功率器件

• AI带火的不仅是存储，碳化硅氮化镓“闷声发大财”

  中国科学院院士郝跃团队首创“离子注入诱导成核”技术，显著提升了氮化镓微波功率器件的性能，解决了宽禁带半导体的散热难题。全球功率半导体市场持续增长，特别是碳化硅和氮化镓技术的发展迅速。碳化硅在高压应用中取得重大进展，而氮化镓在中低压高频场景中表现优异。然而，宽禁带半导体的封装与可靠性仍是技术瓶颈，亟待解决。硅基功率器件依然占据主导地位，但在高压、高效、小型化需求领域，宽禁带器件将逐步替代。先进封装技术已成为性能提升的关键，推动着功率半导体行业的整体升级。

  中国电子报

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  01/26 10:26

  AI 氮化镓

  
• 2026年，半导体市场10大关注点

  大山聡认为，2026年全球半导体市场将继续受AI驱动，特别是数据中心领域的巨大需求，而PC、智能手机和汽车等日常产品的市场需求并未显著增加。文章列举了十个值得重点关注的半导体行业话题，包括NVIDIA的领先地位、台积电的2nm工艺量产、英特尔制造部门的前景、Rapidus的2nm工艺进展、全球半导体市场规模预测、逻辑芯片与存储器市场的高增长率、DRAM市场的混乱局面、中国功率器件的崛起、Nexperia的问题以及台积电在日本的先进制程布局。

  芯世相

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  01/16 11:31

  功率器件 半导体市场

  
• eVTOL核心动力链解码：各部位功率器件芯片技术要求与选型逻辑

  eVTOL 动力系统依赖分布式电推进系统和功率器件实现垂直起降与水平巡航。电机驱动系统中，SiC MOSFET 以其高频特性和低导通电阻成为关键。能源管理系统涉及高压DC-DC转换器和电池管理芯片，需适应宽电压输入并确保高效率和可靠性。辅助控制系统中的飞控电源和液压/气动系统驱动器需具备抗干扰和防护性能。技术挑战包括散热与封装、航空级认证和成本控制。未来演进方向聚焦材料创新、智能化集成和国产芯片的本土化优势。

  eVTOL产业通

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  01/05 10:39

  功率器件 eVTOL

  
• 一文搞懂焊点金脆性问题的成因与破解方案

  在电子封装焊接中，有一种隐蔽却致命的故障——焊点金脆性。很多时候，焊点看似成型良好，却在温循、振动测试中突然开裂，甚至在实际使用中毫无征兆失效，追根溯源往往是金脆性在作祟。尤其在汽车电子、工业功率器件等需要长期稳定运行的场景中，金脆性堪称焊点可靠性的隐形杀手。今天就用通俗的语言讲透：金脆性到底是什么？是如何产生的？如何从根源上避免？ 一、金脆性问题到底是什么？ 简单说，金脆性是指焊点中因过量金元素

  傲牛科技

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  01/03 13:08

  功率器件 消费电子
• 安世危机之下，瑞能半导体价值凸显！

  瑞能半导体，原恩智浦双极功率器件业务，现中资100%控股，拥有成熟工艺平台、质量体系与客户网络。可控硅市场份额全球第一，尤其在可控硅和碳化硅功率二极管领域表现突出。在国内建立完整研发、制造体系，供应链自主可控，具备应对产业周期波动的能力。

  芯智讯

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  2025/12/31

  功率器件 可控硅

  
• 如何避免因助焊剂使用不当导致的焊接不良？

  在电子封装焊接车间里，虚焊、短路、焊点腐蚀等问题屡见不鲜，很多人会先排查设备和焊料，却忽略小配角助焊剂的作用。其实，助焊剂虽不起眼，却是决定焊点质量的关键，用对了能让焊接顺风顺水，用错了就会成为失效隐患。今天就用通俗的语言探讨解析：助焊剂用不当会引发哪些问题？不同场景该怎么选？又要遵守哪些规矩？ 一、用错助焊剂？这些焊接问题全是预警 助焊剂的核心使命是“清氧化、促润湿、防腐蚀”，一旦使用不当，每一

  傲牛科技

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  2025/12/25

  功率器件 SMT
• 两家头部大厂合作开发下一代氮化镓功率器件

  安森美与格芯签署合作协定，联手开发基于格芯eMode GaN-on-silicon制程的下一代氮化镓功率元件，预计2026年上半年提供样品。该技术应用于AI资料中心、电动汽车、能源基础设施及工业等领域，有望大幅提升能效与系统尺寸。安森美通过整合其硅基技术和格芯的GaN技术，加速SiC/GaN产能扩展与IDM供应链策略，同时格芯通过战略收购与技术授权，强化在全球供应链中的地位。

  化合物半导体市场

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  2025/12/24

  氮化镓 功率器件

  
• BGA植球中助焊剂的应用工序及核心要求

  BGA植球中，助焊剂是保障焊球定位与焊接质量的核心辅料，仅在焊球放置前的焊盘预处理后集中涂覆，兼具粘结固定焊球、清除氧化层、防二次氧化的作用。其性能要求精准：常温粘度5000-15000cP（细间距需更高）以防焊球漂移，中等活性（有机酸3%-5%）避免腐蚀焊盘，免清洗且残留量≤0.3mg/cm²以防漏电，活性温度需匹配焊料熔点。

  傲牛科技

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  2025/12/17

  功率器件 SMT
• MDD辰达半导体荣获“国产功率器件行业优秀奖”，聚焦高效能源发展

  12月6日，亚洲电源技术发展论坛在深圳万丽酒店隆重举行。作为国内领先的半导体解决方案供应商，MDD辰达半导体携旗下六大产品矩阵精彩亮相，集中展示了整流器件、小信号器件、保护器件、MOSFET、SiC、逻辑IC产品，与行业专家、合作伙伴共同探讨电源技术发展趋势与应用实践。 一、技术交流，共谋发展 在展会现场，MDD团队与众多来访者进行了深入的技术交流，针对客户在高效电源设计、系统可靠性提升、小型化与

  MDD辰达半导体

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  2025/12/11

  半导体 MOSFET
• PCB、存储、被动元件...这些芯片大厂都在涨价！

  芯片产业链各环节近期普遍涨价，涵盖PCB、晶圆厂、存储、被动元件、功率器件等多个领域。上游覆铜板、电子铜箔等原材料成本上升，带动覆铜板、存储原厂等厂商相继调价。台积电、三星、SK海力士等晶圆厂和存储原厂均宣布涨价，涨幅从几到数十个百分点不等。被动元件如电感、MLCC等受原材料涨价影响，亦有不同程度的调价。安世事件后，功率器件价格波动显著，华润微等厂商也宣布涨价。总体而言，芯片产业链上下游都在应对成本上升和市场需求变化，推动价格调整。

  芯世相

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  2025/12/09

  晶圆厂 功率器件

  
• 国产功率器件，结构性突围

  功率器件市场近期掀起涨价传闻，多家公司财报显示回暖迹象，但实际市场体感并不均匀。价格上涨主要是由于成本压力下的被动回调，而非需求爆发。头部企业通过规模效应和全产业链控制稳住了利润。车规市场和技术与成本平衡，能源基建领域则走出独立稳健行情。AI算力需求成为下一增长点，带动功率半导体向AI能源基座渗透。

  半导体产业纵横

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  2025/12/02

  功率器件

  
• 英飞凌官宣：下一代车规MCU全面拥抱RISC-V

  英飞凌在车规MCU、雷达感知及飞行汽车等领域展示技术领先地位与本土化决心。MCU方面，AURIX™系列MCU广泛应用于高安全场景，TC4x采用TriCore™内核，主频高达500MHz。雷达感知上，推出八发八收边缘架构雷达方案及中央式架构雷达，助力自动驾驶升级。飞行汽车领域，英飞凌布局低空经济，提供高安全与轻量化的解决方案，推动行业标准化进程。

  夏珍

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  2025/12/01

  与非观察 MCU

  
• 森利威尔SL3037C：完美兼容替代LT1933，80V高压降压DC-DC转换器

  在电表、通信电源、工业电力系统等高压供电场景中，LT1933 作为经典降压 DC-DC 转换器曾广泛应用，但随着工业设备对宽压适配、大电流输出及低功耗的需求升级，其输入电压上限、峰值电流等性能逐渐难以满足高端应用。森利威尔推出的 SL3037C 开关降压型 DC-DC 转换器，凭借与 LT1933 的 1:1 兼容特性，叠加更卓越的电气性能，成为替代 LT1933 的理想选择，为工业电源产品提质降

  森利威尔电子-

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  2025/11/22

  功率器件 电流
• 功率氮化镓市场，迎来黄金时代

  氮化镓（GaN）作为第三代半导体的核心材料，正引领全球科技产业向高效能、低功耗转型。自2025年以来，GaN器件市场快速增长，预计到2030年市场规模将达到约30亿美元，年复合增长率高达42%。中国氮化镓产业从技术验证期迈向规模化商用阶段，头部上市公司通过技术创新与精准布局，推动全球氮化镓竞争话语权提升。GaN器件在消费电子、数据中心、汽车和工业等领域广泛应用，展现强劲的增长潜力。随着8英寸晶圆技术的推进和新材料、新结构的创新，GaN技术将迎来更多应用场景的规模化应用。

  半导体产业纵横

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  2025/11/10

  氮化镓 功率器件

  
• 搭载罗姆EcoGaN Power Stage IC的小型高效AC适配器被全球电竞品牌MSI采用！

  全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）宣布，其EcoGaN™ Power Stage IC已应用于包括游戏笔记本电脑在内的MSI（微星）产品的AC适配器。 这款AC适配器由全球领先的电源制造商台达开发，采用EcoGaN™ Power Stage IC“BM3G005MUV-LB”，具备高速电源切换、低导通电阻等特色，结合台达先进的电源管理技术，与以往适配器相比，大幅缩减体积同时提升能效。

  与非网编辑

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  2025/11/06

  功率器件 罗姆

  
• 12英寸GaN！又有2家企业传来新进展

  东微半导体与晶湛半导体达成战略合作，联手研发12英寸硅基氮化镓HEMT晶体管，推动氮化镓功率器件产业化。晶湛半导体拥有成熟12英寸硅基氮化镓技术，东微半导体业绩向好为其提供业务支撑。全球多家企业加速布局12英寸氮化镓，降低成本并提高产量。

  行家说三代半

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  2025/10/23

  GaN 氮化镓

  
• 安世之乱触发功率器件涨价潮！主要产品线和国产替代梳理

  安世半导体因中荷双重制裁遭遇供应危机，全球功率半导体市场出现供需失衡，关键元件如二极管、MOSFET等大幅涨价，交期延长至12周以上。长期解决方案包括增加二供或多供替代和国产替代，以降低采购成本和交付风险。

  芯科技圈

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  2025/10/23

  功率器件 安世半导体

  
• 【化合物半导体】8家国产化合物半导体/功率器件上市公司综合实力对比分析

  本文介绍了8家化合物半导体/功率器件上市公司的综合实力，包括时代电气、三安光电、新洁能、闻泰科技、天岳先进、斯达半导、露笑科技和英诺赛科。这些公司在技术创新、财务健康、盈利能力、市场地位和产能潜力等方面进行了量化分析。文章指出，尽管市场需求增长，但产能增加更快，市场竞争加剧，特别是电动汽车普及速度低于预期，导致SiC需求增速放缓。然而，业界正积极推动新技术以降低成本，并探索新的应用场景，如AR眼镜和先进封装的中介层。此外，GaN功率器件在AI数据中心领域的应用需求强劲，未来市场前景广阔。

  半导体产业研究

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  2025/10/11

  功率器件 化合物半导体

  
• 从适配到突破：烧结铜工艺如何解决企业“改造成本焦虑”？

  烧结铜之所以越来越获得汽车电子与半导体企业青睐，关键在于其成本低廉、各方面性能优异，同时工艺体系既兼容现有产线，又能通过技术迭代降低生产难度，适配先进封装需求，形成 “低门槛切入、高效率生产、高潜力拓展” 的三重优势。作为专业研发生产各类微焊料厂家，傲牛科技的工程师在和客户深入沟通，深知工艺适配性是企业引入新材料的核心顾虑。 企业引入新材料时，除了成本和性能的平衡外，最担心的是“推倒重来”式的设备

  傲牛科技

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  2025/10/10

  汽车电子 功率器件
• 功率器件热设计基础（十四）——热成像仪测温度概述

  功率半导体热设计是实现IGBT、SiC高功率密度设计的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识和测试的基本技能，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章已经比较系统地讲解热设计基础知识、相关标准和工程测量方法，本篇的话题是

  英飞凌

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  2025/10/08

  功率半导体 功率器件

  

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