布的初步业绩显示，三星电子半导体（DS）事业部预计实现约54万亿韩元的营业利润；分析表明，其中约12.5万亿韩元来自NAND闪存业务，约占总利润的23%。考虑到去年第一季度3000亿韩元的亏损，这代表着显著的反弹。

市场对SK海力士的业绩也寄予厚望，该公司将于23日公布业绩。市场普遍预期SK海力士第一季度营业利润约为31万亿韩元，其中NAND闪存业务预计将贡献4万亿韩元左右（约占15%）。

最初，两家公司都没有将NAND业务放在首位。三星电子甚至考虑将部分NAND生产线改造为通用DRAM生产线。然而，随着人工智能数据中心投资的增加，硬盘驱动器（HDD）的供应短缺加剧，作为替代品的固态硬盘（SSD）的需求激增。因此，随着三星电子和SK海力士的NAND销量迅速增长，市场情绪也随之逆转。

两家公司的NAND产能利用率也显著提高。SK海力士的一位负责人表示：“从今年年初开始，NAND工厂的产能利用率大幅提升，甚至达到了98%的峰值。”他还补充道：“我们目前正在重新部署一些之前产能利用率较低的工厂。”据报道，三星电子位于西安和平泽的NAND闪存工厂产能利用率已恢复至约80%。

尤其值得一提的是，市场对高性能四层单元（QLC）企业级固态硬盘（eSSD）的需求正在迅速增长。业内人士透露，即使是低端型号，主要存储器厂商的QLC NAND闪存也已售罄。

三星电子和SK海力士正在加速投资，向下一代第九代V9 QLC闪存（三星电子为286层，SK海力士为321层）过渡。预计第九代QLC闪存也将成为今年的旗舰产品线。一位NAND行业人士表示：“在第九代NAND闪存方面，SK海力士比三星电子更加积极主动。目前来看，他们的过渡投资速度最快。”

他们也在积极推进下一代产品路线图的制定。除了QLC之外，拍量级单元（PLC）也正在被早期讨论。NAND闪存根据每个单元存储的位数分为SLC（1位）、MLC（2位）、TLC（3位）、QLC（4位）和PLC（5位）；增加存储位数可以在相同面积内实现更高的存储容量。

目前，SK海力士在PLC的研发方面最为活跃。该公司去年底在美国半导体会议“IEDM 2025”上展示了其研究成果。在研究中，SK海力士通过发现一种多位单元（MSC）结构，将单元分成两个位点并组合电压状态，实现了5位存储，从而展示了PLC商业化的潜力。三星电子对外披露的PLC信息有限。

然而，业内普遍认为PLC的商业化进程可能会比预期延迟更长时间。英伟达首席执行官黄仁勋在2026年国际消费电子展（CES 2026）上提出了“推理上下文存储器（ICMS）”的概念。据评估，对于ICMS所采用的NAND闪存而言，速度比存储容量更为关键。

一位半导体行业人士解释说：“由于速度是ICMS的核心，因此采用能够高速运行的QLC和TLC闪存是切实可行的。”他还补充道：“PLC（可编程逻辑控制器）需要从头开始重新设计器件、工艺和电路，因此（SK海力士的）研究成果与实际产品商业化之间存在着巨大的差距。”

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