ASC800N1200HPD三相全桥碳化硅（SiC)模块

07/17 16:31 作者：碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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ASC800N1200HPD三相全桥碳化硅（SiC)模块

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ASC800N1200HPD三相全桥碳化硅（SiC）功率模块

1. 最高工作结温175℃；

2. 寄生电感低于9nH，比现有模块小50%以上，降低开关损耗；

3. 参数范围：

VDS：650~1700V

ID：400~1000A

RDS(on) ：1.3~6.5mΩ

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