基于1ED020I12FA2的SiC MOSFET的双脉冲测试电路LTSpice仿真

2022/03/12 作者：a2350284307

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基于1ED020I12FA2的SiC MOSFET的双脉冲测试电路LTSpice仿真

仿真说明如下：

1.采用英飞凌公司推出的专用大功率开关管驱动芯片1ED020I12FA2，具有信号隔离、DESAT过饱和检测、米勒钳位等功能

2.采用Cree公司推出的新型SiC材料的功率MOS管(型号：C2M0160120D)，耐压1200V，通流能力18A，具有耐压等级高，通态电阻小，开关速度快，开关损耗小，功率密度高等特点

本仿真设计属于个人原创，通过搭建本仿真电路，学习基于1ED020I12FA2的驱动电路的特性以及SiC MOSFET的开关特性参数，希望对学习电力电子的同学有所帮助。

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