烧结银用途大拓展：用于 TGV 通孔领域

TGV（Through‑Glass Via，玻璃通孔）是 AI 算力、2.5D/3D 异构集成、射频光模块、传感器封装下一代核心技术。玻璃中介层对比传统硅中介层，具备极低高频损耗、优异绝缘、热稳定性好、成本可控，是高端芯片高密度垂直互联主流路线。

传统 TGV 金属化主流为溅射种子层 + 电镀铜，流程长、设备投入高；高深径比通孔填孔易出现空洞，铜‑玻璃热膨胀失配，冷热循环容易造成玻璃基板开裂报废。烧结银填孔成为电镀铜之外第二条产业化路径，从2025年起，烧结银创新者--善仁新材引领烧结银材料从传统芯片贴装，拓展到 TGV 通孔垂直互连全新赛道。

一、烧结银用于 TGV 通孔核心价值

工艺简化，缩短制程规避 PVD 溅射、化学镀、电镀、CMP 研磨整套复杂工序；采用塞孔 / 浸渍 / 印刷填充、低温烧结，减少设备投入，提升高深径比通孔填孔效率，适合中小批量及先进封装试产验证。

电学性能优异，适配高频高速烧结银本征导电优异，通孔内部形成连续银导电通路，降低垂直通孔电阻，减少信号损耗，适配 AI 高算力封装、射频毫米波器件、光模块 TGV 基板。

高热导，AS9380兼顾导电+散热双通道烧结银热导率可达 100‑160 W/m・K，TGV 通孔不仅做信号互连，同时充当垂直散热通道，缓解堆叠芯片热聚集问题，这是电镀铜之外的突出加分项。

低温工艺兼容玻璃与敏感介质烧结窗口150‑200℃低温烧结，不会损伤玻璃基板以及周边聚酰亚胺介质层，规避高温带来的基板翘曲问题。

热应力缓冲，降低玻璃开裂风险多孔烧结银具备一定弹性，相比电镀铜刚性金属，可缓冲玻璃‑金属之间热膨胀差，缓解温循下通孔界面应力，减少玻璃裂纹失效风险。

二、TGV 烧结银关键技术挑战

高深径比通孔填充能力TGV 通孔常见孔径 10‑100 μm，厚径比可达 10:1~20:1，浆料需要良好流动性，通孔内部无气泡、无填孔不满，对银粉粒径级配、浆料粘度、载体体系提出严苛要求。

烧结收缩控制烧结过程有机溶剂挥发、颗粒致密化带来收缩，收缩过大通孔内部产生空隙、界面脱离，需要优化固含量与颗粒搭配，控制烧结收缩率。

银‑玻璃界面结合力纯银与玻璃属于异质界面，本征附着力偏弱；配方需要引入特种玻璃相组分，提升烧结银与玻璃孔壁的浸润与结合强度，满足温循可靠性测试。

通孔内致密度与电阻率平衡烧结银存在微观孔隙，通孔有效电阻率会高于块体银；需要提高银固相含量，优化烧结工艺，降低孔隙，把通孔体电阻率控制到可量产水平。

后制程兼容烧结完成后，可兼容表面研磨、RDL 重布线、后续贴片回流等后端工序，不能出现二次软化、界面剥离。

三、典型应用场景

AI/HPC 2.5D/3D 异构集成：玻璃中介层 TGV 垂直互连，多芯片堆叠封装

射频、毫米波器件：玻璃基高频模组，TGV 做信号过孔，降低射频损耗

光通信光模块：玻璃基板 BOSA、光引擎 TGV 互联

MEMS、传感器封装：玻璃盖板 TGV 通孔，实现芯片与外部电气导通

第三代半导体混合集成：玻璃转接板功率器件异构封装

四、TGV烧结银材料选特点

面向 TGV 通孔烧结银AS9380，满足以下性能：

颗粒体系：纳米银 + 亚微米银复配级配，适配小孔径高深径比填孔；

低温烧结体系：150‑200℃无压烧结为主，适配玻璃基板；

浆料流变：适配塞孔、真空浸渍、印刷多种填孔工艺。

善仁新材的传统烧结银产品主要用于芯片贴装键合；TGV 通孔属于全新应用场景，公司开发的AS9380烧结银针TGV填孔做了配方专项迭代优化，目前国内外有三家客户验证阶段。

总结：

烧结银材料应用边界持续扩张：从 SiC/GaN 芯片贴装，延伸到 3D 堆叠，再到TGV 玻璃通孔垂直金属化。它不只是替代贴片焊料，正在从 “平面键合材料” 进化为 “3D 垂直互连材料”，为国产先进封装提供一条差异化 TGV 金属化技术路线。