栅极驱动IC

• 杰盛微JSM2113STR 4A 700V 单相高低侧带SD功能栅极驱动芯片

  在电子设备的世界里，芯片如同精密的 “心脏”，驱动着整个系统的高效运转。对于众多工程师和电子产品制造商而言，寻找性能卓越且适配的芯片至关重要。今天，我们要为大家介绍一款来自杰盛微半导体的明星产品 ——JSM2113STR，它在众多方面展现出超越经典芯片 IR2113 的实力，成为理想的替代方案。 一、产品概述 JSM2113S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高

  杰盛微半导体JSMSEMI

  1140

  2025/09/09

  驱动芯片 栅极驱动IC
• JSM2110STR4A 700V 单相高低侧带SD功能栅极驱动芯片

  JSM2110S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道JSM2110S的逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。 JSM2110S内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的通断关断。ISM2110S采用宽体SOP-16(W)封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。应用

  杰盛微半导体JSMSEMI

  904

  2025/09/08

  驱动芯片 电机驱动器
• JSM2106STR 700V 单相高低侧同相栅极驱动芯片

  在高压驱动芯片领域，IRS2106 曾凭借稳定的性能成为工程师选型清单中的 “常客”。但随着电力电子设备对耐压、抗干扰、效率的要求不断提升，一款更具竞争力的替代产品逐渐走进大众视野 —— 杰盛微自主研发的 JSM2106STR。这款 700V 单相高低侧同相栅极驱动芯片，不仅完美兼容 IRS2106 的应用场景，更在关键性能指标上实现突破，为行业带来更优的驱动解决方案。 一、产品概述 JSM210

  杰盛微半导体JSMSEMI

  1135

  2025/09/06

  驱动芯片 栅极驱动IC
• 杰盛微JSM2104STR 700V 集成自举带SD功能单相高低侧栅极驱动芯片

  在电子科技飞速发展的当下，驱动芯片作为电子设备中的关键组件，其性能优劣直接影响着整个系统的运行效率与稳定性。一直以来，IRS2104 凭借其出色的性能在高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动领域占据着重要地位。然而，今天我们要为大家带来一个令人振奋的消息：杰盛微半导体推出的 JSM2104STR，以其卓越的性能和高性价比，成为了 IRS2104 的有力替代者，为广大工程师和电子设备制造商

  杰盛微半导体JSMSEMI

  1063

  2025/09/05

  MOSFET 驱动芯片
• JSM2101STR 700V单相高低侧同相栅极驱动芯片

  在电机控制、空调洗衣机变频驱动、通用逆变器等领域，高压高低侧栅极驱动芯片是核心元器件之一 —— 而 IRS2101 作为经典进口型号，长期占据市场主流。但近年来，受供应链波动、进口周期长、成本居高不下等问题影响，不少企业开始寻找性能匹配、供货稳定的国产替代方案。今天要给大家推荐的，正是杰盛微推出的 JSM2101STR：一款 700V 单相高低侧同相栅极驱动芯片，不仅能无缝替代 IRS2101，更

  杰盛微半导体JSMSEMI

  737

  2025/09/01

  MOSFET 逆变器
• JSM21844STR4A 700V带SD功能高低侧栅极驱动芯片

  在电力电子设计领域，IR21844 作为经典的高压栅极驱动芯片，曾是众多工程师的 “老朋友”。但随着工业场景对电压、电流、抗干扰能力的要求不断提升，一款能全面替代且性能更优的芯片逐渐走进视野 —— 来自 杰盛微 的 JSM21844STR。从《JSM21844STR SOP-14.pdf》文档中不难发现，这款 4A/700V 带 SD 功能的高低侧栅极驱动芯片，在核心参数、保护机制、应用适配性上都

  杰盛微半导体JSMSEMI

  772

  2025/08/29

  驱动芯片 栅极驱动IC
• 杰盛微JSM2184STR 4A 700V集成自举带SD功能栅极驱动芯片

  在工业电机驱动、电动工具、电源转换系统等高压功率场景中，栅极驱动芯片就像 “功率器件的大脑”，直接决定了整个电路的稳定性、效率与安全性。长期以来，IRS2184 作为经典的高压栅极驱动方案，占据了不少市场份额。但随着国内半导体技术的飞速发展，杰盛微半导体推出的JSM2184STR凭借更优的性能、更完善的保护机制与高兼容性，成为了 IRS2184 的理想替代型号，今天就带大家全面拆解这款 “国产高压

  杰盛微半导体JSMSEMI

  1548

  2025/08/28

  MOSFET 功率器件
• 杰盛微JSM21867STR 4A 700V集成BSD单相高低侧同相栅极驱动芯片

  在功率电子领域，高压栅极驱动芯片是连接控制电路与功率器件的 “桥梁”，其性能直接决定了电机驱动、电源转换等系统的可靠性与效率。一直以来，IRS21867 作为经典的 4A700V 高低侧驱动芯片，广泛应用于工业与家电场景，但国产替代需求的日益增长，也推动着本土半导体企业推出更具竞争力的产品。杰盛微半导体（JSMSEMI）研发的JSM21867STR，正是一款对标 IRS21867 的集成 BSD

  杰盛微半导体JSMSEMI

  794

  2025/08/27

  MOSFET 驱动芯片
• JSM21867STR 4A 700V集成BSD单相高低侧同相栅极驱动芯片

  JSM21867S是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。IRS21867S采用SOP-8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。广泛应用于电机驱动与控制、电动工具、通用逆变器、电源转换系统、伺服驱动器

  杰盛微半导体JSMSEMI

  1113

  2025/08/23

  MOSFET 驱动芯片
• JSM21864STR4A700V单相高低侧同相栅极驱动芯片

  在电子工程师的日常研发中，“芯片替代” 往往是绕不开的课题 —— 供应链波动、成本控制、性能升级等需求，都可能让一款成熟产品的核心器件面临替换。而在高压栅极驱动领域，IRS21864 作为经典型号，其替代选型更是备受关注。今天，我们就来深度解析一款来自杰盛微（JSMSEMI）的高性价比替代方案 ——JSM21864STR，从参数匹配到场景适配，全方位验证它为何能成为 IRS21864 的 “理想平

  杰盛微半导体JSMSEMI

  689

  2025/08/22

  MOSFET 驱动芯片
• JSM2186STR4A 700V单相高低侧同相栅极驱动芯片

  JSM2186S是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。JSM2186S采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。广泛应用于电机控制、空调 / 洗衣机、通用逆变器、微型逆变器驱动程序等场景，

  杰盛微半导体JSMSEMI

  824

  2025/08/21

  MOSFET 驱动芯片
• JSM2181STR 700V单相高低侧栅极驱动芯片

  在功率电子领域，栅极驱动芯片如同系统的 “神经中枢”，直接决定着功率器件的开关性能与系统可靠性。长期以来，IRS2181 作为经典的 600V 半桥驱动芯片，凭借稳定的性能占据着不小的市场份额。但随着高压应用场景的不断拓展，一款名为 JSM2181STR 的 700V 单相高低侧栅极驱动芯片正凭借更优异的性能参数，成为工程师眼中替代 IRS2181 的理想之选。今天我们就从技术参数、保护机制、应用

  杰盛微半导体JSMSEMI

  878

  2025/08/17

  驱动芯片 栅极驱动IC
• JSM2104STR700V 集成自举带SD功能单相高低侧栅极驱动芯片

  在功率电子领域，栅极驱动芯片是连接控制电路与功率器件的 “桥梁”，其性能直接影响系统的稳定性、效率与可靠性。今天给大家推荐一款国产高性价比栅极驱动芯片 ——JSM2104STR，它不仅性能优异，更是 EG2104 的理想替代型号，轻松适配各类功率应用场景。 一、产品核心亮点：为什么选 JSM2104STR？ JSM2104STR 是杰盛微半导体推出的700V 集成自举带 SD 功能的单相高低侧栅极

  杰盛微半导体JSMSEMI

  1207

  2025/08/12

  电机驱动 驱动芯片
• JSM2203STR 4A 250V集成自举半桥高同低反栅极驱动芯片

  在功率电子驱动领域，稳定可靠的栅极驱动芯片是电路高效运行的核心。如果你正在寻找 FD2203 的高性价比替代方案，杰盛微半导体推出的JSM2203STR绝对值得关注！这款 4A250V 集成自举半桥高同低反栅极驱动芯片，不仅兼容 FD2203 的核心功能，更在性能、可靠性和应用灵活性上实现升级，为电机控制、逆变器、充电桩等场景提供强力支持。 一、产品概述 JSM2203S是一款高压、高速功率 MO

  杰盛微半导体JSMSEMI

  1411

  2025/08/07

  MOSFET 驱动芯片
• JSM2010STR 4A 700V 单相高低侧带SD功能栅极驱动芯片

  杰盛微半导体JSMSEMI

  393

  2025/08/06

  电机控制 驱动芯片
• JSM2005STR250V集成BSD的半桥栅极驱动芯片

  在工业控制、电机驱动、逆变器等高压功率电子领域，栅极驱动芯片作为连接控制逻辑与功率器件的 “桥梁”，其性能直接决定了系统的稳定性、效率与可靠性。面对市场上 IRS2005、TF2005M 等经典型号的升级需求，杰盛微半导体推出的 JSM2005STR 以更优性能、更简化设计、更宽应用场景，成为替代升级的理想之选。 一、产品概述 JSM2005STR是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片

  杰盛微半导体JSMSEMI

  1084

  2025/08/03

  功率半导体 驱动芯片
• JSM5109G1.2A 250V单相高低侧同相栅极驱动芯片

  在电机控制、逆变器等电力电子系统中，栅极驱动芯片就像 “神经中枢”，负责精准控制功率 MOSFET 的开关状态。选对驱动芯片，系统效率能提升 15% 以上，故障率降低 30%；选错了，则可能面临频繁宕机、功耗飙升等问题。 今天，杰盛微要给大家推荐一款 “全能选手”JSM5109G。作为 1.2A 250V 单相高低侧同相栅极驱动芯片，它不仅能完美替代 U3116S、EG2132，更在性能、可靠性、

  杰盛微半导体JSMSEMI

  767

  2025/07/31

  MOSFET 电机控制
• JSM5108G250V1.2A单相高同低反功率栅极驱动芯片

  在工业控制与家电驱动领域，功率栅极驱动芯片是连接控制逻辑与功率器件的 “桥梁”，其性能直接决定了系统的效率、可靠性与安全性。面对市场上 EG2131、FD2103S 等主流型号的应用痛点，杰盛微重磅推出 JSM5108G 250V1.2A 单相高同低反功率栅极驱动芯片 ， 一款集高压兼容、高速响应、高可靠性于一体的升级替代方案，为电机控制、逆变器等场景带来更优解。 一、概览 JSM5108G是一款

  杰盛微半导体JSMSEMI

  694

  2025/07/30

  电机控制 逆变器
• JSM7385STR700V双通道高侧栅极驱动芯片

  在电力电子领域，栅极驱动芯片扮演着 “神经中枢” 的关键角色，它连接着控制电路与功率器件，直接影响整个系统的性能与可靠性。杰盛微作为专注于半导体领域的佼佼者，推出的 JSM7385STR 700V 双通道高侧栅极驱动芯片，凭借卓越的性能和广泛的适用性，成为替代 FAN7385 的理想之选，为各类电力电子应用注入强劲动力。 一、概览 JSM7385S是一款高压、高速功率 MOSFET和IGBT驱动芯

  杰盛微半导体JSMSEMI

  606

  2025/07/25

  驱动芯片 电力
• JSM21281STR300V 集成自举带过流检测的单通道高侧栅极驱动芯片

  在工业电子、新能源、汽车电子等领域，高侧栅极驱动芯片是电力电子系统的 “神经中枢”，负责精准控制功率 MOSFET/IGBT 的开关状态，其性能直接影响整个系统的效率、可靠性与安全性。长期以来，IR21281 作为经典的单通道高侧驱动芯片，在市场中占据重要地位。但随着国产半导体技术的崛起，杰盛微半导体推出的 JSM21281STR 以 “300V 集成自举 + 过流检测” 的硬核配置，成为 IR2

  杰盛微半导体JSMSEMI

  1075

  2025/07/24

  驱动芯片 检测器

正在努力加载...