N-channel dual-gate PoLo
MOS-FETs

2023/04/25 作者：恩智浦

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BF1201; BF1201R; BF1201WR N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs DATA SHEET Product specification Supersedes data of 1999 Dec 01 2000 Mar 29 DISCRETE SEMICONDUCTORS BF1201; BF1201R; BF1201WR N-channel

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

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