ISSW 2026 是 The International SPAD Sensor Workshop 的第五届会议,关注单光子雪崩二极管(SPAD)传感器的研究、建模、设计、制造与表征,并覆盖 SPAD 成像器和相关应用。
会议于 2026 年 6 月 1-4 日在韩国首尔延世大学举行,主线是器件、架构与应用。
从征稿范围看,ISSW 2026 不只讨论单个 SPAD 像素,而是涵盖了 CMOS/兼容工艺、SiPM、III-V 与 Ge-on-Si、淬灭与前端电路、TDC、智能数据处理,以及 ToF/LiDAR、时间分辨成像、低光成像、量子成像、量子随机数和量子通信等应用。
本文简要介绍一下前15篇有 proceedings 正文的论文。完整论文集(139页,88MB)下载链接,放在了雪岭读书会知识星球,感兴趣老师见文末。
R1.02
Optimization of Dual Epitaxial Process with full-BDTI using Quadruple Microlens for BSI 10 μm Charge Focusing NP-type SPAD
✍DB HiTek corp., Eumseong-gun, Republic of Korea
论文围绕 940nm 近红外探测做器件优化,采用双外延工艺、full-BDTI 和四重微透镜,构建 10 μm pitch 的背照式 charge focusing NP-type SPAD。通过增加外延层厚度并把电荷聚焦电场扩展到 7 μm,器件在 940 nm 达到 30.3% PDE,DCR 为 0.32 cps/μm²,工艺平台为 DB HiTek 90 nm CIS。
这套结构已经被实验验证,后续还会尝试多外延生长,以继续提升 PDE 并改善抖动等指标。
R1.03
SPAD Innovations for Sensitivity Enhancement and Pixel Scaling
✍延世大学
这篇论文重点讨论 SPAD 在高灵敏度和像素缩小之间的基本权衡。作者综述了三条改进路线:1)DAR SPAD 通过掺杂优化扩展有效雪崩倍增区,在不改版图的情况下提高 PDP;2)U-SPAD 通过 U 形 p-i-n 结构引入双倍增区,改善载流子收集和光谱响应;3)L-SPAD 则用横向 p-i-n 结构减少 guard ring 对缩小像素的限制。
作者认为,SPAD 性能越来越受 AMR 工程和器件几何共同支配,规模化高灵敏度方案需要把这两类因素一起优化。
R1.04
Development of BSI 10/7.5/5 μm-Pitch SPAD Sensors with High PDE, Low DCR and Jitter
✍VisionICs Microelectronics Technology Ltd.
论文对 10/7.5/5 μm 三种背照式 SPAD 像素的系统优化。作者在 300 mm CMOS 平台上把 55 nm BSI SPAD 工艺与 40 nm Logic 工艺堆叠起来,并结合 charge focus、前后侧衍射结构、片上微透镜和 full DTI,分别得到 25.6%/20.8%/14.8% 的 940 nm PDE,以及 0.09/0.125/0.223 cps/μm² 的 DCR 和 180/180/170 ps 的 jitter。
经过验证,三种像素都达到了设计目标。并且作者特别强调,要在继续提高 PDE 的同时,把 DCR 和 jitter 压住,说明这条路线更适合面向汽车 LiDAR 等应用继续延伸。
R1.05
Front-Side Illuminated SPAD with Enhanced Near-Infrared Sensitivity via STI Gratings and Doping Optimization
✍GlobalFoundries 与南洋理工
这篇论文目标是把前照式硅 SPAD 的近红外能力拉上来。作者通过掺杂曲线优化和不同 STI grating 结构的比较,在 2 V excess bias 下实现约 57% 的 800 nm median PDP 和 12.9% 的 940 nm median PDP,击穿电压为 21.4 V,说明 FSI 也能在近红外探测中做出有竞争力的结果。
作者把这个方案定义为一种高性能、低成本的 BSI 替代路线,但也明确指出 grating 会带来更高 DCR,推测与表面态有关,后续需要靠更好的表面钝化去压制。
R2.02
A Compact Front-Side-Illuminated 48×32 Pixel dToF Sensor with Segmented Illumination and Integrated Dual-Core Histogram Processing
✍ams OSRAM
论文展示了一款紧凑型多区 dToF 传感器,像素规模 48×32,最高可覆盖 1536 个深度点,对角视场 80°,面向手机自动对焦 ROI 和工业场景。该传感器在 32×32 模式下,室内 18%/90% 目标的最大距离为 2.3 m/4.7 m,8×8 模式下在 30 Hz 时可达 5.9 m/8 m,最小距离 1 cm,距离分辨率 0.25 mm,整机封装尺寸为 5.7 mm × 2.9 mm × 1.5 mm。
作者认为,把读出逻辑移出焦平面并结合分区照明,能提升 fill factor 和 PDE,同时保持多目标识别、精确测距和对半透明遮挡后的聚焦能力。
R2.03
A 3D-stacked 288×64 InGaAs/InP Gated SPAD Array with Coincidence for SWIR Imaging
✍EPFL, Neuchatel, Switzerland; National Research Council (NRC) of Canada, Ottowa, Ontario, Canada
这篇论文把 SPAD 阵列推进到 SWIR dToF 感知,提出 288×64 InGaAs/InP gated SPAD array,并与 110 nm CMOS ROIC 混合集成。读出架构包含 per-pixel gating、binary memory 和 coincidence processing,用更低复杂度的方式抑制大尺寸 InGaAs 阵列噪声。
作者在室温下完成了阵列功能验证、击穿电压映射和 SWIR 强度成像。当前成果证明阵列已经跑通,但后续还要继续提升 hybridization uniformity,并补上 PDE 与深度成像演示。
R3.01
Wafer-Level DCR Estimation by I-V Characteristics for CMOS SPAD Development
✍Samsung Japan Corporation, Yokohama, Japan; Samsung Electronics, Hwaseong, South Korea
这篇论文解决的是 SPAD 工艺开发中的晶圆级 DCR 快速评估问题。作者提出 gated-IV DCR estimation:周期性偏置 SPAD 阴极,并用标准 wafer-probe 设备测量平均阳极电流;该电流包含与雪崩发生率成比例的确定性分量,因此可以从简单 I-V 扫描估算 DCR,而不必先搭建专用计数电路。
门控电流确实能够忠实代表 DCR,且与直接测量高度一致,所以这套方法足以用于 SPAD 工艺开发中的在线监控,甚至可以扩展到更简单的双端器件。
R3.02
State transition of Dark Count Rate in 3D stacked SPAD under HTOL stress condition
✍INL 与 STMicroelectronics
这篇论文研究 3D stacked BSI SPAD 在 HTOL 应力下的 DCR 老化机制。作者比较了不同 guard ring 架构,在 excess bias、温度和照明等条件下记录 DCR 漂移,发现 Pring/Pwell overlap 越大,发生漂移的像素越多;而一旦漂移发生,DCR 变化更像状态突变,而不是连续退化。
大的 Pring/Pwell overlap 会恶化 DCR 和老化表现,而且 DCR 漂移甚至可以在低于 VBD 的应力下出现,这说明主导退化机制未必是雪崩本身,而更可能与电流和局部电场有关。
R5.02
Reconfigurable 3D-stacked BSI SPAD sensor with bottom-tier embedded FPGA fabric for 3D/2D vision
✍EPFL 和 STMicroelectronics
这篇论文提出把 3D-stacked BSI SPAD 与底层 embedded FPGA fabric 结合的可重构传感器。阵列规模为 64×64,读出逻辑和数据格式可在 macropixel 粒度上编程,支持 timestamping、photon counting 或像素逻辑组合,并能在运行中重配,面向量子成像、LiDAR 和生物医学成像等不同模式。
该方案实现的 SPAD breakdown voltage 约为 19 V,DCR 可在 8 cps 到 400 cps 之间变化,TDC 阵列的 LSB 约为 78 ps。作者认为这是一条可重构的 2D/3D vision 平台,而不是单一用途的阵列。
R7.02
Histogram Methods for Sparse Depth Completion
✍爱丁堡大学和 Sony Europe Technology Development Centre
这篇论文讨论 SPAD dToF 相机在低功耗移动设备中的稀疏深度补全。为了降低功耗,一些 dToF 系统采用点阵照明而不是 flood illumination,但这会只得到稀疏深度点。作者指出,histogram 数据比单个深度点包含更多时域信息,因此把 sparse histogram data 输入深度补全网络,能比 sparse depth points 得到更高重建精度。
稀疏 histogram 不仅提升预测精度,还能让更小的 CNN 达到接近更大模型的表现。作者也把 RGB-guided edge-aware sparse sampling 作为下一步要继续验证的方向。
R7.04
FPGA implementation of a data compression algorithm for SPAD-based dToF LiDAR systems
✍FBK 和特伦托大学
这篇论文重点讨论了 SPAD dToF LiDAR 的数据链路压缩。SPAD 的单光子灵敏度和高时间分辨率会产生远超实时处理能力的事件流,作者因此实现了一套面向硬件的数据压缩算法,并在 FPGA 上完成验证。实验表明,在模拟数据上可达到 93% 的压缩率,同时保持距离、精度和精密度的可接受变化。
这套 DCA 已经可以在 Xilinx Artix-7 FPGA 上实现,说明 SPAD LiDAR 的关键瓶颈正在从探测本身转向片上筛选、压缩和实时处理。
R8.02
A Single Photon PUF camera
✍FBK、特伦托大学和 KU Leuven
这篇论文把 SPAD 相机用于硬件安全中的 PUF。作者利用 36×40 像素阵列里的暗计数非均匀性和缺陷差异生成唯一指纹,可提取 128 bit response,并在不同芯片和工作温度下评估 intra-distance 和 inter-distance。
结果显示,剔除有问题的像素后,intra-distance 明显改善,但 inter-distance 仍未完全贴近理想值 0.5。这意味着这条路线能做 PUF,但仍然非常依赖器件筛选、温度条件和 enrollment 策略。
R8.03
Bandwidth-Efficient Single-Photon Computational Imaging via Sketched Signal Compression
✍爱丁堡大学
这篇论文讨论 single-photon computational imaging 的压缩路径。作者提出 wide-field LiDAR 系统,使用 sketched single-photon signal compression,把 SPAD sensor-to-PC 的带宽降低 1024×,同时保持相对完整 histogram 的 center-of-mass 算法所需的高保真。室内和室外测量表明该系统可以实时成像,且该方法还能迁移到 FLIM 数据。
这种 sketch-based 方法在单指数和双指数衰减上都能取得高精度重建,因而适合继续向 FPGA 在线处理和集成式 wide-field FLIM 推进。
R9.02
Preliminary Study of Continuous Widefield Dynamic Light Scattering Imaging Using a Large-array On-chip Temporal Autocorrelation SPAD Imager
✍爱丁堡大学
这篇论文把 SPAD 阵列用于连续宽场动态光散射成像(DLSI)。DLSI 通过计算时间 speckle autocorrelation 映射流动相关动力学,但通常需要高速采样和大数据吞吐。作者使用带片上 temporal autocorrelation 的大阵列 SPAD imager,把计算前移到芯片内,并在 phantom 和 in vivo 实验中展示 12.9 fps 的空间分辨 flow-contrast imaging。
这是近视频速率 widefield g2(τ) 成像的首次验证和活体演示,虽然当前实现仍用了简化散射模型和未优化光学,但已经说明这是一条可扩展、低延迟的生物医学和神经科学平台路线。
R9.03
Scalable Gbps Quantum Random Number Generation via CMOS SPAD array
✍Heriot-Watt University 和 STMicroelectronics
这篇论文研究 QRNG 的低成本规模化。作者认为量子通信需要高效、稳健、低成本的随机数源,因此提出基于 consumer-grade CMOS SPAD array 的 compact QRNG,并采用 attenuated pulse generation 和 multiplexing,把生成速率推到 Gbps 量级,同时简化系统设置。
这种架构在毫米级封装内就有望达到 Gbps 速率,而且成本显著低于现有商业方案;但作者也明确说,温度范围、长期稳定性和安全工作边界还需要继续优化。
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