双脉冲测试_双脉冲测试是什么意思

基于双脉冲实验的Sic与IGBT特性对比研究

SiC功率器件的应用要求对SiC半导体器件本身结构性能及工作特性等有系统认识和研究，其相关工作在国内才刚起步。通过搭建双脉冲实验平台，对SiC功率器件驱动工作特性进行实验研究，进行双脉冲测试，实现530 A大电流驱动关断实验。与IGBT模块的双脉冲测试结果对比，SiC功率器件比IGBT器件开关速度更快，开关损耗更小，续流管反向特性好，反向恢复电流更小。此外，针对SiC功率器件关断时的涌浪电压问题

碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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2025/08/11

IGBT SiC MOSFET

用Python自动化双脉冲测试

电力电子设备中使用的半导体材料正从硅过渡到宽禁带（WBG）半导体，比如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等半导体在更高功率水平下具有卓越的性能，被广泛应用于汽车和工业领域中。由于工作电压高，SiC技术正被应用于电动汽车动力系统，而GaN则主要用作笔记本电脑、移动设备和其他消费设备的快速充电器。本文主要说明的是宽禁带FET的测试，但双脉冲测试也可应用于硅器件、MOSFET或IGBT中。为确保这些设

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2024/10/28

示波器 Python

T-NPC三电平电路的双脉冲与短路测试

由于技术的发展和应用的需要，T型三电平应用越来越广，我们开发了IGBT7 1200V 62mm共发射极模块，最大规格电流为800A，以及PrimePACK™3+封装的的共集电极模块，规格为2400A/1200V，采用了IGBT7大功率芯片，单桥臂即可实现兆瓦级功率。而中小功率Easy封装则单模块集成了T型三电平的桥臂供选择。本文从分析T-NPC三电平电路的换流入手，介绍了双脉冲与短路测试技术，对电路设计和验证有参考价值。

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2024/02/26

三电平双脉冲测试

I-NPC三电平电路的双脉冲及短路测试方法

双脉冲测试(DPT)是一种被广泛接受的评估功率器件动态特性的方法。以IGBT在两电平桥式电路中应用为例，如下图，通过调节直流母线电压和第一个脉冲持续时间，可以在第一个脉冲结束和第二个脉冲开始时捕捉到被测器件在任何所需的电压和电流条件下的开关瞬态行为。DPT结果量化了功率器件的开关性能，并为功率变换器的设计（如开关频率和死区时间的确定、热管理和效率评估）提供了参考依据，那么对于三电平电路，双脉冲测试需要怎么做呢？

英飞凌

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2024/01/18

电路设计三电平

什么是双脉冲测试技术

双脉冲测试技术（Double Pulse Testing）是一种用于评估功率半导体器件（如MOSFET、IGBT等）开关特性的方法。这种技术通过同时施加两个短脉冲信号来测量器件的开关行为和性能。基本原理：在双脉冲测试中，首先向待测的功率半导体器件施加一个预充电脉冲，然后在一定延迟时间后再施加一个主开关脉冲。这样的测试可以模拟实际应用中的开关过程。测量参数：双脉冲测试通常用于测量器件的导通损

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2025/02/19

双脉冲测试

双脉冲测试

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