公众号 | 高速先生,作者 | 姜杰
铜箔粗糙度会影响高速信号的损耗,为什么?
你一定想到了,没错,趋肤效应。说白了就是因为电流流经导体时总是寻求阻抗最小的路径。
信号频率较低时,阻抗主要由回路电阻决定,电流在导体上的分布相对均匀,这也解释了低速信号对于铜箔粗糙度为啥不敏感。
对于频率较高的信号,阻抗则是由回路电感主导,为寻找回路电感最低路径,一方面,电流在导线上会尽量扩展分布范围以减少导线自感(可解释加宽走线有利于减少传输线的损耗),另一方面,返回路径中的反向电流会尽量靠近信号路径表面以增加二者的互感,减小回路电感。这种电流趋向导体表面分布的现象称为趋肤效应(如下图所示,导体上颜色越深表示电流密度越大)。
为了满足信号损耗的需求,需要根据实际情况选择不同表面粗糙度的铜箔,以此为划分标准,铜箔大致可以分为STD(标准铜箔)、RTF(反转铜箔)、VLP(低表面粗糙度铜箔)以及HVLP(超低表面粗糙度铜箔)。粗糙度大小关系是:STD>RTF>VLP>HVLP。
随着单板复杂度的增加,同一块单板通常存在不同协议的高速信号,可能需要控制不同的阻抗,也就意味着走线的线宽会发生变化。
那么,铜箔粗糙度对不同线宽的损耗影响是怎样的呢?
看了这么多理论,想必大家已经累了。缓一缓,歇一歇,我们用直观的仿真数据说话。
以M6级别板材的某带状线为例,走线层和参考平面铜箔均为HVLP铜箔时,走线W/S分别为: 4/4mil 、5.7/8.5mil及 8/13mil时,单位长度损耗@28GHz对比如下:
如你所知,随着线宽的增加,单位长度走线损耗是变小的。
还是上面的例子,为了突出差异,这里仅对比了三种线宽时HVLP及STD两种铜箔的情况:
走线W/S=4/4mil时损耗差异为0.234db/in,随着铜箔粗糙度的增加,损耗增加了16%
走线W/S=5.7/8.5mil时损耗差异为0.192db/in,随着铜箔粗糙度的增加,损耗增加了15%
走线W/S=8/13mil时损耗差异为0.177db/in,随着铜箔粗糙度的增加,损耗增加了14.5%
随着线宽的增加,走线损耗减小的趋势符合预期,有趣的是,不同粗糙度的损耗差异居然也是变小的……
Q、本期提问:为什么走线越宽,铜箔粗糙度对损耗的影响越小?
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