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IGBT是一种四层半导体器件，结合了双极晶体管(集电极-发射极)的电压特性和MOSFET的驱动特性。这个概念最早记录在山神于1968年提交的一项日本专利中。第一个设备是平面技术，但最近垂直的沟槽设备已经流行起来。
近年来，由于IGT擅长的高电压、高功率应用的增加，IGT的普及程度飙升。虽然开关速度比MOSFET慢，但在大电流下，VCE(SAT)特性比MOSFET有显著改善，特别是对于高压器件。它们的额定电压范围为300至1200伏以上，单个芯片的额定电流为15至100安培。IGBT模块的电流额定值可达100安培。
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SRV05-4.TCT | 1 | Semtech Corporation | Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, LEAD FREE PACKAGE-6 |
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$0.56 | 查看 | |
| SMMBT3904LT3G | 1 | onsemi | 200 mA, 40 V NPN Bipolar Junction Transistor, SOT-23 (TO-236) 3 LEAD, 10000-REEL |
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$0.27 | 查看 | |
| CRH-20470 | 1 | Okaya Electric America Inc | RC Network, Isolated, 6W, 47ohm, 0.22uF, Chassis Mount, 2 Pins, |
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$13.28 | 查看 |
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