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IGBT是一种四层半导体器件，结合了双极晶体管(集电极-发射极)的电压特性和MOSFET的驱动特性。这个概念最早记录在山神于1968年提交的一项日本专利中。第一个设备是平面技术，但最近垂直的沟槽设备已经流行起来。
近年来，由于IGT擅长的高电压、高功率应用的增加，IGT的普及程度飙升。虽然开关速度比MOSFET慢，但在大电流下，VCE(SAT)特性比MOSFET有显著改善，特别是对于高压器件。它们的额定电压范围为300至1200伏以上，单个芯片的额定电流为15至100安培。IGBT模块的电流额定值可达100安培。
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPD90P04P4L04ATMA1 | 1 | Infineon Technologies AG | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0043ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 |
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$1.68 | 查看 | |
| 1803604 | 1 | Phoenix Contact | Barrier Strip Terminal Block, 8A, 1.5mm2, 1 Row(s), 1 Deck(s), ROHS COMPLIANT |
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$7.61 | 查看 | |
| GCM155R71H104KE02J | 1 | Murata Manufacturing Co Ltd | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 50V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7R, 15% TC, 0.1uF, Surface Mount, 0402, CHIP, ROHS COMPLIANT |
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$0.01 | 查看 |
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安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件，帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、航空及电源应用的独特设计挑战，既快速又符合高性价比。公司在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的世界一流、增值型供应链和网络。
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