VLSI

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VLSI是超大规模集成电路(Very Large Scale Integration)的简称,指几毫米见方的硅片上集成上万至百万晶体管、线宽在1微米以下的集成电路。由于晶体管与连线一次完成,故制作几个至上百万晶体管的工时和费用是等同的。大量生产时,硬件费用几乎可不计,而取决于设计费用。

VLSI是超大规模集成电路(Very Large Scale Integration)的简称,指几毫米见方的硅片上集成上万至百万晶体管、线宽在1微米以下的集成电路。由于晶体管与连线一次完成,故制作几个至上百万晶体管的工时和费用是等同的。大量生产时,硬件费用几乎可不计,而取决于设计费用。收起

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  • 刚刚,英特尔公布1.8nm重大进展
    英特尔在2026年VLSI研讨会上公布其2nm级制程路线图,重点介绍Intel 18A-P系列的性能增强版。该系列在相同功耗下性能提升9%,或在相同性能下功耗降低18%,具备更好的热特性和设计灵活性。Intel 18A-P采用了新的晶体管结构和技术,如低功耗与高性能晶体管选项、Power Boost能效增强技术和改进的热管理措施。此外,英特尔还展示了GAA晶体管和背面供电技术的应用前景,以及面向未来的CFET、氮化镓+硅集成和减成法钌互连技术的研究进展。这些创新有助于提升芯片性能和能效,推动2nm制程竞赛升温。
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  • 【VLSI特稿】台积电:先进封装和系统集成 推进下一代AI发展
    台积电资深科技院士鲁立忠在VLSI 2026大会上介绍了先进封装与系统集成技术如何满足下一代人工智能的苛刻需求。他强调了从2D到3.5D集成架构的转变,特别是通过2.5D和3D封装技术来解决数据移动带来的功耗和延迟问题。报告详细介绍了台积电的3DFabric平台,涵盖了硅技术、3D硅堆叠和2.5D先进封装解决方案,以及关键的热管理和电源优化技术。此外,他还探讨了生态系统合作在3DIC设计自动化和AI应用中的重要性,并展望了未来发展方向。
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    06/18 10:06
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  • 顶会VLSI 2026要来了,中国大陆336篇投稿领跑全球(亮点解析)
    2026年IEEE/JSAP VLSI研讨会汇聚全球顶尖研究机构和企业,投稿论文首次突破1000篇,中国半导体研究力量显著增长,投稿数量居首。研讨会主题围绕超大规模集成电路创新推动人工智能前沿发展,涵盖技术与电路两大领域,重点关注存储器、工艺和先进CMOS逻辑技术。备受瞩目的论文涉及三星、英特尔、台积电等多家企业的多项创新技术,包括3D堆叠FET、GAA工艺改进、铁电存储器和垂直栅DRAM等。
  • AI时代 内存发展的下一个黄金十年在哪里?三星 VLSI 报告给你答案
    AI时代,内存和处理器紧密融合成为必然趋势。三星全面布局先进封装技术,包括MOP、HBM、PIM、3D HBM等,以应对AI大模型带来的内存墙和功耗墙挑战。现有成熟方案如MOP和HBM有效缩短内存与处理器的距离,而未来技术如PIM和定制HBM则进一步提升内存计算能力,推动整体性能突破。三星凭借其全面的封装平台和技术储备,引领行业向更高集成度和能效方向发展。
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    03/23 09:57
  • 【EDA大师】Carver Mead:VLSI芯片结构化定制设计方法学之父
    Carver Mead因提出VLSI集成电路结构化定制设计方法而极大地推动了EDA产业发展,被誉为“摩尔定律”的命名者。他的课程和著作《Introduction to VLSI Systems》成为芯片设计的标准教科书,促进了集成电路技术的进步。Mead不仅在VLSI设计上有卓越贡献,还在神经拟态计算等领域有所创新。
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    2025/12/01