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• 内存、硬盘、缓存到底啥关系？一文看懂RAM、SRAM、SDRAM、FLASH、ROM

  电脑上的16G内存、512G固态，手机上的12G运行内存与256G存储。这些数字背后其实就藏着六种不同的存储芯片。它们的区别在于，断电之后数据是否丢失。 对比维度 RAM SRAM SDRAM ROM EEPROM FLASH 断电是否丢失数据 丢 （易失） 丢 （易失） 丢 （易失） 不丢 （非易失） 不丢 （非易失） 不丢 （非易失） 能否随意 读写 能，极快 能，极快 能，较快 早期只读，现

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  11/07 09:44
• 跨协议桥接与高精度传感：我们的接口芯片如何连接物理世界？

  在电子设计中，除了标准的数字逻辑通信，我们常常需要面对跨协议转换，这些环节往往是系统稳定性的决定因素。今天我们将为您盘点公司桥接、转换与传感器前端家族的核心产品。它们在严苛的工业环境中表现出色，为您提供高可靠性的接口芯片解决方案。 桥接与转换：连接USB与1-Wire的桥梁 1、USB转UART（FCA232T/Q） FCA232作为经典的USB转串行UART接口集成电路设备，具有可选时钟生成输出

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  10/31 10:48

  接口芯片
• 一文看懂我们的I2C/SMBus家族

  在电子世界中，接口芯片是连接数字与模拟世界的桥梁，也是系统稳定运行的“血管”。选择合适、高性能的接口芯片，可以在提高产品性能的同时降低成本。今天向您展示一套完整的I2C/SMBus总线及扩展解决方案。 我们的I2C系列涵盖了从简单的数据传输开关到多通道扩展器，支持1.65V至5.5V的宽电压范围，工作温度正常可达85℃，覆盖绝大多数应用场景。 1、数据传输开关（FCA9543T/44T/45T）

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  10/29 15:18
• 硅电容的三个易混淆点

  大家看到硅电容可能会猜测，硅是电极，还是介质？其实它身上有三个常见的误区。 硅是电极，不是介质 铝电容的铝、钽电容的坦都指的是阳极材料。硅电容也是如此。它的电极是掺杂硅，而介质是氧化硅或氮化硅。硅充当导体的角色，在电极里面掺杂高浓度的硅可以降低电阻。 平面容量小，靠挖坑来凑 氧化硅的介电常数很低，只有3.9，这意味着如果做成平板，容量会非常小。所以就在硅片上挖出很深的凹槽，和原来相比，放大了几十上

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  10/28 10:34

  硅电容器
• 超级电容站上AI算力风口：一场算博会背后的行业信号

  随着AI算力密度的持续攀升，市场被打开了一个高价值、高增速的细分窗口。GPU机构功耗从Hopper时代的40kW飙升至Blackwell的120kW，预计2027年Rubin Ultra NVL576机架将达到600kW，负载的波动越来越剧烈，对超级电容的性能要求也逐渐变高。 2026年9月2日至4日，一家电子股份有限公司亮相北京国家会议中心二期举办的2026开放数据中心大会（ODX）暨首届算博会

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  10/27 11:11

  AI算力 超级电容
• 硅电容的这5大“硬核”应用场景，专治各种高频高压不服

  硅电容的优势在于极高的容值稳定性、极低的ESL以及极小的封装。那么这种用半导体做出来的特殊电容，到底被用在了哪里？今天我们来盘点一下硅电容的五大应用场景： SONET（同步光纤网络） SONET对信号的完整性要求极高。在光网络通信中，SONET设备需要处理超高速数据流。硅电容极低的寄生电感和稳定的高频特性，能够有效滤除数据传输过程中产生的高频噪声，进而保证光通信信号的完整性和稳定性。 高速数字逻辑

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  10/24 14:52

  电容
• 徕飞硅电容持续上新：高稳定硅电容登场

  面对精密电路与高速信号设计，MLCC的温漂、直流偏压掉容等现象常常让工程师头痛不已。在面对这些痛点时，这几款硅电容可以给出更优方案。徕飞硅电容本次主要推出了四个型号：FSC0101V101R0300、FSC0202V102R0300、FSC0201D103M0016、FSC0201D243M0011。 高压高稳定担当：FSC0101V101R0300、FSC0202V102R0300 核心参数为：

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  10/24 09:52

  电容
• 两个放大器，三个“交通警察”：射频前端五器件科普

  射频前端里有一组器件经常被一起提及：PA、LNA、滤波器、双工器、射频开关。它们看起来都是“小芯片”，但干的活却完全不同。 PA 和 LNA，都是放大器，但方向完全相反 功率放大器，简称PA。它工作在发射链路上，任务是把收发器输出的微弱信号放大到一定功率，可以用天线发射出去。收发器芯片输出的信号通常只有毫瓦级甚至更低，而天线如果要把信号发射出去，至少需要几十毫瓦。 低噪声放大器，简称LNA。它工作

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  10/22 15:27

  放大器 射频
• 超级电容：一个被电力重新定义的百亿市场

  2026年，全球超级电容市场约为40亿元。四年后的2030年，这个数字有望突破百亿。那么是谁在推动这条增长曲线？答案指向同一个方向：AIDC。 超级电容并非新事物。长期以来，它被广泛使用在风力变桨的备用电源等场景中，市场规模平稳但缺乏爆发力，最大的变化发生在AI大规模爆发之后。 AI服务器的功耗特征与传统服务器截然不同。GPU单机功率大幅提升，算力负载会出现毫秒级的剧烈波动。瞬时电压扰动极易造成算

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  10/21 13:46

  电容
• FRTC85063:一颗低功耗RTC芯片的“隐形战场”

  在很多电子设备里，时钟功能被视为基础配置。但正是这个基础配置为设备提供断电计时、按时唤醒的功能，决定日志记录是否可信。 徕飞FRTC85063是一款专为低功耗研发的CMOS实时时钟及日历芯片。它可以通过外置32.768kHz晶体，来提供年、月、日、时、分、秒等完整计时信息，通过I²C总线，最高速率可达400kHz。工作电压覆盖1.1V至5.5V，适配多种应用场景。 数码相机 每一张照片的信息里面都

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  10/17 14:44

  芯片 RTC
• NF532重磅上新：高集成度13.56MHz非接触式控制器

  在物联网与智能识别技术飞速迭代的今天，终端设备对读写器芯片的功能提出了更加严苛的要求。为此徕飞正式推出了全新一代高集成度非接触式控制器-NF532,可以直接取代PN5321A3HN。 作为一款基于嵌入式80C51微控制器核心的13.56MHz非接触式控制器，NF532凭借强大的多协议支持与丰富的外设接口，为读写器、卡模拟及P2P通信应用带来了极具竞争力的单芯片解决方案。 六大模式，一芯多用 NF5

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  10/15 10:12

  控制器
• NYFEA徕飞5.5V 2.5F模组式超级法拉电容NM系列：大容量储能的多元应用场景

  便携式设备需要小型的超级电容，而需要瞬时释放大功率以及需要长期免维护的场景中则需要大容量的超级电容，5.5V 2.5F模组式超级法拉电容正成为工程师越来越重视的储能选择。 具体应用场景 汽车电子与车载设备：在行车记录仪、车载导航系统中，超级电容可以应对车辆启动瞬时功率的下降，防止设备正常运行，不会突然断电。并且，法拉电容凭借其快充快放以及安全稳定的特点，解决的锂电池在车内高温环境下不稳定不安全的痛

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  10/07 10:20
• 徕飞 LVC 系列逻辑芯片上新

  徕飞NYFEA的SN74LVC产品线上新了五个型号，涵盖了模拟开关、缓冲器、施密特触发器和三态驱动器，基本填满了低压逻辑电路中最常遇到的“信号路由”和“波形整顿”场景。 模拟开关 这次上新的型号为FL74LVC1G3157DCKR，可直接替代SN74LVC1G3157DCKR。单刀双掷结构、设计工作电压范围为 1.8 V 至 5.5 V，宽工业级温度范围：-40℃至+125℃。该器件既可处理模拟信

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  09/28 11:16

  逻辑芯片
• 物理 AI 的“触角”：当 Claude 开始读温湿度传感器

  2026年8月，Anthropic 发布 Model Hardware Standard（MHS），可以把它理解为AI界的遥控器，可以让Claude通过指令直接操作显微镜、机械臂等各种物理设备。这套标准的核心，是把物理设备“翻译”成AI能理解的统一接口。 在 MHS 的架构里，传感器是 AI 感知物理世界的“眼睛”。以卡内基梅隆大学的实验为例，Claude 通过MHS协调液体处理器、机械臂、读板机

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  09/26 16:39

  温湿度传感器
• 徕飞3.3V 0.22F超级电容：小尺寸时钟后备电源的国产替代方案

  在低功耗设备的电路设计中，工程师们会因为体积小、寿命长，广泛采用6.8*1.4mm规格的法拉电容。在国外长期占据大部分市场份额的情况下，徕飞推出的NB614S224N-TR 以优秀的特性与兼容的尺寸，为该市场提供了国产替代选择。 核心参数 NB614S224N-TR 的主要参数如下：额定电压 3.3V，容量为 0.22F，容量精度 是-20%~+80%，工作温度范围是 -10℃~+60℃，在25℃

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  09/16 11:59

  电源芯片 工业电子
• NF663芯片：多元应用领域

  特性概述 NF663是一款基于13.56MHz的高频RFID读写芯片，它具备成熟的近场通信技术基础，可以直接替代CLRC663与CLRC66303HNY。该芯片支持高频通信，可以实现点对点通信以及非接触式数据交换，具有读取灵敏度高、响应速度快、功耗低的特性。同时，NF663支持在读写模式中加密，为数据的安全性提供了有力保障。 主要应用领域 智能手表便捷加好友 NF663有一个王牌功能--点对点通信

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  09/04 16:38

  rfid读卡模块
• RTC时钟电路分析：内置晶振与外置晶振区别

  在RTC电路设计中，时钟源的实现方式直接影响了系统的成本以及精度等等。接下来，我们以FRTC8563S与FRTC8900CE为例，我们可以清晰地看到内外置晶振的差异， 外置晶振：FRTC8563S 该型号采用的是经典的SOP-8封装，可直接替代PCF8563与PCF8563T,它的时钟源是依赖外接32.768kHz晶体与匹配电容，就是将振荡电路的部分功能交由外部元件完成。外置晶振的优点就是灵活性高

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  09/01 19:38

  工业电子 RTC
• 主控GPIO不够用？聊聊I2C IO扩展选型的那些坑？

  做嵌入式、工业板卡等行业，几乎都会遇到同一个难题：主控芯片的算力足够，却因为主控GPIO引脚捉襟见肘，要放弃一些外设。按键、LED指示灯、继电器、传感器信号输入……外设越堆越多，主控引脚直接告急。这是工程师们每天都要面对的现实问题。 行业核心痛点 GPIO不够用，换主控还是加芯片？换主控意味着开发工具、驱动库、硬件参考设计全部重来，成本高、周期长。性价比更高的选择就是加一颗扩展芯片，市场上经典的芯

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  08/27 19:33

  工业电子 接口
• 徕飞 FCA系列全面上新，一站式I/O扩展国产替代方案

  作为专注于集成电路设计的新企业，NYFEA 徕飞正式发布 FCA系列新品，I2C IO扩展器包括FCA9535、FCA8574、FCA9539、FCA9555四大主力型号，以及I2C总线多路复用器FCA9548，精准对标国际一线品牌主流型号，提供性能持平、引脚兼容、供货稳定的国产替代方案。 型号 位宽/通道 可替代型号 FCA8574 8位 PCA8574 FCA9535 16位 PCA9535、

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  08/22 10:33

  扩展器 FCA
• 别再只用MLCC了，高速/高压电路的瓶颈，让硅电容解决

  很多硬件工程师都有同款困扰：电路方案没问题、原理图完全合规，可一上机就是高频噪声大、纹波压不住、高温性能漂移、高压容易击穿。其实大部分情况，不是设计问题，是普通MLCC电容的物理上限到了。在高速数字电路和高频前端设计中，SPI和SI的挑战，往往不是来自芯片，而是最不起眼的被动元件——电容。传统陶瓷电容不稳定，容易翻车，这也是越来越多高端光通信等领域的的设备开始批量替换硅电容的核心原因。 硅电容与M

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  08/13 20:31

  电路 电力

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